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[发明专利]一种基于Bi2-CN202210258731.0在审
发明人：李善航;王伟;杨睿卿 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Bi2Se3‑石墨烯异质结衬底的倾斜磁隧道结存储器，所述存储器的结构由上至下依次包括顶电极、SOT‑MTJ和衬底；所述衬底为Bi2Se3‑石墨烯异质结结构；所述SOT‑MTJ为层状结构，从上至下依次包括参考层、隧穿层、重金属层和自由层，其中，所述参考层和所述自由层均采用CoFeB材料，所述隧穿层采用MgO材料；所述参考层和所述隧穿层之间形成楔形倾斜，所述重金属层和所述自由层之间形成楔形倾斜。本发明的存储器可以通过控制磁易轴稍微偏离z方向，实现电流诱导的无场磁化；通过读写分离，实现了无需外部磁场即可读写的功能。
一种基于 bi base sub

[发明专利]磁阻元件和电子设备-CN201680082609.5有效
发明人：内田裕行;细见政功;大森广之;别所和宏;肥后丰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：磁阻元件10设置有：第一层叠结构20，具有第一表面20A和在第一表面20A的反面侧的第二表面20B；以及第二层叠结构30，第二层叠结构30是通过对存储层33、中间层32和磁化固定层31进行层叠而形成的，并且第二层叠结构30具有第一表面30A和在第一表面30A的反面侧的第二表面30B，所述第一表面30A被定位为面向第一层叠结构20的第二表面20B。第一层叠结构20具有层叠结构，该层叠结构被配置为从第一层叠结构20的第一表面20A起具有由金属氮化物形成的第一层21和由钌或钌化合物形成的第二层22。
磁阻元件电子设备

[发明专利]一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器-CN202210257216.0有效
发明人：蒋信;刘瑞盛;喻涛;简红 -专利权人：波平方科技（杭州）有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤指一种具有高抗磁场干扰能力的磁性随机存储器，至少包括半导体存取晶体管、垂直磁化的磁性隧道结和互连导线结构，所述磁性隧道结包括垂直磁化的磁性固定层，垂直磁化的磁性自由层，以及位于磁性固定层和磁性自由层之间的隧穿势垒层；所述磁性自由层由垂直磁化的人工反铁磁结构组成，包含垂直磁化的第一磁性自由层，垂直磁化的第二磁性自由层，以及位于第一磁性自由层和第二磁性自由层之间的耦合层；所述半导体存取晶体管和磁性隧道结组成存储单元，磁性隧道结的高低电阻态代表所存储的数据；磁性隧道结的自由层包含垂直磁化的人工反铁磁结构。本发明能够增强磁性随机存储器的抗磁场干扰能力，提高产品的可靠性。
一种具有磁场干扰能力磁性随机存储器

[发明专利]一种自支撑的三维自组装磁电复合薄膜结构及其制备方法-CN202010275255.4有效
发明人：刘明;王志广;胡忠强;周子尧;杜琴 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种自支撑的三维自组装磁电复合薄膜结构及其制备方法，包括钛酸锶衬底、石墨烯缓冲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜；钛酸锶衬底、石墨烯缓冲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜自下而上依次设置；铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜中铁酸铋为基质材料，铁酸钴以棒状结构填充在铁酸铋基质内，形成三维自组装的磁电薄膜结构；将石墨烯缓冲层剥离后，形成自支撑的磁电复合薄膜结构。本发明以石墨烯为界面缓冲层剥离得到的自支撑的三维磁电复合薄膜结构不受基底的束缚，有利于提高磁电耦合性能。该方法适用于大面积柔性功能层的剥离，其柔性特点可进一步服务于柔性可穿戴电子等器件。
一种支撑三维组装磁电复合薄膜结构及其制备方法

[发明专利]具有(111)取向生长NZFO晶相柱阵列的BTO/NZFO复相多铁薄膜及制备方法-CN202011504188.5有效
发明人：杜丕一;田薇;李谷尧;吕爽;王宗荣;马宁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有(111)取向NZFO晶相柱阵列分布的BTO/NZFO复相多铁薄膜，首先通过溶胶‑凝胶法制得溶胶前驱体，接着在单晶硅基板上以旋涂方法制备首层薄膜，经过紫外臭氧预处理，再在快速升温炉中通过结合控制首层膜沉积厚度以及在高温下热处理，控制在首层膜层中实现包括分相、异相成核等过程，原位制备具有两相分离结构且NZFO结晶并具有(111)取向的诱导膜层，之后经过多步重复旋涂‑热处理过程获得复相膜，在复相膜上再覆盖BTO纯相膜以使其填充在NZFO晶相柱之间，本发明这种复相加单相的多层结构膜，成功实现了BTO/NZFO复相薄膜材料1‑3型微结构的原位形成，材料具有很高的磁电耦合效应。外加磁场作用下，在铁电相BTO居里点处获得高达40％的磁化突变，具有重要意义。
具有 111 取向生长 nzfo 晶相柱阵列 bto 复相多铁薄膜制备方法

[发明专利]一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法-CN202111524765.1在审
发明人：马嵩;张安琪;刘大珩;刘伟;张志东 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜及其制备方法，所述EuIG/SnTe异质结单晶外延薄膜的制备方法为：提供GGG基底，并将该GGG基底置于真空系统中；利用脉冲激光沉积生长一EuIG薄膜于该GGG基底表面；再利用分子束外延技术生长一SnTe薄膜于作为基底的EuIG薄膜表面。利用本发明方法可制备出高质量的单晶外延铁磁/拓扑晶体绝缘体异质结，可在5K时观察到线性磁电阻效应并伴随霍尔效应的双载流子现象。
一种 euig snte 异质结单晶外延薄膜及其制备方法

[发明专利]一种具有可调控磁电效应的磁电驻极体及其制备方法-CN201911198672.7有效
发明人：谭楷;邓谦;申胜平;文馨 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有可调控磁电效应的磁电驻极体及其制备方法，该磁电驻极体包括一层磁活性聚合物基体和一层带有表面电荷的聚合物基体，所述磁活性聚合物基体与带有表面电荷的聚合物基体进行粘结或堆叠，成为两层材料夹一层电荷的三明治结构；通过带有表面电荷的聚合物基体的电荷量、磁活性聚合物基体中磁性粉末的掺杂量、磁活性聚合物基体与带有表面电荷的聚合物基体的厚度比和外界磁场的大小来调整磁电驻极体的磁电效应；本发明还公开了该磁电驻极体的制备方法，该制备方法简单，制造成本低，易于大规模生产，可用于能量俘获、柔性传感器、人工皮肤、人造肌肉、自供电设备等领域。
一种具有调控磁电效应驻极体及其制备方法

[实用新型]一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构-CN202122834444.3有效
发明人：胡苹 -专利权人：惠州学院
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，包括陶瓷衬底层，所述陶瓷衬底层的顶部设置有覆盖层，且覆盖层上设置有绝缘层，并且绝缘层上铺设有薄膜层；还包括：透气孔，所述透气孔贯通开设于陶瓷衬底层的内部，且陶瓷衬底层的底部固定有金属底片；支撑条，所述支撑条固定于绝缘层的底部，且支撑条位于支撑槽内，并且支撑槽开设于覆盖层的顶部，而且支撑槽的底部放置有承压垫。该用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过陶瓷衬底层底部的金属底片配合耐磨头，增加陶瓷衬底层的耐磨性能，避免与电机接触安装时发生磨损，并配合透气孔提高陶瓷衬底层的散热效果，同时通过支撑条和承压垫进行承压缓冲，提高整体抗压性能。
一种用于 insb 器件薄膜材料结构

[发明专利]自旋劈裂-铁磁性耦合材料及其应用-CN202111452012.4在审
发明人：李鑫;李卫民;贺宇;吴挺俊;朱雷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种自旋劈裂‑铁磁性耦合材料及其应用，通过对自旋劈裂材料进行掺杂获得包括自旋劈裂材料及掺杂元素的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料，自旋劈裂‑铁磁性耦合材料同时具有能带自旋劈裂及铁磁性，其中，能带自旋劈裂的特性在于自旋劈裂材料，铁磁性的特性在于掺杂元素。本发明提供的自旋劈裂‑铁磁性耦合材料可实现全电学式自旋轨道力矩驱动控制，以消除传统自旋轨道力矩下自旋劈裂材料及铁磁材料形成的异质结构，从而简化后续制备的器件结构，且可降低能量损耗。
自旋劈裂铁磁性耦合材料及其应用

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010928864.5在审
发明人：杨成成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供固定磁层；在所述固定磁层上形成隧穿势垒层；在所述隧穿势垒层上形成自由磁层；在所述自由磁层上形成第一盖帽层，所述第一盖帽层的材料包括二维材料。本发明实施例中，在所述自由磁层上形成第一盖帽层，第一盖帽层能够提供额外的垂直各向异性，所述第一盖帽层的材料包括二维材料，二维材料具有较低的电阻率，能够降低半导体结构工作时写入的功耗，有利于实现半导体结构的微型化，且二维材料具有较长的自选扩散长度，有利于提高半导体结构的写入效率，有利于提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种自支撑的磁电纳米复合结构及其制备方法-CN202010198089.2有效
发明人：刘明;王志广;胡忠强;周子尧;杜琴 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种自支撑的磁电纳米复合结构及其制备方法，包括钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜；钛酸锶衬底、铝酸锶牺牲层和铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜自下而上依次设置，形成自支撑的磁电纳米复合结构；铁酸铋/铁酸钴磁电复合薄膜中铁酸铋为网格状结构，铁酸钴填充在网格结构内。本发明有利于提高磁电耦合性能，在能量存储与转换，磁存储及磁传感等方面有潜在的应用价值。
一种支撑磁电纳米复合结构及其制备方法

[发明专利]一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元、器件及控制方法-CN202111448174.0在审
发明人：陈凯运;阚东晓;宋梦珊;贺加贝;霍望图 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种局域压应变控制的范德华自旋阀结构单元，包括在基底上形成第一GeC层、形成CrS2层并调控，形成第二GeC层后施加磁场进行初始磁化，再施加局域垂直压应变得到范德华自旋阀结构单元；本发明公开了一种包括两个以上并联的范德华自旋阀结构单元组成的自旋阀器件；本发明还公开了对自旋阀器件的控制方法：对自旋阀器件施加外磁场并输入电流，通过改变外磁场施加方向调节范德华自旋阀结构单元自旋状态，获取调节输出信号。本发明通过局域压应变调控CrS2相变，得到受磁性转变作用的范德华自旋阀结构单元，免除了不同性质不同材料的匹配问题；本发明的自旋阀器件结构与控制方法简单，实现了逻辑运算且便于能耗管理。
一种局域应变控制范德华自旋结构单元器件方法

[发明专利]一种铁磁自由层、制备方法及其应用-CN202111312221.9在审
发明人：田玉峰;颜世申;陈延学;柏利慧;黄启坤 -专利权人：山东大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁磁自由层、制备方法及其应用，铁磁自由层所包括磁性薄膜合金中的每一层薄膜的厚度从第一端到第二端依次减小，以打破面内结构对称性，且薄膜包括重金属薄膜和铁磁金属薄膜，重金属薄膜和铁磁金属薄膜交错设置，以打破面外晶体对称性，当在磁性薄膜合金内施加电流时会产生自旋轨道力矩，直接驱动磁性薄膜合金的磁矩发生确定性磁化翻转，利用该磁性薄膜合金作为铁磁自由层，无需在磁性隧道结中增加额外的重金属层，也不需要额外的磁场辅助，便可以实现自旋轨道力矩驱动磁矩翻转。
一种自由制备方法及其应用

[发明专利]铁碳复合材料、电极材料、锂离子电池及其制备方法-CN202110766976.X在审
发明人：李洪森;李强;胡正强;王怀志;左风凯;东晓彤 -专利权人：青岛大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种铁碳复合材料、电极材料、锂离子电池及其制备方法，所述铁碳复合材料为片状，所述铁碳复合材料的表面分布有1‑10nm的金属铁颗粒。本申请实施例提供的铁碳复合材料基于空间电荷存储的自旋电容效应进行能量存储，具有高能量密度，良好倍率性能和较好的循环稳定性。
复合材料电极材料锂离子电池及其制备方法

[发明专利]过渡族金属/二氧化钛多层膜、电极材料、电池及方法-CN202110766999.0在审
发明人：李强;李洪森;张凤玲;王凯;李召辉;夏清涛;张乐清;顾方超;吴玥颖;杜中玉 -专利权人：青岛大学
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种过渡族金属/二氧化钛多层膜、电极材料、电池及方法，所述过渡族金属/二氧化钛多层膜包括过渡族金属薄膜和二氧化钛薄膜，所述过渡族金属薄膜和二氧化钛薄膜交替设置。本申请实施例提供的铁碳复合材料基于空间电荷存储的自旋电容效应进行能量存储，具有高能量密度，良好倍率性能和较好的循环稳定性。
过渡金属氧化多层电极材料电池方法