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[发明专利]一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法-CN202010108592.4在审
发明人：全志勇;王美美;张笑;肖政昱;吕宝华;张军;许小红 -专利权人：山西师范大学
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明属于磁电耦合材料制备技术领域，具体涉及一种新型氧化铪基电场调控磁性异质结构及其制备方法。该异质结构包括依次层叠设置的衬底、氧化铪层、铁磁层和铂电极；氧化铪层为具有铁电性的掺杂氧化铪；铁磁层为CoFe2O4层、Fe3O4层、Co层、NiFe合金层或CoFe合金层。该电场调控磁性异质结构中掺杂氧化铪为正交相结构，与硅基半导体工艺的兼容性良好，且掺杂氧化铪中不含有毒重金属铅，同时掺杂氧化铪可以和CoFe2O4、Fe3O4、Co、NiFe合金或CoFe合金的铁磁层间传递应力、实现电荷积累，从而产生磁电耦合，实现室温电场调控磁性，有效克服了传统铁电材料对硅基工艺的不兼容性以及磁矩调控幅度小的问题。
一种新型氧化电场调控磁性结构及其制备方法

[发明专利]一种异质结材料及其制备方法和用途-CN202010118693.X在审
发明人：何洪涛;余涛;陈平博;周良 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结材料及其制备方法和用途。所述异质结材料包括SrIrO3层以及位于所述SrIrO3层上的锰氧化物层。所述制备方法包括：(1)沉积SrIrO3层；(2)在SrIrO3层上沉积锰氧化物层，得到所述异质结材料。本发明提供的异质结材料通过异质结界面极性不连续和SrIrO3中强自旋‑轨道耦合能的共同作用下驱动了异质结界面的非对称电荷转移。通过调节异质结界面的极性不连续性以及连同SrIrO3中强的自旋耦合能，可以有效地调控界面电荷转移的程度，从而实现调节异质结材料界面的磁耦合性能。
一种异质结材料及其制备方法用途

[发明专利]电池以及其充电和放电的方法-CN201680038193.7有效
发明人：小笠原树理;桧皮清康 -专利权人：日本麦可罗尼克斯股份有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：提供具有所需特性的电池和充电/放电方法。根据本发明实施例的电池包括：第一电极层(6)；第二电极层(7)；和充电层(3)，对充电层施加第一电极层(6)和第二电极层(7)之间的充电电压。在充电层(3)的表面上，设置第二电极层(7)的区域夹在未设置第二电极层(7)的区域之间。
电池及其充电放电方法

[发明专利]一种铁电氧化物材料在磁电耦合器件中的应用-CN201810803794.3有效
发明人：初宝进;潘祺 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种铁电氧化物材料在磁电耦合器件中的应用，所述铁电氧化物材料具有挠曲电系数的同时具有沿厚度方向的磁性梯度。本发明提供了一种基于挠曲电效应的磁电耦合器件，拓宽了磁电耦合器件的使用范围。该器件在磁场下，由于铁电氧化物材料存在的磁性梯度导致不均匀磁致伸缩可以产生应变梯度，应变梯度进一步产生挠曲电压，从而实现基于挠曲电效应的磁电耦合。通过对挠曲电系数的控制可以调节磁电耦合系数的大小。
一种氧化物材料磁电耦合器件中的应用

[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置-CN201880051127.2在审
发明人：斋藤正路;远藤广明;小池文人 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2018-08-21 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜(10)具备反强磁性层(2)及与强磁性层(2)接触的固定磁性层(3)，反强磁性层(2)具有X1Cr层(其中，X1是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素)(2A)与X2Mn层(其中，X2是从由白金族元素及Ni构成的群中选择的一种或二种以上的元素，而且与X1可以相同，也可以不同)(2B)交替地层叠而成的三层以上的交替层叠构造。
交换耦合以及使用磁阻效应元件检测装置

[发明专利]二维多铁半导体材料及其制备方法-CN201811019235.X有效
发明人：魏钟鸣;杨淮;李京波 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种二维多铁半导体材料及其制备方法，在二维半导体铁电材料硒化铟中引入磁性元素，制备了兼具铁磁性和铁电性的二维多铁半导体材料，其具有2H相的六方结构，具体地，以硒粉、铟粒和磁性元素的氯化物粉末为原料，通过化学气相输运法或化学气相沉积法进行制备。本发明获得的二维多铁半导体单晶材料为二维结构，层内由共价键结合，层间由范德瓦尔斯力结合，剥离后的纳米厚薄膜同时具备铁电性和铁磁性，可作为制备高密度存储器，电磁传感器和多功能晶体管等器件的潜在应用材料。
二维半导体材料及其制备方法

[发明专利]一种利用电脉冲实现氧化石墨烯磁性可逆调控的器件及其制备方法-CN201711003068.5有效
发明人：陈伟;任书霞;郭家俊;康鑫;张莉;马欢;张新娜 -专利权人：河北师范大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及氧化石墨烯制备技术领域，具体公开一种利用电脉冲实现氧化石墨烯磁性可逆调控的器件及其制备方法。本发明以富含氧离子的导电氧化物电极或非磁性的氧化物储氧层来提供氧离子，通过施加正/负电脉冲激发氧迁移的方向，使氧化石墨烯介质层发生吸氧氧化或脱氧还原反应，介质层内含氧基团数量显著增多或减少，磁性呈现强、弱交替变化，从而实现氧化石墨烯薄膜磁性的可逆调控。相对于传统制备方法，一旦氧化石墨烯制备之后，其磁性便不能进行方便的调控。本发明提供的制备方法快捷、简单、有效，为氧化石墨烯磁性的调控提供了新的途径。
一种利用电脉冲实现氧化石墨磁性可逆调控器件及其制备方法

[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置-CN201880051132.3在审
发明人：斋藤正路;小池文人;远藤广明 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：提供固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜。交换耦合膜(10)为，反强磁性层(2)和固定磁性层(3)和自由磁性层(5)层叠而成，反强磁性层(2)由PtCr层(2A)和XMn层(2B)(其中，X是Pt或Ir)构成，XMn层(B)与固定磁性层(3)接触，固定磁性层(3)是铁、钴、铁钴合金或铁镍合金。
交换耦合以及使用磁阻效应元件检测装置

[发明专利]交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置-CN201880051133.8在审
发明人：斋藤正路;远藤广明;小池文人 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：作为固定磁性层的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大、高温条件下的稳定性高、并且强磁场耐性优的交换耦合膜，而提供交换耦合膜(10)，其特征在于，由反强磁性层(2)与具备强磁性层的固定磁性层(3)层叠而成，反强磁性层(2)具有由PtCr层(2A)、tMn层(2B)及IrMn层(2C)以该顺序层叠而成的构造，IrMn层(2C)与固定磁性层(3)接触。PtMn层(2B)的膜厚为以上是优选的情况存在，IrMn层(2C)的膜厚为以上是优选的情况存在，PtMn层(2B)的膜厚与IrMn层(2C)的膜厚的总和为以上是优选的情况存在。
交换耦合以及使用磁阻效应元件检测装置

[发明专利]利用Al掺杂调节稀磁半导体磁学性能的方法及其制品-CN201911115345.0在审
发明人：袁冶;王新强;王琦;康俊杰;王维昀;李永德;王后锦;周生强 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用Al掺杂调节稀磁半导体磁学性能的方法及其制品，本发明提供的制备方法简单，易于实现，科学利用离子注入结合脉冲激光退火成功实现了Al对(In,Mn)As稀磁半导体的替位掺杂，且保证了掺杂薄膜的单晶外延结构，通过逐渐变化掺杂Al的浓度，实现了对(In,Mn)As稀磁半导体居里温度、磁性强度与矫顽场的精确调控。本方法所调节的(In,Mn)As稀磁半导体外延薄膜制品，可保持良好的单晶外延结构，并且其居里温度、磁性强弱与矫顽场可被连续精确控制。
利用 al 掺杂调节半导体磁学性能方法及其制品

[发明专利]一种具有零场冷却交换偏置效应的Co/CoO纳米复合薄膜及其制备方法及应用-CN201911302324.X在审
发明人：杨森;田方华;李叶蓓;张垠;周超;王宇 -专利权人：扬州旭磁智能科技有限公司
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明属于磁性材料技术领域技术领域，提供了一种具有零场冷却交换偏置效应的Co/CoO纳米复合薄膜及其制备方法及应用。本发明的具有零场冷却交换偏置效应的Co/CoO纳米复合薄膜，包括由下而上叠加的衬底、Co/CoO纳米颗粒复合膜和保护层，所述Co/CoO纳米颗粒复合膜的颗粒尺寸为3～8nm，所述Co/CoO纳米颗粒复合膜的厚度为3.6～270nm。本发明的具有零场冷却交换偏置效应的Co/CoO纳米复合薄膜，采用直流磁控溅射技术制成，通过对氧分压及薄膜厚度的控制，得到具有Co/CoO复合纳米颗粒结构的薄膜。
一种有零冷却交换偏置效应 co coo 纳米复合薄膜及其制备方法应用

[发明专利]用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统-CN201610005833.6有效
发明人：唐学体;李将银;冯艮;达斯廷·威廉·埃里克森 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：公开了用于提供包括无Co自由层的磁结的方法和系统。描述了可用于磁装置的磁结以及用于提供磁结的方法。磁结包括自由层、非磁隔离层和参考层。自由层包括Fe和至少一种Fe合金中的至少一种。此外，自由层不包括Co。非磁隔离层与自由层邻接。非磁隔离层驻留在参考层和自由层之间。构造磁结使得当写入电流经过磁结时自由层在多个稳定磁状态之间是可切换的。
用于提供包括 co 自由方法系统

[发明专利]磁阻效应元件-CN201680019561.3有效
发明人：佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。
磁阻效应元件

[发明专利]磁阻效应元件-CN201680019089.3有效
发明人：佐佐木智生 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻效应元件。该磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层和被上述第一铁磁性金属层和上述第二铁磁性金属层夹持的隧道势垒层，上述隧道势垒层是阳离子排列不规则的尖晶石结构，上述隧道势垒层以(M1‑xZnx)((T1)2‑y(T2)y)O4的组成式表示，M为Zn以外的非磁性的二价阳离子，T1和T2分别为非磁性的三价阳离子，x和y是以以下的(1)～(5)的组合的组成比作为顶点并以直线连结顶点而成的区域内的组成比，(1)x＝0.2，y＝0.1；(2)x＝0.8，y＝0.1；(3)x＝0.8，y＝1.7；(4)x＝0.6，y＝1.7；(5)x＝0.2，y＝0.7。
磁阻效应元件

[发明专利]磁性材料及其制造方法-CN201610169066.2有效
发明人：胡国菡;D.C.沃利奇 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种磁性材料，包括在相对的铁层之间的钴层。所述铁层包括铁并且是体心立方(BCC)，所述钴层包括钴并且是BCC或非晶态，且所述磁性材料具有垂直磁各向异性(PMA)。
磁性材料及其制造方法