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[实用新型]片式无源声表面滤波器工作平台-CN201220405700.5有效
发明人：刘杭州 -专利权人：爱普科斯科技（无锡）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种片式无源声表面滤波器工作平台，不再需要传统夹具对产品进行固定定位，能够满足不同尺寸的产品的固定要求，节省时间及维护成本，并能够保证焊线品质。其包括工作平台、载片，所述工作平台连接焊线机的控制系统，所述控制系统包括夹具信号接口、真空接口、送线故障信号接口，在所述工作平台的上分别设置有左载片搬送槽和右载片搬送槽，所述载片本体包括有两排对应的产品槽，其特征在于：在所述工作平台的上表面还设置有两道槽口，在所述工作平台本体内设置有一道盲孔道，分别与所述两道槽口连通，所述盲孔道开口端接入真空气管，所述真空气管连接电磁阀，所述电磁阀连接所述控制系统，所述电磁阀还连接所述夹具信号接口。
无源表面滤波器工作平台

[发明专利]四乙醇乙二胺掺杂研磨的多壁碳纳米管敏感膜的制作方法-CN201110197727.X无效
发明人：李冬梅;汪幸;刘明;周文;侯成诚;闫学锋;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作四乙醇乙二胺掺杂研磨的多壁碳纳米管敏感膜的方法，用于检测SO2气体，该方法包括：将研磨的多壁碳纳米管加入四乙醇乙二胺中，制成多壁碳纳米管与四乙醇乙二胺的混合溶液；对该多壁碳纳米管与四乙醇乙二胺的混合溶液进行超声振荡；在双延迟线型振荡器的一条延迟线的敏感区域滴涂该混合溶液；真空干燥，形成四乙醇乙二胺掺杂研磨的多壁碳纳米管敏感膜。本发明提供的采用滴涂法制作四乙醇乙二胺掺杂研磨的多壁碳纳米管敏感膜的方法，通过将研磨的MWCNTs加入C10H24N2O4中制作聚合敏感膜，与纯的C10H24N2O4传感器相比，C10H24N2O4/MWCNTs传感器灵敏度、稳定性和检测质量都有很大的提高。
乙醇乙二胺掺杂研磨多壁碳纳米敏感制作方法

[发明专利]一种制作声表面波传感器二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜的方法-CN201110155259.X无效
发明人：李冬梅;汪幸;刘明;周文;侯成诚;闫学锋;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作声表面波传感器二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜的方法，该方法是由TiO2掺杂CuPc作为敏感材料，通过混合和压制形成TiO2与CuPc混合材料，电子束蒸发该TiO2与CuPc混合材料，并剥离光刻胶形成二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜。本发明通过将TiO2加入CuPc中制作聚合敏感膜，使得常温下使用酞菁材料去检测NO2气体变为可能，而且具有该二氧化钛掺杂酞菁铜敏感膜的传感器与单纯CuPc敏感膜的传感器相比，检测低浓度NO2气体时在选择性、灵敏度和检测质量均有大幅的提高。
一种制作表面波传感器氧化掺杂酞菁铜敏感方法

[发明专利]一种注塑产品表面屏蔽层-CN201210291408.X无效
发明人：潘益军 -专利权人：爱普科斯科技（无锡）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种注塑产品表面屏蔽层，能够保证最终产品的厚度满足市场的需求。其包括注塑产品基层，在所述注塑产品基层表面包裹有屏蔽层，其特征在于：所述屏蔽层为电镀层，所述电镀层的厚度为4um。
一种注塑产品表面屏蔽

[发明专利]一种声表面波元件的制备方法-CN201210184716.2无效
发明人：林波 -专利权人：台州欧文电子科技有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种声表面波元件的制备方法，属于声表面波技术领域。它解决了现有的声表面波制备方法良率不高的问题。本发明声表面波元件的制备方法，其包括步骤：S1：真空磁控溅射镀膜；真空磁控溅射镀膜时，真空度控制在1.2X10-7至2x10-7乇，加热温度最高为400℃，溅射速度为1.2um/min；S2：均匀涂感光胶；S3：光刻。本发明通过采用特殊工艺制备声表面元件，通过控制生产精度和生产环境使得声表面波元件的良品率在大规模生产时能达到95％以上，节约材料且便于大规模化推广和应用。
一种表面波元件制备方法

[实用新型]填充工序中的一种夹具-CN201120501113.1有效
发明人：潘益军 -专利权人：爱普科斯科技（无锡）有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了填充工序中的一种夹具，能够避免在用记号笔点去底部填充的不良品时碰到其他产品上的焊线，不会导致塌线现象发生。其特征在于：夹具本体包括观察板，所述观察板设置在所述夹具本体的上端面，在所述观察板的边缘设置刻度标记，在所述观察板的下方、所述夹具本体的下端面设置网板，在所述网板的边缘设置刻度标记，所述观察板与所述网板之间构成空腔，所述观察板与所述网板的两侧分别由固定块连接在一起，在所述固定块的内端面对称开有槽口。
填充工序中的一种夹具

[实用新型]用于层压板表面图贴装和回流焊的载具-CN201120501138.1有效
发明人：唐杰 -专利权人：爱普科斯科技（无锡）有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于层压板表面图贴装和回流焊的载具，以提高层压板的强度，使其能够满足层压板表面图贴装和回流焊的工艺要求。其包括层压板，其特征在于：在所述层压板下铺设载具，所述层压板与所述载具固定在一起，所述载具的厚度为1mm，所述载具的材料选用90Mn不锈钢。
用于层压板表面图贴装回流

[发明专利]一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜及其制备方法-CN201210062507.0无效
发明人：陈希明;张倩;阴聚乾;朱宇清;李福龙;郭燕;孙连婕 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2012-03-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种用于声表面波器件的氧化锌压电薄膜，为在单晶硅基片衬底上制备的氧化锌/铝/类金刚石复合膜结构，其制备方法是：将表面清洗干净的单晶硅基片放入脉冲激光系统的真空生长腔中，以石墨、铝为靶材，沉积类金刚石/铝薄膜；然后以氧化锌为靶材，采用射频磁控溅射工艺，在Al膜表面沉积氧化锌薄膜。本发明的优点是：制备工艺简单易行，成本低廉；所制备的类金刚石薄膜表面光滑平整，可大大降低声波在传输过程中的损耗，沉积的Al薄膜大大提高了氧化锌薄膜的机电耦合系数，氧化锌薄膜结晶度高，c-轴取向高，该ZnO/Al/DLC复合薄膜结构可用于制作高性能，高频和大功率器件。
一种用于表面波器件氧化锌压电薄膜及其制备方法

[发明专利]基于AlN双晶向压电薄膜的声表面波器件及其制作方法-CN201210064272.9无效
发明人：陈希明;阴聚乾 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种基于AlN压电薄膜的新型高频声表面波器件，由纳米金刚石衬底、a轴择优取向的AlN薄膜、c轴择优取向的AlN薄膜和叉指换能器（IDT）依次叠加构成，形成IDT/c-AlN/a-AlN/金刚石多层膜结构；其制备方法是：1）采用微波等离子体化学气相淀积（MPCVD）方法制备纳米金刚石衬底；2）采用射频溅射法制备AlN压电薄膜；3）采用电子束蒸发法制备叉指换能器IDT。本发明的优点是：该高频声表面波器件频率高、机电耦合系数高，能满足高频率和大功率移动通信的要求；该制备方法所用设备简单、工艺条件方便易行，有利于大规模的推广应用，具有重大的生产实践意义。
基于 aln 双晶压电薄膜表面波器件及其制作方法

[发明专利]一种填充工序中的夹具-CN201110399679.2无效
发明人：潘益军 -专利权人：爱普科斯科技（无锡）有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种填充工序中的夹具，能够避免在用记号笔点去底部填充的不良品时碰到其他产品上的焊线，不会导致塌线现象发生。其特征在于：夹具本体包括观察板，所述观察板设置在所述夹具本体的上端面，在所述观察板的边缘设置刻度标记，在所述观察板的下方、所述夹具本体的下端面设置网板，在所述网板的边缘设置刻度标记，所述观察板与所述网板之间构成空腔，所述观察板与所述网板的两侧分别由固定块连接在一起，在所述固定块的内端面对称开有槽口。
一种填充工序中的夹具

[发明专利]一种用于层压板表面图贴装和回流焊的载具-CN201110399668.4无效
发明人：唐杰 -专利权人：爱普科斯科技（无锡)有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于层压板表面图贴装和回流焊的载具，以提高层压板的强度，使其能够满足层压板表面图贴装和回流焊的工艺要求。其包括层压板，其特征在于：在所述层压板下铺设载具，所述层压板与所述载具固定在一起，所述载具的厚度为1mm，所述载具的材料选用90Mn不锈钢。
一种用于层压板表面图贴装回流

[发明专利]一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件及制备方法-CN201110331314.6无效
发明人：陈希明;郭燕;薛玉明;孙连婕;阴聚乾;张倩 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2011-10-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种AlN薄膜为中间层的高频声表面波器件，以a-轴择优取向的AlN薄膜作为CVD金刚石衬底和c-轴择优取向ZnO薄膜之间的中间层，形成IDT/ZnO/a-轴择优取向AlN/金刚石多层膜结构并与叉指换能器IDT依次叠加构成高频声表面波器件；其制备方法是在纳米金刚石上制备以a-轴择优取向的AlN膜中间层，再在a-轴择优取向的AlN膜中间层上制备c-轴择优取向的ZnO膜。本发明的优点：通过引入a轴择优取向的AlN膜中间层，解决纳米金刚石与ZnO之间由于声速差距大而引起的声速频散，可满足高频（4.8GHz）以上声表面波的应用需求，且工艺简单、易于实施，有利于大规模的推广应用。
一种 aln 薄膜中间层高频表面波器件制备方法

[发明专利]用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法-CN200910077517.X无效
发明人：李晶晶;赵以贵;朱效立;李东梅;贾锐;谢常青 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-01-21 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于气体检测的亚微米尺寸声表面波延迟线的制作方法，该方法利用电子束直写光刻技术制备出具有亚微米尺寸声表面波延迟线图形作为X射线曝光掩模板，然后在压电基片上采用X射线曝光得到凹立的延迟线图形，通过电子束蒸发、剥离形成亚微米尺寸声表面波延迟线。利用本发明，极大地减小电极材料的背散射效应，避免了无法在不导电的衬底上电子束光刻得到高分辨率图形的问题，从而进一步提高声表面波气体检测器的性能。另外，利用这个母版可以反复多次进行X射线曝光，提高了制作效率，极大减小了制作成本。
用于气体检测微米尺寸表面波延迟线制作方法

[发明专利]复合压电基板的制造方法-CN200880021773.0无效
发明人：神藤始;芳井义治 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效利用压电体材料来形成均匀厚度的极薄压电膜的复合压电基板的制造方法。包括：a)准备压电体基板(2)和支撑基板(10)；b)从压电体基板(2)的表面(2a)注入离子，在压电体基板(2)内在距离表面(2a)规定深度的区域中形成缺陷层(4)；c)对形成了缺陷层(4)的压电体基板(2)的表面(2a)和支撑基板(10)的表面(10a)中的至少一个，去除附着在表面(2a、10a)中的杂质，使构成表面(2a、10a)的原子直接露出并活性化；d)在压电体基板(2)的表面(2a)上接合支撑基板(10)，形成基板接合体(40)；e)采用形成于压电体基板(2)内的缺陷层(4)来分离基板接合体(40)，从压电体基板(2)剥离压电体基板(2)的表面(2a)和缺陷层(4)之间的剥离层(3)，形成与支撑基板(10)相接合的复合压电基板(30)；f)对复合压电基板(30)的剥离层(3)的表面(3a)进行平滑化。
复合压电制造方法

[发明专利]一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法-CN200810222328.2有效
发明人：赵以贵;李晶晶;朱效立;牛洁斌;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法，该方法是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器的母版，再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面波器件。利用本发明，可以极大地减小电极材料的背散射效应，得到纳米尺度的叉指换能器电极，进一步提高声表面波器件的工作频率和性能。另外，还可以反复多次进行X射线曝光，提高了制作效率，极大减小了制作成本。
一种采用射线曝光制作表面波器件方法