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[实用新型]一种气相外延设备进行材料生长的控制系统-CN201220221883.5有效
发明人：袁志鹏;刘鹏;赵红军;张茶根;张俊业;毕绿燕;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气相外延设备进行材料生长的控制系统，属于半导体技术领域。本系统包括一工控机和一可编程控制器，所述工控机通过工业通信总线分别与气相外延设备的可编程控制器、气体流量计、和/或压力控制器、和/或加热器、和/或转动盘连接。设置多个温区加热器进行动态补偿衬底温度。在气动阀控制方面取消逐个控制，设置联动自动控制开关，根据各路源气的设定值，联动打开气动阀和设定MFC。在压力控制方面，增加限制蝶阀角度控制，控制范围在大于5°小于40°之间，达到压力平稳控制和保证气体一直往下流。在材料生长控制方面，除了能实现自动运行菜单外，创造实行跳步生长、无缝更新菜单和中途指定步生长。
一种外延设备进行材料生长控制系统

[发明专利]一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式-CN201210319877.8有效
发明人：袁志鹏;刘鹏;王永旺;赵红军;张俊业;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温生长晶片的卸载装置及其卸载方式，实现汽相外延设备在生长工艺不间断状态下卸载高温生长的晶片。本发明的生长腔侧壁设有进料窗，生长腔下面设有下料腔，下料腔下面设有卸料腔，卸料腔侧壁设有出料窗，卸料腔内设有可升降托盘的底部升降托台，下料腔内设有复数组小型气缸，小型气缸向内的端部设有夹具，下料腔内设有复数的感应加热线圈。本发明尤适用于目前HVPE垂直系统中，可缩短工艺周期、提高生产效率，促进产业化。
一种高温生长晶片卸载装置及其方式

[发明专利]用于改良外延过程中衬底晶片表面温场的方法-CN201210303314.X有效
发明人：赵红军;刘鹏;张国义;童玉珍;孙永健;毕绿燕 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明一种用于改良外延过程中衬底晶片表面温场的方法，首先选取复合衬底晶片，在初始温度和外延起始温度不同时，计算出复合衬底晶片中第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化，然后根据第一种材料的体积变化和第二种材料的体积变化计算出复合衬底晶片变形后的球面半径；再根据计算得出的R0值在载体上开设衬底球径结构；然后把复合衬底晶片置放到衬底球径结构中，在HVPE中进行半导体材料生长。本发明改善了半导体材料外延过程起始阶段衬底晶片表面温场的均匀性，提高外延起始层与原有材料的衔接质量，降低了工艺调试难度，提高了外延半导体材料的质量。
用于改良外延过程衬底晶片表面方法

[发明专利]一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法-CN201210306671.1有效
发明人：吴洁君;张国义;刘南柳;康香宁;李文辉;钟良兆;刘鹏 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-08-24 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
一种通过缺陷应力去除技术分离氮化镓单晶材料制备支撑衬底方法

[发明专利]一种适用于GaN材料外延产业化的托舟-CN201210309119.8有效
发明人：赵红军;刘鹏;毕绿燕;袁志鹏;张俊业;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
一种适用于 gan 材料外延产业化

[发明专利]具有车距安全功能激光雾灯-CN201210274906.3有效
发明人：刘明;郭闯;张国义 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B60Q1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有车距安全功能激光雾灯，将红光半导体激光器应用到汽车雾灯中，在大雾天气下，能够在汽车后方产生形状类似于汽车停车用三角警示牌作用的明亮红色三角形光区。本发明的激光雾灯设于汽车尾部，激光雾灯由电路控制模块、激光模块、整形光学模块、温度控制模块、相对车速测量模块和激光模块角度调整器组成；电路控制模块连接激光模块，激光模块的激光灯前方设有整形光学模块器件，相对车速测量模块输出端连接激光模块角度调整器。本发明的大尺寸的激光红色三角形具备比传统雾灯更好的警示作用，车辆预警距离大幅增加，增加行车安全保障。
具有安全功能激光雾灯

[实用新型]一种自动送料装置-CN201220004381.7有效
发明人：何明坤;程天佑;张国义 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2012-01-06 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： B23K26/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种设计合理的自动送料装置，其高可靠性、低成本，能有效提高生产效率和品质的机械手。本实用新型包含工作台，工作台上端设有顶板，顶板上设有取料盒、卸料盒和载物平台，工作台内设有传输机构，传输机构包括水平直线移动机构与垂直直线移动机构，该水平直线移动机构上设有垂直直线移动机构，垂直直线移动机构上设有一个取料臂，取料臂上部设有一个取料头。本实用新型采用传输机构使得取料和卸料一套机构完成，减少了运动机构，降低了成本，提高了机构可靠性，同时减少了可能因人工装片造成的产品污染，提高了产品质量。
一种自动装置

[发明专利]采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法-CN201210151216.9有效
发明人：贾传宇;殷淑仪;高宗伟;孙永建;张国义 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管的制作方法，公开了一种采用金属有机化合物气相外延技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法，改善有源区晶体质量，提高发光器件内量子效率。本发明在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石AllO3衬底在氢气气氛下，三维生长20～30纳米的GaN缓冲层，再在1000～1500℃下生长2～4微米厚n-GaN层；在氮气气氛下，生长n型非对称In组分渐变的电子注入层，在氢气氛下，在950～1040℃生长p型AlGaN电子阻挡层和p-GaN层。本发明所涉及工艺流程均在外延生长中完成，不需要附加芯片工艺流程，具有工艺流程相对简单，可重复性好，附加成本低等优点。
采用金属有机化合物外延技术生长对称电子储蓄层高亮度发光二极管方法

[发明专利]一种单接触式自转公转基舟-CN201110453183.9有效
发明人：赵红军;刘鹏;毕绿燕;袁志鹏;张俊业;王姣;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。
一种接触自转公转

[实用新型]一种免拆装在线清洁的新型过滤装置-CN201120349762.4有效
发明人：毕绿燕;刘鹏;赵红军;陆羽;张俊业;袁志鹏;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： B01D46/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种免拆装在线清洁的新型过滤装置，可以方便判断滤芯堵塞情况，简便实现免拆装在线清理，适用于长时间工作。本实用新型包含有过滤罐，过滤罐侧壁上设有物质输运入口，过滤罐内设有一圈滤芯挡环，滤芯挡环内设有滤芯，滤芯外缘设有除沉装置，滤芯上部设有出口，过滤罐下部的沉积物排出通道设有第一道排污阀与第二道排污阀，第一道排污阀与第二道排污阀之间设有沉积物过渡室，第二道排污阀的下面设有通道。本实用新型装置操作简单，维护方便，延长维护周期，提高设备利用率、为保证生产顺利进行提供保障。
一种拆装在线清洁新型过滤装置

[实用新型]一种石英管与金属体连接结构-CN201120355244.3有效
发明人：赵红军;刘鹏;毕绿燕;陆羽;李燮;张俊业;袁志鹏;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： F16L49/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石英管与金属体连接结构，其安全性高、密封性好、能够承受较大载荷。本实用新型包含有金属体、石英管，金属体内腔设有石英管，石英管外侧设有石英管凸缘，石英管凸缘外侧设有中空外螺纹螺母，中空外螺纹螺母的顶部与石英管凸缘的凸出部之间设有B胶圈，石英管凸缘的凸出部与金属体的内腔壁之间设有A胶圈。本实用新型设计的凸缘型石英管连接方式，不仅实现石英管与金属体间连接，还能够承受较大载荷，使石英管不会从金属体上脱落，从而提高了连接和使用时的安全性，也利于降低整体成本。
一种石英管金属连接结构

[实用新型]一种用多管道液体冷却及温度控制的法兰装置-CN201120349715.X有效
发明人：张俊业;陆羽;刘鹏;赵红军;毕绿燕;袁志鹏;张国义;童玉珍;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G12B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用多管道液体冷却及温度控制的法兰装置，使冷却液体通过部件，带走热量，通过调节冷却液体与部件热交换面积，从而控制法兰部件温度。本实用新型包括法兰部件，法兰部件内部设有复数条独立的密封管道，密封管道首端连接进液管道，密封管道尾端连接出液管道，进液管道上设有进液开关，进液开关与密封管道之间设有液体过滤芯，法兰部件上设有温度探测器。本实用新型通过多管道调节热交换面积从而控制法兰部件温度，在部件内部制作多条独立的密封管道，外接进液管道和出液管道，通入冷却液，使其在管道中流动来带走两个接触面上的热量，对部件进行冷却，保护其不会因为温度过高而损坏。
一种管道液体冷却温度控制法兰装置

[发明专利]一种用于半导体外延系统的基座-CN201110276973.4有效
发明人：李燮;陆羽;刘鹏;袁志鹏;赵红军;张俊业;张国义;孙永健 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-09-19 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体外延系统的基座，机械传动方式实现基座的公转、气动旋转方式实现衬底的自转，并结合机械手实现基座整体的升降。本发明包含有大盘、小盘，大盘内部设有辐射状的内部气路通道，大盘的内部气路通道连通小盘，支撑杆内的内部气道连通大盘内部辐射状的内部气路通道，支撑杆中部设有金属法兰，金属法兰的中心设有磁流体组件，撑杆延伸出金属法兰的部分固定有一从动轮，从动轮一侧等高的位置设有主动轮，靠近支撑杆尾端的位置设有轴承组件，支撑杆的尾端设有进气组件，进气组件由轴承组件、B套管和气体入口组成。本发明的设计可以节约反应的原料、提高薄膜的均匀性；基座结构简单、可靠。
一种用于半导体外延系统基座

[发明专利]采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法-CN201110281763.4无效
发明人：贾传宇;殷淑仪;杨绍林;高宗伟;陆羽;孙永建;张国义 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-09-21 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用金属有机化合物气相外延技术生长高抗静电能力发光二极管的方法，减小其耗尽层厚度，增加其内建电容。本发明首先在金属有机化合物气相外延反应室中将蓝宝石Al2O3衬底在氢气气氛下处理5分钟，然后在氢气气氛下，三维生长GaN缓冲层，再生长n-GaN层；在氮气气氛下生长高电子浓度的n型插入层，接着生长多个周期多量子阱有源区；在有源区上，在氮气气氛下，生长高空穴浓度的p型插入层；在氢气氛下生长p-GaN层。本发明具有工艺流程相对简单，可重复性好，附加成本低，采用本发明中技术生长制作的LED芯片显示优异的光电性质，可靠性和稳定性大副度提高。
采用金属有机化合物外延技术生长抗静电能力发光二极管方法

[发明专利]一种高反应率反应室-CN201110142250.5无效
发明人：赵红军;刘鹏;李燮;陆羽;毕绿燕;孙永健;张国义 -专利权人： 东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高反应率反应室，包括室体，室体具有顶壁、底壁及连接顶壁与底壁的两侧壁，顶壁内侧面上设有复数上挡板，底壁内侧面上设有复数下挡板，上挡板与下挡板向内的顶端上下相互交叉，上挡板与下挡板之间平行的间隔排布，室体上连接有输入管道及输出管道。本发明通过在室体内设置若干挡板，使气体多次接触金属源表面，发生多次反应，从而提高了反应效率。
一种反应

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