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[发明专利]大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法-CN202011343593.3在审
发明人：敖辉;孙明;庄文荣;颜建锋 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法，包括：步骤1)，提供一蓝宝石衬底，将蓝宝石衬底送进MOCVD反应腔，蓝宝石衬底的外延面取向为c面且向a面倾斜一偏角，偏角大于等于0.2°；步骤2)，在蓝宝石衬底上沉积低温缓冲层；步骤3)，在低温缓冲层上进行超晶格生长，超晶格为二维生长层与三维生长层交替生长堆叠而成；步骤4)，在超晶格上进行氮化镓模板层的生长。本发明可以在c面偏向a面0.2°以上的蓝宝石衬底上获得具有平整表面、晶体质量高的c面且偏向m面的氮化镓模板，使用该氮化镓模板可以获得c面且偏向m面的氮化镓单晶，进而获得性能良好的氮化镓基垂直结构功率器件。
偏角蓝宝石衬底氮化模板制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法-CN202210010095.X在审
发明人：庄文荣;孙明;卢敬权 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法，HEMT的外延结构包括：衬底，具有相对的第一主面和第二主面；应力补偿层，位于所述衬底的第二主面上，所述应力补偿层包括第一缓冲层；位于所述衬底的第一主面上的第二缓冲层和器件功能层，所述器件功能层位于所述第二缓冲层上，所述器件功能层包括于所述第二缓冲层上外延生长的碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层和AlGaN势垒层。本发明通过在衬底的背面引入应力补偿层，应力补偿层的引入可以补偿衬底正面的缓冲层中的应力，使得后续器件功能层可以外延生长于几乎平整的平面上；另一方面，所述的制备方法可以缩短高成本的MOCVD工艺时间，有利于提升生产效率。
电子迁移率晶体管外延结构及其制备方法

[发明专利]激光剥离集成化设备-CN201910788121.X有效
发明人：卢敬权;任俊杰;庄文荣;孙明;李泽琪;朱定正 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种激光剥离集成化设备，包括：激光光源，用于对所述待剥离晶片进行激光剥离；剥离腔室，用于承载所述待剥离晶片；加热器，用于提供所述待剥离晶片进行剥离时所需要的温度；轮廓测量装置，用于获取所述待剥离晶片的表面轮廓信息；以及移动装置，用于依据所述轮廓测量装置所获取的表面轮廓信息调整所述待剥离晶片的所在高度，使得剥离时激光光源的焦点位于待剥离位置。本发明的激光剥离集成化设备通过实时测量待剥离晶片表面轮廓，在剥离时实时调整晶片高度，可以保证剥离时激光焦点位于待剥离位置，使得激光在剥离面不偏焦，提升激光剥离的良率。
激光剥离集成化设备

[发明专利]氮化镓单晶上高阻碳化硅薄膜衬底及其制作方法-CN202111098431.2在审
发明人：庄文荣;卢敬权 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓单晶上高阻碳化硅薄膜衬底及其制作方法，包括：单晶氮化镓基底；本征绝缘或半绝缘的碳化硅外延层，外延于单晶氮化镓基底上。相比于同质外延氮化镓难以获得绝缘或半绝缘特性，本发明的碳化硅较容易形成绝缘或半绝缘特性，可有效降低工艺难度和成本，又避免了现有通过补偿效应制得的绝缘或半绝缘氮化镓单晶衬底所带来的可靠性低、位错密度高等问题。本发明的氮化镓单晶基底的热导率和热膨胀系数跟碳化硅相近，且晶格常数匹配，在氮化镓单晶基底外延的碳化硅外延层，在保证所述碳化硅外延层的绝缘或半绝缘特性的同时，可以获得晶体质量良好、低位错密度的碳化硅外延层，使得在其上制作的氮化镓射频器件具有较优的高频性能。
氮化镓单晶上高阻碳化硅薄膜衬底及其制作方法

[发明专利]引流旋转式基片承载装置及气相外延设备-CN202010566659.9有效
发明人：黄业;刘鹏;王健辉;卢敬权 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种引流旋转式基片承载装置及气相外延设备，装置包括：气源装置，用于提供气相外延的源气体，源气体的流动方式包括旋转流动；母盘，位于气源下方；转动装置，连接于母盘，以为母盘提供旋转动力；子盘，用于承载基片，子盘通过旋转轴连接于母盘上，子盘边缘具有涡形流道，用于引导旋转流动的源气体在涡形流道内流动，从而带动子盘旋转。本发明利用源气体在子盘表面以涡状线流动方式推动子盘旋转，实现装置的行星式旋转。本发明无需对子盘额外注入气体，因此，既不会有多余的气体破坏基片边缘的气氛，提高外延片的良率，同时也能节省高纯气体流量及相关气体控制元器件，大大降低设备的成本。
引流旋转式基片承载装置外延设备

[实用新型]一种混气式喷头结构及其氮化镓成膜装置-CN202121647360.2有效
发明人：黄业;刘鹏;王健辉 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种混气式喷头结构及其氮化镓成膜装置，本实用新型的混气式喷头结构，包括镓舟和调节气管路，所述镓舟设有气体进口和气体出口，从所述气体出口流出的气体与所述调节气管路输送的调节气体混合后流出，其结构简单，设计合理，通过调整调节气管路中输送的气体流量，从而控制最终混合气中GaCl气体的含量，以控制GaCl气体在后续制备工艺中的分布，从而实现稳定可控的工艺过程；本实用新型的氮化镓成膜装置，包括装置本体和托盘，所述混气式喷头结构和所述托盘置于所述装置本体内，所述镓舟流出的气体与所述调节气管路通入的调节气体在所述混气管路混合后，流向所述托盘，其结构简单，设计合理，工艺过程稳定。
一种混气式喷头结构及其氮化镓成膜装置

[发明专利]自支撑氮化镓衬底的制作方法-CN202111098433.1在审
发明人：任俊杰;王帅 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种自支撑氮化镓衬底的制作方法，包括：1)提供一复合衬底，包括蓝宝石衬底以及氮化镓薄膜；2)于氮化镓薄膜上形成临时粘结层；3)将转移衬底通过临时粘结层键合于复合衬底上；4)通过激光剥离工艺剥离蓝宝石衬底；5)将承接衬底与氮化镓薄膜进行弱键合，并通过使临时粘结层失效以将转移衬底从氮化镓薄膜上剥离；6)在氮化镓薄膜上外延生长氮化镓外延层，通过氮化镓薄膜及氮化镓外延层与承接衬底之间晶格失配应力和/或热失配应力，使弱键合失效，以实现氮化镓薄膜与承接衬底之间的分离。本发明可有效克服晶格失配和热失配而导致异质氮化镓外延层厚度受限的缺陷，提高自支撑氮化镓衬底的质量，降低自支撑氮化镓衬底的制作成本。
支撑氮化衬底制作方法

[发明专利]硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法-CN202110825054.1在审
发明人：韩甲俊;孙明;庄文荣;颜建锋;敖辉;陈兴虎;严鹏 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基GaN‑HEMT外延结构的制作方法，包括：采用金属有机物化学气相沉积工艺于硅衬底上形成GaN‑HEMT外延结构，包括成核层、缓冲层、碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层、AlN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；所述GaN‑HEMT外延结构的外延生长所采用的气源包括有机金属源和氮源，以H2和N2作为载气，其中，氮源的载气H2与N2的体积比为1.75～2.5之间，有机金属源的载气H2与N2的体积比为0.4～1之间。本发明可有效提高GaN‑HEMT外延生长过程中的不同区域生长速率均匀性、厚度均匀性、AlGaN势垒层的Al组分均匀性以及2DEG密度和二维电子气的迁移率。
硅基 gan hemt 外延结构制作方法

[发明专利]温度可控的用于高温激光剥离的装置-CN201910300683.5有效
发明人：刘鹏;卢敬权;王健辉;黄业;任俊杰;颜建锋 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种温度可控的用于高温激光剥离的装置，包括：腔体模块，包括若干腔体单元，腔体单元用于承载衬底或晶片及对衬底或晶片密封；加热模块，用于提供衬底或者晶片进行剥离时所需要的温度；冷却模块，用于降低所述腔体模块及所述加热模块在工作时的温度；窗口模块，用于提供激光进入腔体单元内的通道；运动模块，用于将腔体单元移至激光剥离的工作区域；气体保护及排放模块，用于提供衬底或晶片的工艺气氛；控制模块，用于控制上述各模块的工作。本发明的装置设置有多个腔体单元，通过采用加热模块对多个腔体单元内的衬底或晶片同时加热升温或降温，或以一定的时间差进行加热升温或降温，可以在相同时间内剥离更多的片数。
温度可控用于高温激光剥离装置

[发明专利]一种混合波长半导体激光器TO封装结构-CN202110484087.4在审
发明人：李成明;卢敬权;颜建锋;黄业;王帅;林逸 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01S5/0225 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种混合波长半导体激光器TO封装结构，所述管壳罩设于所述管座、并与所述管座相配合形成一容置腔，所述管舌设于所述容置腔内，并与所述管座连接，若干所述激光器、若干所述合束器和所述光传输装置分别设于所述容置腔内，且若干所述激光器分别与所述管舌、所述合束器及所述光传输装置连接，所述光传输装置沿所述合束器出射光光路方向设置，所述管壳设有用于所述光传输装置的输送光束穿过的输出窗口，本发明结构简单合理，通过设置若干合束器，将若干激光器的出射光进行多波长耦合，并经光学窗口输出若干束混合波长，其输出了混合波长光束，并有效提升了光束质量，可以满足激光显示光源的使用需求。
一种混合波长半导体激光器 to 封装结构

[发明专利]一种激光器封装结构-CN202110389055.6在审
发明人：李成明;卢敬权;颜建锋;黄业;王帅;林逸 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器封装结构，包括管舌、安装于所述管舌的贴合层、安装于所述贴合层的激光二极管、及安装于所述管舌的散热组件，所述贴合层位于所述管舌和所述激光二极管之间，所述贴合层具有多个间隔设置的凸起部，所述激光二极管设有多个间隔设置的第一凹槽，所述凸起部与所述第一凹槽匹配设置；所述管舌设有散热腔，所述散热组件包括安装于所述散热腔的配合件和磁性件，所述配合件与所述散热腔的侧壁之间形成有移动通道，所述磁性件位于所述移动通道中；通过提高激光二极管和贴合层之间的接触面积来提高激光二极管的散热效果，有利于激光二极管在大功率条件下的工作。
一种激光器封装结构

[发明专利]一种复合式TO封装的半导体激光器-CN202110023785.4在审
发明人：李成明;卢敬权;吕根泉;颜建锋;刘鹏;黄业 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合式TO封装的半导体激光器，其包括内管壳及外管壳，所述外管壳用于遮覆内管壳，所述外管壳与内管壳之间围设形成容置空间，所述内管壳内用于放置激光器芯片。本发明通过在内管壳外罩设外管壳，使得外管壳与内管壳之间围设形成容置空间，配合在容置空间内设置连接片，将内管壳上的热量导送至外管壳上并由外管壳散发出来，增加散热面积，增强散热能力；另外，利用在内管壳的内光窗处设置第一透镜或在外管壳的外光窗处设置第二透镜，改变激光器芯片发出光的特点；另外，配合在内管壳与外管壳之间设置不同功能的元件，以满足用户对产品的不同需求；利用在容置空间内设置不同的功能结构，以实现产品的多功能封装效果。
一种复合 to 封装半导体激光器

[发明专利]基于蓝宝石衬底的HEMT的制备方法-CN202011078663.7在审
发明人：庄文荣;卢敬权 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种基于蓝宝石衬底的HEMT的制备方法，包括步骤：1)提供蓝宝石衬底，于蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层；2)将GaN外延层键合至高导热基底上；3)剥离蓝宝石衬底，以显露GaN外延层的剥离面；4)对剥离面进行抛光处理，获得GaN抛光表面；5)基于GaN抛光表面完成GaN基HEMT结构层的外延生长。本发明采用蓝宝石衬底外延生长GaN，衬底成本较低，且可以有效提高HEMT结构层的晶体质量；本发明可以有效提高HEMT的良率，同时解决了蓝宝石衬底导热不足的缺陷，使得HEMT可以工作于较大功率的条件下。
基于蓝宝石衬底 hemt 制备方法

[发明专利]一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构-CN201810063388.8有效
发明人：李锐;刘鹏;程天佑;李成明 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆外延衬底材料生长的托舟结构，包括支撑底座和托舟，所述托舟为具有上表面和下表面的圆环形板，托舟的边缘设有分别与上表面和下表面连接的斜面，托舟设在支撑底座的上表面，上表面、下表面和斜面位于不同的高度上，支撑底座的上表面设有定位凸台，托舟的上表面和下表面分别设有与定位凸台匹配的定位凹槽。本发明双面可用，提高了托舟的有效利用次数，减少清洗次数，提高生长效率。
一种用于外延衬底材料生长结构

[发明专利]用于在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法-CN201611256276.1有效
发明人：贾传宇;殷淑仪;张国义 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法，包括以下步骤，在在Si衬底上生长AlN成核层和Al组分线性变化和固定不变的AlyGa1‑yN应力释放层，再生长GaN外延层，然后铺设三组交叉排列的碳纳米管阵列形成连续的碳纳米管薄膜周期性介质掩膜和MgN/SiN无定型掩膜形成的复合微纳米掩膜，第一组碳纳米管排列方向平行于GaN外延层[1‑100]方向，第二组碳纳米管排列方向与第一组碳纳米管成60度夹角，第三组碳纳米管排列方向与第一组碳纳米管成120度夹角，然后再生长GaN合并层和Al0.25Ga0.75N势叠层。本发明能获得无龟裂、高晶体质量的GaN外延层。
用于衬底制备电子迁移率场效应晶体管方法