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[发明专利]一种柔性BaTiO3-CoFe2O4磁电复合薄膜-CN201510919794.6在审
发明人：彭建洪;毛多鹭;李海琴;包海萍;董虎林;赵元娟 -专利权人：青海民族大学
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性BaTiO3(BTO)‑CoFe2O4(CFO)复合薄膜的制备方法，其步骤是首选阳极氧化法制备多孔氧化铝模板，再置于BTO溶胶中，使其孔洞被溶胶填充，煅烧，重复上述过程数次，高温烧结后在模板中形成BTO纳米阵列薄膜；在BTO薄膜底面溅射沉积电极；去除氧化铝模板，将CFO溶胶旋涂于BTO纳米线阵列中，煅烧，重复旋涂‑煅烧过程数次，再高温烧结得到BTO‑CFO复合薄膜；对复合薄膜进行电、磁极化处理。本发明的优点是工艺简单，易于大面积制备；省去单晶基底作为牺牲材料，可大幅降低成本，另外复合薄膜不受基底钳制作用，易于提高性能；特殊结构设计，可避免漏导对电极化过程的影响。
一种柔性 batio3 cofe2o4 磁电复合薄膜

[发明专利]一种磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体复合材料及应用-CN201410072124.0有效
发明人：王敦辉;龚元元;都有为 -专利权人：南京大学
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种具备电场调控磁卡效应的Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金/压电体复合材料，由Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金与压电体组成；压电材料为Pb(Zr,Ti)O3(PZT)或0.7Pb(Mn1/3Nb2/3)O3‑0.3PbTiO3(PMN‑PT)；Ni‑Mn基铁磁形状记忆合金的分子式是Ni‑Co‑Mn‑In,Ni‑Mn‑In,Ni‑Mn‑Sn,Ni‑Mn‑Co‑Sn；二种材料均是片状材料贴合成复合材料，铁磁形状记忆合金的厚度为20‑50um的快淬薄带叠合成1‑2mm或为1‑2mm的块材，压电体厚度为0.4‑0.8mm。
一种磁卡效应 ni mn 基铁磁形状记忆合金压电复合材料应用

[发明专利]一种磁电复合材料及其制备方法-CN201410059790.0有效
发明人：张斗;朱松;林秀娟;陈子琪;周科朝 -专利权人：中南大学
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：一种磁电复合材料及其制备方法，所采用的压电纤维为中空结构，所述压电纤维经过径向极化；所述的压电纤维除一端外，该压电纤维的中空结构内以及压电纤维外均填充固化有磁致伸缩颗粒与树脂的混合物；所述的压电纤维的内外均被覆有电极材料，所述的压电纤维一端的外表面上设有一环形未被覆电极带。因此，本发明的目的就是针对现有磁电复合材料的缺点，首次成功的制得一种基于中空压电纤维的磁电复合材料；所得磁电复合材料具有磁性相体积分数可调范围大，磁性相与压电相接触面积大；磁致伸缩颗粒的体积分增加的同时，避免复合材料由绝缘体变成导体；可很好的应用于磁电传感器、智能滤波器、高密度磁记录等领域。
一种磁电复合材料及其制备方法

[实用新型]一种新型石墨烯超声波探头-CN201620317347.3有效
发明人：钱夏夷;王一宁;郑杨艳 -专利权人：江苏省特种设备安全监督检验研究院
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型石墨烯超声波探头，包括接插件、外壳、背衬层、引线、压电层、隔离层、匹配层；所述压电层被隔离层分成接收超声波压电层和发射超声波压电层，所述背衬层位于压电层顶表面，所述的匹配层位于压电层底表面；所述压电层的压电晶片以二维矩阵的形式布置。本实用新型石墨烯超声波探头结构合理，作为超声波探头最重要元件的压电体通过使用新型压电材料氮化石墨烯，探头可在温度500℃条件下使用，相比普通高温探头在300℃高温只能工作0.5h，本实用新型的探头可在300℃高温下工作2h，探头的使用寿命也得到延长。
一种新型石墨超声波探头

[实用新型]一种信息存储单元以及只读存储器-CN201521077598.0有效
发明人：熊昌民;王宁;牟蓉;马天星;聂家财 -专利权人：北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴的偏离方向即为该斜切单晶衬底的斜切偏移方向，该方向为预设方向；该信息存储单元采用所述单晶衬底的斜切偏移方向来控制磁畴壁的排列。基于上述信息存储单元，本实用新型还公开了一种只读存储器的结构。所述信息存储单元以及只读存储器解决了现有阶段存储器受磁场干扰损坏存储信息的问题。
一种信息存储单元以及只读存储器

[实用新型]一种低漏电流铁酸铋薄膜-CN201620211105.6有效
发明人：王华;韩冬;许积文;杨玲;丘伟 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜，所述薄膜包括衬底，以及衬底上的Bi_4‑_xNd_xTi₃O₁₂薄膜层，Bi_4‑xNd_xTi₃O₁₂薄膜层上是BiFeO₃薄膜层，并且Bi_4‑xNd_xTi₃O₁₂薄膜层与BiFeO₃薄膜层交替搭配，形成Bi_4‑xNd_xTi₃O₁₂/BiFeO₃复合薄膜，其中X的取值范围是0.4‑0.85。本实用新型通过在BiFeO₃薄膜与衬底间引入Bi_4‑xNd_xTi₃O₁₂铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO₃薄膜的漏电流，提高铁电性能，在高电场下，该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO₃薄膜降低了4个数量级，铁电性能也得到了很大的提高。
一种漏电流铁酸铋薄膜

[发明专利]多铁/压电复合结构及其存储器件、制备方法-CN201610143309.5在审
发明人：叶建国;叶钊赫;苗君;邵飞 -专利权人：唐山市盛泰建筑安装有限公司;苗君
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：公开了一种多铁/压电复合结构，包括：基片；位于所述基片上由导电氧化物形成的底电极层；以及位于所述底电极层上的压电层和多铁薄膜层交替堆叠而形成的叠层；其中，多铁薄膜层与相邻的压电层彼此接触且一起形成三明治结构。本发明提供的多铁/压电复合结构利用压电层与低温多铁材料形成的多铁薄膜层的相似结构形成界面效应与交换耦合，进而导致在低温环境如南极、太空探索等环境下多铁薄膜的性能提高，大大提高了多铁材料诸如YMnO₃在铁电存储方面的应用，从而满足人们在低温环境下对硬盘快速写入读出，计算机非易失性存储，及器件小型化多功能化的需求。
多铁压电复合结构及其存储器件制备方法

[发明专利]形成磁随机存取存储器蚀刻间隔体的方法以及由此形成的结构-CN201480064384.1在审
发明人： D·R·兰伯恩;O·戈隆茨卡;C·维甘德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：描述了一种形成存储器件结构的方法。这些方法可以包括：在磁性隧道结结构的顶部电极上形成非导电间隔体材料；并且然后在蚀刻磁性隧道结的底部电极之前，在磁性隧道结的非导电间隔体材料上形成高度选择性的材料。
形成随机存取存储器蚀刻间隔方法以及由此结构

[发明专利]具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件-CN201610291358.3在审
发明人：欧云波;郭建东 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明涉及具有量子化反常霍尔效应的材料和由其形成的霍尔器件。在一实施例中，一种具有量子化反常霍尔效应的材料可包括：拓扑绝缘体基材；掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第一元素，所述第一元素引入电子型载流子；以及掺杂到所述拓扑绝缘体基材中的第二元素和第三元素，所述第二元素和所述第三元素每个引入空穴型载流子和磁性，从而形成双磁性掺杂拓扑绝缘体。
具有量子化反常霍尔效应材料形成器件

[发明专利]一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备-CN201610070644.7在审
发明人：叶钊赫;叶建国;苗君 -专利权人：唐山市众基钢结构有限公司;苗君
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备，涉及磁存储技术领域。本发明提供的铁磁-反铁磁薄膜异质结构的铁磁层采用全哈斯勒合金，具有很高的有效自旋极化率，良好的半金属性，使得铁磁-反铁磁薄膜异质结构具有很好的交换偏置效应，而反铁磁层采用多铁性材料，不但具备各种单一的铁性，还具备在铁磁序和铁电序之间存在的耦合效应，表现出磁电耦合效应，因此，通过改变反铁磁层的厚度变化，来影响铁磁-反铁磁界面处的交换耦合作用，就可以获得整个异质结构的磁性变化，获得一个具有振荡形式的交换偏置效应，基于交换偏置效应的磁电子器件可应用于磁电阻读出磁头、磁传感器、磁随机存储器等磁存储领域。
一种反铁磁薄膜结构制备方法存储设备

[发明专利]掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜及其磁学特性的调控方法-CN201510982925.5在审
发明人：苏海林;宋婷婷;刘俊;梅超;吴玉程;黄荣俊 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开一种掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜及其磁学特性的调控方法，所述半导体薄膜为单相体心正交结构，由掺杂有钴的铅钯氧纳米颗粒组成；该半导体薄膜的厚度在320nm以下，且在300K及以下温度时，具有与自旋零禁带能带结构相关的铁磁性和/或常规的铁磁性。所述调控方法是通过调节薄膜厚度的方式，使得掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜具有与自旋零禁带能带结构相关的室温铁磁性或/和常规的室温铁磁性。有益的技术效果：本发明首次提出用控制薄膜厚度的方式，用同一配方工艺在掺杂有钴的铅钯氧半导体薄膜中获得具有与自旋零禁带能带结构相关的室温铁磁性或/和常规的室温铁磁性。
掺杂铅钯氧半导体薄膜及其磁学特性调控方法

[发明专利]一种信息存储单元以及只读存储器-CN201510971655.8在审
发明人：熊昌民;王宁;牟蓉;马天星;聂家财 -专利权人：北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司
申请日： 2015-12-22 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴的偏离方向即为该斜切单晶衬底的斜切偏移方向，该方向为预设方向；该信息存储单元采用所述单晶衬底的斜切偏移方向来控制磁畴壁的排列。基于上述信息存储单元，本发明还公开了一种只读存储器的结构。所述信息存储单元以及只读存储器解决了现有阶段存储器受磁场干扰损坏存储信息的问题。
一种信息存储单元以及只读存储器

[发明专利]基于硅基二极管的新型磁传感器及制备方法-CN201510016078.7在审
发明人：隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏 -专利权人：兰州大学
申请日： 2015-01-13 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅基二极管的新型磁传感器及制备方法，其中基于硅基二极管的新型磁传感器的制备方法，包括在60keV加速电压下，在n硅基片的正面注入剂量为1×1015 atom/cm3的磷离子形成Si n+层，在40keV加速电压下，在n硅基片的反面注入剂量为2×1014atom/cm3的硼离子形成Si p+层，而n型硅基片Si n+层和Si p+层之间没有注入磷离子和硼离子为Si n层的步骤；在Si n+层和Si p+层上通过在溅射方法制备Cu极板的步骤。提供一种有效、简单并且具有高灵敏度的而且适合测量任意范围磁场大小的基于硅基二极管的新型磁传感器。
基于二极管新型传感器制备方法

[发明专利]具有电荷轨道有序转变及各向异性场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途-CN201310534419.0在审
发明人：王晶;胡凤霞;赵莹莹;匡皓;卢海霞;孙继荣;沈保根 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电荷轨道有序特性及各向异性场致电阻效应的异质结构材料，所述异质结构材料包括：(011)或其斜切取向的PMN-PT单晶衬底和外延生长于其上的钙钛矿锰氧化物薄膜，其中，所述衬底与薄膜的晶格失配度为1～6%。本发明通过引入面内大的各向异性张应变，在薄膜中实现电荷轨道有序转变。所形成的电荷轨道有序排列对外加偏置电场敏感，表现为偏置电场作用下薄膜电阻大幅下降，低温区产生高于磁电阻的大的各向异性场致电阻效应，通过控制薄膜厚度、偏置电场的大小、极性，可以方便地调节场致电阻幅度，满足实际应用的需要。该异质结构材料具有制备工艺简单、功耗低、方便易操作等特点，有利于器件开发与应用。
具有电荷轨道有序转变各向异性致电效应结构材料及其制备方法用途

[发明专利]具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途-CN201310529501.4在审
发明人：赵莹莹;胡凤霞;王晶;匡皓;王栓虎;孙继荣;沈保根 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途。所述材料包括：(001)、(011)或其斜切取向的具有反压电特性的PMN-PT单晶衬底和外延生长于该单晶衬底上的钙钛矿型锰氧化物薄膜，其中，所述PMN-PT单晶衬底与所述钙钛矿型锰氧化物薄膜的晶格失配度为3.5～4.6%。通过控制薄膜厚度、衬底上纵向偏置电场的大小可以方便地调节极化效应、晶格应变效应以及静电场对薄膜相分离各相的影响，进而调节薄膜面内正的场致电阻效应。本发明提供的可获得正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法具有设计简单、低功耗、方便易操作等特点，有利于器件应用。
具有致电效应结构材料及其制备方法用途