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[实用新型]上电极组件及等离子体刻蚀设备-CN202222314678.X有效
发明人：徐雷;张跃锋 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种上电极组件及等离子体刻蚀设备，上电极组件包括：上电极，安装于等离子体工艺腔内；隔离组件，可拆卸地设于等离子体工艺腔内，且包括保护环和隔离环；隔离环的内周壁界定出围绕于上电极的限位通道，以及围绕于限位通道的定位部；保护环具有与定位部相适配的定位槽；定位槽被配置为能够使隔离环相对于上电极沿限位通道的径向方向移动，以使隔离环与上电极之间具有沿限位通道的径向方向的间隔。上述上电极组件，通过调节隔离环的定位部在定位槽内沿限位通道的径向方向的位置，能够使上电极和隔离环在限位通道的径向方向上间隔设置，从而避免上电极接触到隔离环而导致上电极在等离子体刻蚀机工作时由于热应力分布不均匀产生裂纹。
电极组件等离子体刻蚀设备

[实用新型]带有报警装置的冷却系统及半导体设备-CN202222466634.9有效
发明人：侯民杰;孟宪宇 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有报警装置的冷却系统及半导体设备。带有报警装置的冷却系统包括：冷却风扇；微压开关，所述微压开关上设有压力采集装置，所述压力采集装置的进口朝向所述冷却风扇的进风面；报警装置，与所述微压开关电连接。上述实施例提供的带有报警装置的冷却系统中，通过同时设置冷却风扇、微压开关及报警装置，可以实时监测冷却风扇的运转情况，在冷却风扇停转或老化时，能够及时发出报警，从而避免由于冷却风扇故障对设备和产品造成的损失。
带有报警装置冷却系统半导体设备

[实用新型]晶圆缺口的定位设备-CN202223200398.2有效
发明人：邱珂;拉海忠;闫晓晖 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆缺口的定位设备，所述晶圆缺口的定位设备包括：基座，用于放置待定位晶圆；塔架，所述塔架放置于基座上方；多个探测单元，所述探测单元排布于所述塔架朝向基座一侧的表面上，用于对晶圆缺口进行探测。塔架设计为环形或者多边形结构以覆盖晶圆，并在塔架下方均匀布设多个探测单元，当晶圆放置在十字轴上时，可快速对缺口进行定位，减少旋转带来的耗时与晶圆的磨损，提升了设备的单位产出和利用率。
缺口定位设备

[实用新型]一种HDP CVD设备及其顶部喷嘴-CN202222091627.5有效
发明人：李刚 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请提供一种HDP CVD设备及其顶部喷嘴，应用于半导体制造工艺及设备技术领域，其中顶部喷嘴包括设置于喷嘴中部位置的4个中心喷气孔和设置于喷嘴边缘处的偶数个倾斜喷气孔，其中偶数个倾斜喷气孔以喷嘴中部位置为对称中心且以距离该对称中心为预设距离而在远离对称中心方向上对称分布于喷嘴上，且倾斜喷气孔朝向顶室的方向与喷嘴中心轴之间的夹角为锐角。通过在保留中心喷气孔上再增设多个倾斜孔共同作为顶部喷嘴的喷气孔，可以向顶室的气体更均匀地到达晶圆表面，成膜更均匀，也有利于减小晶圆厚度和提高图形平坦度，以及节省工艺步骤，生产效率高，晶圆质量高，设备成本低，实现了降本增质目标。
一种 hdp cvd 设备及其顶部喷嘴

[实用新型]研磨液输送装置及研磨设备-CN202223269409.2有效
发明人：李恒;同小刚;闫晓晖 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨液输送装置及研磨设备。所述研磨液输送装置包括研磨液输送臂以及位于所述研磨液输送臂的端部的喷嘴，所述喷嘴用于将液体喷出至研磨台；所述装置还包括：挡板，所述挡板连接至所述研磨液输送臂的端部，并自所述研磨液输送臂的端部向所述喷嘴方向延伸且与所述喷嘴有一间距，以阻挡所述研磨台反溅的液体。上述技术方案，通过在喷嘴延伸方向设置一挡板，并与所述喷嘴形成一夹角，以阻挡所述研磨台反溅的液体，避免反溅的液体冲击晶圆表面破坏水膜，提高晶圆研磨良品率。
研磨输送装置设备

[实用新型]研磨液输送装置及研磨设备-CN202223269437.4有效
发明人：张贝贝;同小刚;闫晓晖 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种研磨液输送装置及研磨设备。所述研磨液输送装置包括多个研磨液输送管；所述装置还包括：固定环，用于固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点。上述技术方案，通过添加固定环，固定并分隔多个所述研磨液输送管，并使得相邻两所述研磨液输送管的出口在第一方向上存在间距，从而固定所述研磨液输送管所输送的研磨液的落点，以提高晶圆抛光质量。
研磨输送装置设备

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202211565474.1在审
发明人：廖黎明;仇峰;胡林辉;张蔷;王帅 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括衬底、第一导电类型的第一阱区、第二导电类型的第一阱区、第一导电类型的深阱区、第一导电类型的第二阱区、栅极结构、阴极以及阳极。其中，第一导电类型的第一阱区为轻掺杂区。第二导电类型的第一阱区至少位于第一导电类型的第一阱区内。第一导电类型的深阱区位于第一导电类型的第一阱区内，且延伸至第一导电类型的第一阱区下方。第一导电类型的第二阱区位于第一导电类型的深阱区内。栅极结构位于衬底的上表面。上述半导体结构可以调节肖特基二极管的开启电压，并且提高其耐压能力。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件-CN202211516812.2在审
发明人：石强;沈显青 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种钝化层刻蚀工艺及采用该工艺制成的功率半导体器件。其中的刻蚀工艺用于最高金属层连接的钝化层刻蚀，钝化层为层叠的多层结构，钝化层中最靠近最高金属层的材料依次是氮化钛层和氧化硅层，通过改进刻蚀工艺，使用第一刻蚀终点检测系统检测刻蚀深度，当刻蚀氧化硅层至第一预设深度时，提前切换氧化硅层刻蚀工艺为氮化钛层刻蚀工艺，起到降低碳氟聚合物在最高金属层中的注入量和注入深度的作用，进而消除或减少氟离子在最高金属层表面的析出现象，有利于减少后续的清洗操作或清洗返工，提升最高金属层表面的清洁度和美观度，保证后续打线黏合强度，延长芯片自工艺完成到封装测试的储存时间，保障制成器件的产品质量。
钝化刻蚀工艺采用制成功率半导体器件

[发明专利]一种半导体测试结构及角度量测方法-CN202211526409.8在审
发明人：曾繁中;宋永梁;刘倩倩 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体测试结构及角度量测方法。本发明半导体测试结构通过将两种关键尺寸的待测试单元搭配在一起，两种关键尺寸的待测试单元具有相同的高度尺寸和底角角度；通过将两种关键尺寸的待测试单元的一端电连接至同一测试垫，另一端电连接至不同的测试垫，分别施加测试电压以获得相应的电阻量测结果，在不报废晶圆的基础上获取相应的底角角度，实现对相应待测试单元刻蚀后剖面图形形貌的监控，可以准确监控工艺，减少晶圆浪费。且由于不需要报废晶圆，可以实现全区域测量。
一种半导体测试结构角度方法

[发明专利]掩模装置及其制造方法-CN202211450671.9在审
发明人：李晋湘;季明华 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本公开涉及掩模装置及其制造方法。提供了一种掩模装置，包括：基板，所述基板具有第一表面，所述基板中至少具有一个或多个第一区域和一个或多个第二区域，所述第一区域和所述第二区域分别邻近所述第一表面，其中：所述第一区域被配置为透射入射进入所述第一区域的光，所述第二区域被配置为使得入射进入所述第二区域的光被至少部分吸收和/或发生相移，所述第一区域由基板材料形成；所述第二区域各自包含驱动进入基板材料中的第一元素。
装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202211534892.4在审
发明人：李厚;曹荣;徐雪明 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括衬底、第一二氧化硅层、多晶硅层和第二二氧化硅层。第一二氧化硅层和多晶硅层形成超级背封结构。由于衬底经过化学机械研磨工艺后，其背面倒角和边缘侧面处的第一二氧化硅层和多晶硅层被去除，因此，本申请将第二二氧化硅层设于多晶硅层的下表层以及衬底的背面倒角和边缘侧面，即在超级背封结构的基础上再新增一层二氧化硅，实现了对于衬底背面的下表层、背面倒角以及边缘侧面的完全包裹。基于第一二氧化硅层、多晶硅层和第二二氧化硅层的三层背封结构，衬底在外延工艺过程中能被有效地隔绝，从而避免衬底中的掺杂物渗出，降低了出现边缘自掺杂现象的可能性，提高了产品良率。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]平坦度控制方法、装置、设备及介质-CN202211474828.1在审
发明人：杨志远;徐乃康 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种平坦度控制方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取所述目标晶圆的当前表面的厚度均一性参数及相对研磨量，所述相对研磨量为所述目标晶圆的当前厚度值与目标厚度值的差值；根据所述厚度均一性参数、所述相对研磨量及目标修正模型，计算所述目标晶圆的绝对研磨量，所述目标修正模型包括所述绝对研磨量与所述厚度均一性参数及所述相对研磨量的关联关系；根据所述绝对研磨量控制所述机台执行所述预设化学机械研磨工艺。上述平坦度控制方法不仅节省了CMP的工艺时间，并避免了目标晶圆报废的情况发生，节省了材料损耗，还提高了新产品下线到CMP工艺中进行研磨的效率。
平坦控制方法装置设备介质

[发明专利]接触孔的制作方法以及接触孔结构-CN202211578805.5在审
发明人：孟晋辉;丁甲;张继伟 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔的制作方法以及接触孔结构。所述方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括存储单元和和覆盖所述存储单元的绝缘层，所述存储单元包括第一电极板和第二电极板，所述第二电极板远离所述第一电极板的一侧连通有初始通孔；在所述绝缘层形成沟槽，所述沟槽的底部与所述第一电极板接触；通过湿法刻蚀进一步在所述第一电极板内与所述初始通孔相对应的位置形成接触孔。本发明采用两步刻蚀的方法，既增加了接触孔和第一电极板的接触面积，又保护了中间材料层不受损耗，解决了因为刻蚀负载效应造成的第一电极板和第二电极板短路的问题。
接触制作方法以及结构

[实用新型]静电吸盘拆卸治具及静电吸盘-CN202222773164.0有效
发明人：苗华林;沈一鸣;沈显青;庄望超 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种静电吸盘拆卸治具及静电吸盘，涉及拆卸治具的领域，其包括第一支架和第二支架；第一支架用于固定连接基座；第二支架用于固定连接静电吸盘；第一支架和第二支架之间设置有驱动组件以及若干导柱；第一支架和第二支架之间通过若干导柱实现滑移连接；驱动组件用于驱动第二支架相对第一支架滑移，以带动静电吸盘从基座上分离。通过若干导柱的导向以及驱动组件的驱动，使得第二支架相对第一支架平稳的滑移，第二支架滑移时对静电吸盘均匀的施加提拉力，使得静电吸盘和基座之间能够顺利分离，有效的减少了静电吸盘的磕碰情况，同时能够有效的减少静电吸盘出现单侧翘起的情况，进而降低静电吸盘上O型圈脱落的可能。
静电吸盘拆卸

[发明专利]半导体结构的制备方法以及半导体结构-CN202211411651.0在审
发明人：乔慧;张继伟;黄永彬 -专利权人： 上海积塔半导体有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体结构的制备方法以及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内设有浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构的顶部侧边缘与衬底之间形成有边槽；于衬底的上表面形成牺牲层；于牺牲层的上表面、浅沟槽隔离结构的上表面以及边槽中形成填充介质层；去除位于牺牲层上表面和位于浅沟槽隔离结构上表面的填充介质层以及部分的浅沟槽隔离结构，保留边槽中的填充介质层。采用本申请的半导体结构的制备方法能够提高半导体结构的可靠性。
半导体结构制备方法以及