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[发明专利]磁阻效应元件、使用其的磁存储单元及磁随机存取存储器-CN200980149349.9有效
发明人：早川纯;高桥宏昌 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-11-16 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供具有氧化镁钝化层的磁阻效应元件以及使用该磁阻效应元件的高速超低耗电非易失性存储器。通过在包括强磁性自由层、绝缘层、强磁性固定层的隧道磁阻效应(TMR)膜和保护层、取向控制层的侧壁具有MgO钝化层，抑制由350度以上的热处理引起的从隧道磁阻效应(TMR)元件的各层的元素扩散，实现具有稳定的高输出读出、低电流写入特性的磁存储单元、磁随机存取存储器。并且，在强磁性层中使用CoFeB、在绝缘层中使用MgO时，优选的是MgO钝化层为(001)取向。
磁阻效应元件使用存储单元随机存取存储器

[发明专利]一种巨磁阻抗薄膜材料及制备方法-CN201110176719.7无效
发明人：钟智勇;刘爽;张怀武;唐晓莉;苏桦;贾利军;白飞明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种巨磁阻抗薄膜材料及其制备方法，属于功能材料技术领域。巨磁阻抗薄膜材料由衬底基片表面彼此相间的NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层形成多层薄膜体系，其中NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)；掺Cr的NiFe合金薄膜层Ni、Fe之间的质量比为(80～81)∶(19～20)，且掺杂元素Cr的质量占Ni、Fe和Cr质量总和的1％～8％；NiFe合金薄膜层和掺Cr的NiFe合金薄膜层厚度不超过200纳米、且数量级相当，整体厚度达到微米量级。本发明的巨磁阻抗薄膜材料采用具有不同饱和磁化强度的磁性层间隔而成，相比磁性层与非磁性层形式的错层薄膜材料体系，其饱和磁化强度更大，从而可获得更大的巨磁阻抗效应，为制备巨磁阻抗微传感器提供了一种性能更为优异的材料选择。
一种磁阻薄膜材料制备方法

[发明专利]使用非磁性隔离物的模制磁性材料中的GMR传感器-CN201010568384.9有效
发明人：克劳斯·伊利安;阿道夫·科勒;马丁·皮特兹;乌韦·申德勒;霍斯特·托伊斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用非磁性隔离物的模制磁性材料中的GMR传感器，具体而言本发明涉及一种集成电路，包括：引线框架；和芯片，该芯片具有顶表面、底表面和多个周长边，并包括靠近顶表面设置的至少一个磁场传感器元件，其中底表面与引线框架键合。模制磁性材料封装芯片和引线框架的至少一部分，并提供基本上垂直于芯片的顶表面的磁场。非磁性材料至少沿着芯片的周长边设置在芯片和模制磁性材料之间，其中芯片的周长边与平行于芯片的顶表面的水平磁场分量相交。
使用磁性隔离磁性材料中的 gmr 传感器

[发明专利]磁阻元件及其制造方法、用于该制造方法的存储介质-CN200980132854.2无效
发明人：栗林正树;大卫·朱利安托·贾亚普拉维拉 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-08-12 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了与以往相比具有更高MR比的磁阻元件。所述磁阻元件具有结晶性第一强磁性材料层、隧道阻碍层、结晶性第二强磁性材料层，这三层均具有由柱状晶的集合体形成的多晶结构，隧道阻碍层由含B原子与Mg原子且B原子含量为30原子％以下的金属氧化物层构成。
磁阻元件及其制造方法用于存储介质

[发明专利]一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及其制备方法-CN201010500518.3无效
发明人：张石磊;滕蛟;于广华 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明设计内容为一种高灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及制备方法，涉及磁性薄膜材料。发明设计的薄膜材料结构为：绝缘层/Pt1/[Co/Pt2]n/绝缘层。此结构材料具有很强的霍尔信号，通过优化各层厚度并将其加工成磁场传感器元件后具有很高的磁场灵敏度。该发明的主要优点是设计的材料制备工艺简单，磁场感应范围大，磁场灵敏度提高明显，优化的磁场灵敏度高于现今报道的最高的金属霍尔传感器的灵敏度；并且电阻率低，响应频率宽；同时克服了以往材料体系中霍尔信号低，各向异性不易调整的缺点。因此，该材料可以用于制作高灵敏度霍尔传感器。
一种灵敏度金属霍尔传感器薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种复合分子材料及其薄膜结构-CN200910136061.X无效
发明人：纵坚平 -专利权人：纵坚平
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明描述了一种钙钛类ABO3结构中的反铁磁分子材料(AFM)与钙钛类ABO结构中的四方相铁电分子材料(FET)复合的电子功能材料(AFF)，其化学和物理主要特征如下：复合的AFF可形成Bafm-O-Bfet结构键接，B位置元素具有变价特性，当与FET的A位置上主价位不相同的原子Afet相近时，发生变价，Bafm和Afet主价之和依然相等；同理，A位置元素具有变价特性，当与FET的B位置上主价位不相同的原子Bfet相近时，发生变价，Aafm和Bfet主价之和依然相等；这种结构在常温下，可以表现出很大的磁电阻变化，一定的抗磁性，以及低的热损耗。
一种复合分子材料及其薄膜结构

[发明专利]用于霍尔元件的新型薄膜材料-CN201010123102.4无效
发明人：程雅慧;李鲁艳;罗晓光;刘晖 -专利权人：南开大学
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种薄膜材料及其制备方法，特别是一种可以应用于霍尔元件磁敏感活性层的Fe2.95Pt0.05O4薄膜材料及其制备方法。所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4磁敏感薄膜厚度在4～400纳米；所涉及的纳米晶Fe2.95Pt0.05O4薄膜与传统的半导体薄膜相比，具有电阻率低、工作温度范围宽、线性度好、体积小等优点，而且制备简单、成本低，因而在航空、航天、军事等领域具有广阔的应用前景。
用于霍尔元件新型薄膜材料

[发明专利]巨磁阻复合材料-CN200910105114.1有效
发明人：胡春华;刘长洪;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2009-01-16 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种巨磁阻复合材料，其包括：一高分子基体，及分散在所述高分子基体中的多个碳纳米管。其中，所述多个碳纳米管中，至少部分碳纳米管相互独立地分散在高分子基体当中。本发明提供的巨磁阻复合材料具有柔性且易于剪裁，有利于实际应用。
磁阻复合材料

[发明专利]Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法-CN200910095453.6无效
发明人：叶志镇;张利强;张银珠;吕建国;何海平;朱丽萍 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开的Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜，其Co的摩尔百分含量为2≤x≤10％，Ga的摩尔百分含量为1≤x≤3％。采用脉冲激光沉积法制备，以纯ZnO、Co₂O₃、Ga₂O₃粉末混合烧结的陶瓷片为靶材，将衬底清洗后放入脉冲激光沉积装置生长室中，生长室抽至本底真空小于8.0×10^-4Pa，在压强为2～15Pa的O₂气氛下生长，温度为350～700℃。本发明制备方法简单，n型掺杂载流子浓度可以达到5.0×10¹⁹～5.0×10²⁰cm^-3，并且同时具有室温铁磁性能。
co ga zno 基稀磁半导体薄膜及其制备方法

[发明专利]一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途-CN200710122198.0有效
发明人：王琰;韩秀峰;张晓光 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶NaCl势垒磁性隧道结，其包括的核心膜层中的隧道结势垒层为NaCl(001)单晶绝缘材料组成。该隧道结可以是单势垒的，也可以是双势垒的。本发明提供的单晶NaCl(001)磁性隧道结可以应用于新型自旋电子器件设计，例如可用于高灵敏度的磁敏、电敏、光敏和气敏传感器、磁性随机存取存储器(MRAM)存储单元、磁逻辑、或自旋晶体管等器件单元。本发明采用单晶NaCl(001)作为磁性隧道结的中间势垒层，在有效提高隧道结隧穿磁电阻比值的同时能够得到较小的结电阻，并且降低了器件应用上的功耗。同时单晶NaCl(001)势垒材料的制备工艺简单，成本更加低廉，同时还是资源丰富和环境友好的材料。
一种 nacl 磁性隧道及其用途

[发明专利]具有磁电效应的复合薄膜异质结及其制备方法-CN200810098905.1无效
发明人：赵世峰;万建国;刘俊明;韩民;王广厚 -专利权人：南京大学
申请日： 2008-05-09 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成，特征是：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe₂纳米薄膜，R为稀土元素；具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜；两种薄膜的复合方式是：稀土铁合金RFe₂纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe₂/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe₂/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法：将RFe₂团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面，形成RFe₂纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层，又是RFe₂纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效，具有较强的磁电效应。
具有磁电效应复合薄膜异质结及其制备方法

[发明专利]隧道磁阻效应膜和磁性装置-CN200710159763.0有效
发明人：高桥研;角田匡清;驹垣幸次郎 -专利权人：富士通株式会社;国立大学法人东北大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供隧道磁阻效应膜和磁性装置。所述隧道磁阻效应膜是高度实用的隧道磁阻效应膜，具有可工作的负MR比率的特性，可在室温下使用。所述隧道磁阻效应膜包括：隧道势垒层；和夹着所述隧道势垒层的磁性层。磁性层之一由FeN构成。
隧道磁阻效应磁性装置

[发明专利]2－2型铁电体－铁氧体多层复合磁电材料及其制备方法-CN200810070489.4无效
发明人：薛昊;熊兆贤;冯保林 -专利权人：厦门大学
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：2－2型铁电体－铁氧体多层复合磁电材料及其制备方法，涉及一种铁电体－铁氧体多层复合材料。由铁电体和铁氧体组成，铁电体与铁氧体材料通过层状交替排列方式进行复合，其中铁电体材料选择锆钛酸铅PbZr_0.52Ti_0.48O₃陶瓷，铁氧体选择铁酸钴CoFe₂O₄铁氧体陶瓷。在PZT粉末中加入有机溶剂、增塑剂、分散剂和粘结剂球磨混合得浆料；将浆料过筛脱泡，流延成型得电解质薄膜生坯，脱膜切割；在CFO粉末中加入有机溶剂、增塑剂、分散剂和粘结剂球磨混合得浆料；将浆料过筛脱泡，流延成型得电解质薄膜生坯，脱膜切割；将PZT生坯和CFO生坯交替叠层，加热加压得多层复合生坯材料，焙烧，静压处理后烧结成型即得。
铁电体铁氧体多层复合磁电材料及其制备方法

[发明专利]一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料-CN200710177709.9无效
发明人：于广华;张辉;丁雷;王乐;滕蛟;王立锦 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-11-20 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于交换偏置型磁电阻传感器元件的多层膜材料，Ta/NiCo/Ta多层膜中插入FeMn层制得Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜材料，磁电阻传感器元件由Ta/NiCo/FeMn/Ta多层膜结构元件和Au电极层构成，NiCo合金的成分为Ni₆₅Co₃₅，FeMn合金成分为Fe₅₀Mn₅₀，为反铁磁性合金。该方法通过NiCo/FeMn界面产生的交换偏置场来减小磁电阻传感器元件的磁滞。该方法结构及工艺简单，成本低，适于较高磁场使用。
一种用于交换偏置磁电传感器元件多层材料

[发明专利]应用磁畴壁移动的半导体器件-CN200610171218.9无效
发明人：林志庆;金恩植;李成喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种应用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括内部磁畴壁移动的磁性物质膜，其中该磁性物质膜具有0.015到0.1的阻尼常数。
应用磁畴壁移动半导体器件

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