专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]垫材存放结构及设备维护推车-CN202321168986.4有效
  • 杨俊男;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-10-20 - B65D25/10
  • 本实用新型提供了一种垫材存放结构。所述垫材存放结构包括:设置在同一平面内的对置的固定架,用于从侧面固定垫材;第一垫架,所述第一垫架设置于所述固定架下方,所述第一垫架用于从底部支撑垫材;第二垫架,所述第二垫架可移动地设置于所述第一垫架与所述固定架之间,所述第二垫架用于从底部支撑折叠后的垫材。以上技术方案,设置第一垫架在固定架下方从而实现在底部支撑垫材,第二垫架可移动地设置于所述第一垫架与所述固定架之间,从而实现在底部支撑折叠后的垫材。对垫材进行竖直存放,并且设置了可支撑折叠存放垫材的第二垫架,可以对垫材进行合理收纳,从而实现节约空间的目的。
  • 存放结构设备维护推车
  • [实用新型]液体喷管及研磨机台修整器-CN202321320585.6有效
  • 顾浩;杨俊男;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-10-20 - B24B57/02
  • 本实用新型提供一种液体喷管及研磨机台修整器。液体喷管包括:管体,所述管体具有相对设置的第一侧壁与第二侧壁,所述第一侧壁向外延伸形成第一延伸部;多个喷孔,沿所述管体的轴向排列,并位于所述第一延伸部与所述第二侧壁的交界处;至少一第一凹槽,形成于所述第一延伸部,所述第一凹槽的开口朝向所述管体。上述技术方案,通过设计带有第一凹槽的管体,使液体中的颗粒物能够下落并停留在第一凹槽处,减少颗粒物在喷孔处的堆积,避免喷孔堵塞。
  • 液体喷管研磨机台修整
  • [实用新型]一种射频匹配器-CN202320417493.3有效
  • 蒋文军;严翔;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-03-06 - 2023-09-22 - H03H7/38
  • 本实用新型公开了一种射频匹配器,包括括射频匹配器主体、电容和电感、其中,电容设置于射频匹配器主体内,并与射频匹配器主体连接;电感纵向设置于射频匹配器主体内,且电感通过连接片与电容连接,连接片用于增加电感和电容在输出端的间距。本实用新型解决现有的射频匹配器在长时间大功率运行的情况下,射频匹配器内部的温度升高使功率大于空气耐压发生爬弧放电,将绝缘烧毁的问题,从而减少了射频匹配器在长时间较高的高功率下的打火现象。
  • 一种射频配器
  • [实用新型]晶圆测速装置-CN202321281950.7有效
  • 顾浩;杨俊男;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-09-08 - G01P1/00
  • 本实用新型提供了一种晶圆测速装置。所述晶圆测速装置包括:腔室,所述腔室用于放置待测晶圆;一对驱动轮,所述一对驱动轮设置于所述腔室内并对置于所述待测晶圆的两侧,用于驱动所述待测晶圆旋转;测速轮,所述测速轮设置于所述腔室内并与所述待测晶圆相接触,用于对所述待测晶圆进行测速;可伸缩部件,所述可伸缩部件固定于所述腔室内并与所述测速轮固定连接,用于使所述测速轮与所述待测晶圆保持接触。上述技术方案通过设置与测速轮固定连接的可伸缩部件,可以使测速轮与待测晶圆保持接触,从而主动去匹配与驱动轮之间的相对位置,实现测速轮位置的自适应调节。
  • 测速装置
  • [发明专利]磁控溅射装置及磁控溅射的方法-CN202310639001.X在审
  • 秦杰;严翔;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-08-22 - C23C14/35
  • 本申请提供一种磁控溅射装置及磁控溅射的方法,其中磁控溅射装置包括:直流电源,控制器电性连接直流电源;多个电磁控模块,电性连接直流电源、控制器,各电磁控模块设有线圈,用以形成磁场;其中,控制器控制多个电磁控模块中的线圈的电流,以形成所需形状的磁场。本说明书实施例的磁控溅射装置替代了传统工艺中采用不同形状永久磁铁来形成所需形状磁场,通过控制接通直流电对应线圈的位置,从而可形成所需形状的不同磁场。相比现有技术减少了工艺过程永久磁铁这一备件的库存率,还减少了工艺工程中更换永久磁铁的繁琐操作,进而提升磁控溅射工艺过程的可靠性和高效性。
  • 磁控溅射装置方法
  • [实用新型]气路结构及气路控制系统-CN202320443719.7有效
  • 顾浩;杨俊男;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-08-08 - B24B37/34
  • 本实用新型提供一种气路结构以及气路控制系统。气路结构包括:气源;第一真空发生器通过第一管路连接至气源;第二真空发生器通过第二管路连接至第一管路;吸附装置设置于第一、第二真空发生器远离气源的一端;第一、第二真空发生器与气源之间均设置有气压调节阀,以独立控制气流量进而稳定吸附装置的真空状态;第三真空发生器通过第三、四管路连接至气源,且第三管路上设置有常开阀,第四管路上设置有常闭阀和节流阀;第四真空发生器,通过第五、第六管路连接至气源,且第五管路上设置有常开阀,第六管路上设置有常闭阀和节流阀。上述技术方案使每一管路能够独立地控制气流量,进而稳定吸附装置的真空状态,避免真空波动造成的影响。
  • 结构控制系统
  • [发明专利]基于低铂燃料电池的降低氧局域传质的热诱导处理方法-CN202310252927.3在审
  • 沈水云;梁裕炜;章俊良;闫晓晖 - 上海交通大学
  • 2023-03-14 - 2023-07-21 - H01M8/1004
  • 本发明公开了一种基于低铂燃料电池的降低氧局域传质的热诱导处理方法,将膜电极置于膜电极热诱导处理夹具中,并将两者放入真空干燥烘箱中进行高于Nafion玻璃化温度的140‑150℃热诱导处理;所述膜电极热诱导处理夹具包括:于膜电极两侧的相对设置的第一高温布层,第一高温布层和第二高温布层用于夹持膜电极,且与膜电极同向设置;所述第一高温布层和膜电极对应的一侧开设有容纳第一催化层的第一中空区域;所述第二高温布层和膜电极对应的一侧开设有容纳第二催化层的第二中空区域;所述第一高温布层在远离膜电极的一侧设置有第三高温布层;所述第二高温布层在远离膜电极的一侧设置有第四高温布层。
  • 基于燃料电池降低局域传质诱导处理方法
  • [发明专利]一种空冷型氢燃料电池金属双极板-CN202310391727.6在审
  • 章俊良;蔡熙阳;殷洁炜;闫晓晖 - 上海交通大学
  • 2023-04-13 - 2023-06-23 - H01M8/0206
  • 本发明涉及一种空冷型氢燃料电池金属双极板,该双极板由阴极侧单极板和阳极侧单极板焊接而成,阳极单极板正面对称设置有燃料气体通道和阳极流场区,在燃料气体通道和阳极流场区外围设有闭合环状密封槽;所述的阴极单极板正面对称设置有燃料气体通道和阴极流场区,阴极流场区直接与外界相通,空气既作为氧化剂,又作为冷却剂,阴极流场区同时也是冷却剂流场,实现了“一场两用”。与现有技术相比,本发明在有效解决了空冷型金属双极板电堆的密封问题的同时降低双极板40%的重量,且零件加工步骤简单,生产效率高,易于批量生产,极具应用前景。
  • 一种空冷型氢燃料电池金属极板
  • [实用新型]气液分离装置及化学抛光装置-CN202223181553.0有效
  • 杨俊男;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-06-23 - B01D45/02
  • 本实用新型涉及一种气液分离装置及化学抛光装置,气液分离装置包括:输入管道,输入管道的输入口连通容纳腔;排气管道,排气管道的输入口连通输入管道的输出口;及缓冲管道,缓冲管道的输入口连通输入管道的输出口;其中,缓冲管道靠近输入管道的一侧设有第一拐角,缓冲管道远离输入管道的一侧设有第二拐角;在第一方向上,第一拐角位于第二拐角的下游;第一方向为重力方向。上述气液分离装置,通过设置缓冲管道,且缓冲管道的输入口连通输入管的输出口,缓冲管道能够为待分离气液中的液体提供一个较大的缓冲空间,以避免在液体流量较大时,液体出现反流而倒流进输入管道,同时也能够避免液体流向排气管道内,防止液体封堵排气管道。
  • 分离装置化学抛光
  • [实用新型]升降调节装置及微粒检测设备-CN202223221791.X有效
  • 段珏江;拉海忠;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-12-02 - 2023-06-23 - G01N21/01
  • 本实用新型涉及一种升降调节装置及微粒检测设备,升降调节装置包括:调节筒体,具有一回转轴线,调节筒体绕回转轴线可转动地设于设备本体上,调节筒体的内壁上设有内螺纹;调节杆,调节杆的外壁上设有能够与内螺纹相配合的外螺纹,调节杆的一端伸入调节筒体内,另一端用于连接光束定位板;第一限位单元,安装于设备本体上,第一限位单元用于限制调节筒体沿第一方向移动。上述升降调节装置,通过设置相配合的调节筒体和调节杆,以使调节筒体在响应外力的作用下转动时能够驱动调节杆第一方向移动,从而使调节杆带动光束定位板沿第一方向移动,操作简单,能够大大缩短调节时间;通过按需设置调节筒体和调节杆的螺距,能够提高调节的精度。
  • 升降调节装置微粒检测设备
  • [实用新型]研磨机台修整器及研磨设备-CN202320138507.8有效
  • 周祥;同小刚;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-06-09 - B24B37/34
  • 本实用新型提供一种研磨机台修整器及研磨设备。所述种研磨机台修整器包括:悬臂,所述悬臂的一端设置有清洗保湿工作位;保湿喷管,悬置于所述悬臂上方,用于喷洒保湿液至所述悬臂以在所述清洗保湿工作位进行清洗保湿;防溅装置,位于所述悬臂下方,所述防溅装置具有自所述悬臂向远离所述悬臂方向延伸的本体以及自所述本体向靠近所述保湿喷管方向延伸的扩展部,所述本体的宽度大于第一预设阈值,所述扩展部向所述悬臂方向弯曲以收集飞溅的保湿液。上述技术方案,通过增加防溅装置,收集飞溅的保湿液,避免保湿液落到研磨台上影响晶圆研磨质量。
  • 研磨机台修整设备
  • [发明专利]晶圆研磨传送方法、系统及存储介质-CN202211556694.8在审
  • 杨俊男;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-03-31 - B24B37/34
  • 本申请提供一种晶圆研磨传送方法、系统及存储介质,其中,晶圆传送机构用于将每个待处理晶圆进行一次传送,并传送至传输单元的上下头位置;传输单元接收晶圆传动机构传送的待处理晶圆,并将研磨设备中的研磨头传输至拿取位置;研磨设备用于接收研磨头拿取的待处理晶圆,对待处理晶圆进行研磨。本说明书实施例的晶圆研磨传送过程保证晶圆的上下头位置只有一个,从而机械手仅做一次晶圆的拿取与放下,在晶圆研磨头交接时可将晶圆直接从一研磨设备转移至另一研磨设备,减少晶圆往复放置或搁置的次数节约耗时,如每片晶圆研磨头交接时节省大于20秒的时间,从而大大提高研磨效率,提升晶圆研磨产能。
  • 研磨传送方法系统存储介质
  • [发明专利]研磨制品面内平整度的改善方法、装置、设备、介质-CN202211444434.1在审
  • 同小刚;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2022-11-18 - 2023-03-17 - B24B37/005
  • 本申请提供一种研磨制品面内平整度的改善方法、装置、设备、介质,应用于研磨技术领域,其中,研磨制品面内平整度的改善方法,包括:根据获取的研磨耗材的使用寿命与研磨制品面内平整度之间的关系,得到初始面内控制列表;根据研磨耗材的厚度前值,对初始面内控制列表中的压力值进行补偿,得到修正面内控制列表;根据修正面内控制列表进行研磨。根据研磨耗材的使用寿命与所述研磨制品面内平整度之间的关系,得到初始面内控制列表,并根据研磨耗材的研磨前的厚度前值对初始面内控制列表中的压力进行修正,可以实现对于初始面内控制列表中的压力的自动补偿,提高压力的精准性,从而改善研磨制品的面内平整度。
  • 研磨制品平整改善方法装置设备介质

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