“H01L31/09”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果351个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于纳米ZnO‑rGO复合材料的光电导型紫外探测器及其制备方法-CN201611046887.3有效
发明人：潘新花;陆乔琦;王伟豪;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于纳米ZnO‑rGO复合材料的光电导型紫外探测器，该紫外探测器依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、纳米ZnO‑rGO旋涂层和Al电极。其制备方法如下先采用溶剂热法制备ZnO纳米颗粒，用APTES对ZnO纳米颗粒进行表面改性，再用水热法制备ZnO‑rGO复合物，然后将复合物溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，再在旋凃层表面镀上Al电极获得紫外探测器。相比基于纳米ZnO的紫外探测器，本发明的紫外探测器暗电流低，光电流、响应度、灵敏度都得到较大提升，且该方法制备的器件结构简单、方法简单易行、成本低、适合大面积制备，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值和良好的应用前景。
一种基于纳米 zno rgo 复合材料电导紫外探测器及其制备方法

[实用新型]一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器-CN201720651651.6有效
发明人：宋世金;虞澜;刘安安;胡建力;黄杰;崔凯 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于能斯特效应和原子层热电堆的复合光热探测器，结构中包括单晶基片、原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜、吸收层、封装层、金属电极，单晶基片为c轴斜切的单晶基片，单晶基片的c轴斜切角度0°<θ<30°，原子层热电堆薄膜沿c轴倾斜外延生长在单晶基片上，在原子层热电堆薄膜上表面相对中心位置对称设置两个金属电极，两个金属电极由导线与电压表输入端连接，铁磁性薄膜生长在单晶基片上并设置在原子层热电堆薄膜的两侧，吸收层覆盖在原子层热电堆薄膜、铁磁性薄膜和金属电极上，封装层覆盖在吸收层上；本实用新型探测器体积小、响应电压峰值大、灵敏度高、响应时间快，能实现宽光谱探测和热辐射探测。
一种基于特效应和原子热电复合光热探测器

[实用新型]一种带相位光栅和背面金反射层的超导单光子探测器-CN201720864769.7有效
发明人：顾敏;刘冬梅 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型提出一种带相位光栅和背面金反射层的超导单光子探测器，包括硅基衬底、金反射层、中间层、电极、氮化铌纳米线、相位光栅和栅台，所述硅基衬底上设有金反射层，所述金反射层上设有中间层，所述中间层上设有氮化铌纳米线，形成纳米线区，所述氮化铌纳米线的两端设有电极，所述氮化铌纳米线上设有相位光栅，所述相位光栅上设有栅台；所述金反射层的厚度大于100nm。本实用新型的带相位光栅和背面金反射层的超导单光子探测器在纳米线区上的相位光栅对光束产生干涉聚焦效果，氮化铌纳米线位于焦点位置，背面有金反射层将入射透过纳米线的光反射回纳米线，从而提高了氮化铌纳米线对光子的吸收效率。
一种相位光栅背面反射层超导光子探测器

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN201711000102.3在审
发明人：杨为家;吴质朴;何畏;陈强 -专利权人：江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，采用液相法生长的高质量单晶衬底为基础，制作的光电探测器结构简单，无需进行复杂的气相外延即可实现光电探测器的制备，工艺简单，有利于大幅度降低生产成本；设置于衬底层与Al金属反射层之间的Ag或者Pt纳米粒子层，对光具有很高的反射率，能够改变光的传播路径，大幅度提高探测器对光的二次吸收；设置于电极与衬底层之间的Pt纳米粒子层能够改善探测器与电极的接触特性，提高探测器响应灵敏度等电学特性。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器、硫化锌窗口及其制备方法-CN201611224658.6有效
发明人：邱阳;祖成奎;金扬利;陈玮;韩滨;徐博;伏开虎 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器、硫化锌窗口及其制备方法，制备方法包括如下步骤在铜箔表面生长石墨烯薄膜Gr；在石墨烯薄膜一侧喷涂高分子过渡层TL，固化后获得铜箔/Gr/TL复合体；在高分子过渡层一侧喷涂液态PMMA；将铜箔刻蚀掉；将Gr/TL/PMMA复合体转移至硫化锌窗口内表面；将高分子过渡层溶解，PMMA载体与石墨烯薄膜分离，得到ZnS/Gr复合体；直至硫化锌窗口内侧的石墨烯薄膜的电性能满足电磁屏蔽要求，最终在硫化锌窗口内侧表面形成石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器。本发明红外透过率高，易于制备。
石墨烯基透红外电磁屏蔽滤波器硫化锌窗口及其制备方法

[实用新型]一种高响应的石墨烯‑二硫化钼柔性光电传感器及光电检测设备-CN201720934092.X有效
发明人：徐俊虎;赵胜民;王莉 -专利权人：北京蓝木科技有限公司
申请日： 2017-07-30 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高响应的石墨烯‑二硫化钼柔性光电传感器及光电检测设备，所述传感器包括柔性基底以及设置于柔性基底上的电极部分、二硫化钼层和石墨烯层；所述电极部分包括源电极、漏电极和栅压电极，所述石墨烯层电性连接于源电极和漏电极之间；所述二硫化钼层与所述石墨烯层接触并设置于石墨烯层和柔性基底之间。本实用新型在642nm具有8％的吸收率，并且弯曲到1.4cm的曲率时依然是稳定的，仅需施加低于1伏的电压即可工作。
一种响应石墨二硫化钼柔性光电传感器检测设备

[实用新型]一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器-CN201720843885.0有效
发明人：袁飞;周虎川;杨帆;高豪 -专利权人：成都市亿泰科技有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器，属于红外探测领域。本实用新型包括氮化钛纳米薄膜、介电层和高电导率金属反射层。介电层在高电导率金属反射层上，氮化钛纳米薄膜在介电层上。为了实现高性能自选频的红外吸收，氮化钛纳米薄膜厚度为1nm，介电层厚度对应的光程为所吸收红外光波长的1/4。入射红外光被氮化钛纳米薄膜吸收50%的能量后透射入介电层，在介电层中被吸收波长的红外光干涉增强，经过多次全反射后氮化钛纳米薄膜吸收剩余的能量。本实用新型结构简单，制作成本低，无需额外的滤光器；兼容CMOS工艺，可直接制作到基于CMOS的红外传感器上；对特定波长的红外光实现几乎100%的高效吸收。
一种基于氮化纳米薄膜三层结构自选红外吸收

[实用新型]一种非制冷红外探测器-CN201720857843.2有效
发明人：袁飞;周虎川;杨帆;高豪 -专利权人：成都市亿泰科技有限公司
申请日： 2017-07-15 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非制冷红外探测器，属于红外探测领域。本实用新型包括衬底、支撑薄膜、至少一个半导体热传感部件、一种伞状结构的红外吸收层和隔离层。支撑薄膜覆盖于衬底之上，半导体热传感部件、伞状结构的红外吸收层和隔离层沉积在支撑薄膜上。一种伞状结构的红外吸收层增大了对红外光的吸收面积，并对热电偶或热敏电阻材料起到了遮光作用。伞状结构的红外吸收器、隔离层和支撑薄膜封闭半导体热传感部件所处空间，形成真空，把外界环境对半导体热传感部件的影响降到最低，从而提高探测器的探测灵敏度。
一种制冷红外探测器

[发明专利]空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法-CN201510967729.0有效
发明人：孙福河;闻永祥;季锋;刘琛;陈雪平;孙伟 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种空腔形成方法、热电堆红外探测器及其制作方法，所述空腔形成方法在硅衬底中形成N阱，在N阱包围的硅衬底中形成N型掺杂的网格结构，并进行电化学腐蚀形成多孔硅层，再通过外延工艺使多孔硅层发生重构形成封闭的空腔。本发明无需通过长时间的湿法腐蚀或干法刻蚀工艺来形成空腔，并且空腔的形成是在金属淀积之前，不存在常规湿法腐蚀硅衬底形成空腔的工艺中对金属的腐蚀问题，此外，该空腔的形成方法比较简单，可与常规CMOS工艺兼容，适于规模化生产。
空腔形成方法热电红外探测器及其制作方法

[发明专利]一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器-CN201710567675.8在审
发明人：袁飞;周虎川;杨帆;高豪 -专利权人：成都市亿泰科技有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氮化钛纳米薄膜的三层结构的自选频红外吸收器，属于红外探测领域。本发明包括氮化钛纳米薄膜、介电层和金属反射层。介电层在金属反射层上，氮化钛纳米薄膜在介电层上。为了实现高性能自选频的红外吸收，氮化钛纳米薄膜厚度为1nm，介电层厚度对应的光程为所吸收红外光波长的1/4。入射红外光被氮化钛纳米薄膜吸收50%的能量后透射入介电层，在介电层中被吸收波长的红外光干涉增强，经过多次全反射后氮化钛纳米薄膜吸收剩余的能量。本发明结构简单，制作成本低，无需额外的滤光器；兼容CMOS工艺，可直接制作到基于CMOS的红外传感器上；对特定波长的红外光实现几乎100%的高效吸收。
一种基于氮化纳米薄膜三层结构自选红外吸收

[发明专利]一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器-CN201610614357.8有效
发明人：李兴鳌;赵杨华;楚亮;贾振宏;张巧霞;於爱爱;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，提供一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。所述的可见光探测器由衬底1、底电极2、可见光吸收层3和顶电极4组成，可见光探测器为最简单的三明治结构，可见光吸收层3为锰掺杂氮化铜薄膜，位于底电极2和顶电极4之间。其制造方法为，首先将透明导电玻璃刻蚀，形成0.8cm宽的透明导电窄条，然后利用磁控溅射技术沉积锰掺杂氮化铜薄膜，最后用磁控溅射或者蒸发蒸镀的方法沉积金属顶电极4，便得到基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器。该可见光探测器拥有良好的光响应度、持久可重复跳变性能、快速的响应时间，且结构简单，制作成本低，原料丰富易得，制造方法简单，采用磁控溅射和蒸镀技术，可以规模化生产。
一种基于掺杂氮化薄膜可见光探测器

[实用新型]金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构-CN201720127328.9有效
发明人：张志东 -专利权人：中北大学
申请日： 2017-02-13 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型属于光学领域和微纳系统领域，具体为一种金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构。金属微纳超结构表面等离激元超快探测结构，包括Si基底，Si基底上生长有一层二氧化硅，二氧化硅层上设有一层石墨烯薄膜，石墨烯薄膜上两侧分别都设有方块状金属Au块，两方块状金属Au块之间的石墨烯薄膜设有一层TiO，TiO层上均布有球状金属Ag，球状金属Ag上设有一层石墨烯薄膜覆盖层，球状金属Ag之间具有纳米级间隙，解决了石墨烯制作的光电探测器由于光生载流子较少使得灵敏度受限、传输速度较慢等问题。
金属微纳超结构表面离激元超快探测

[发明专利]一种基于一维阵列纳米线的紫外光探测器-CN201610212770.1有效
发明人：姜凯;陈照军;沈国震;娄正;陈帅;姜源;孙德帅;杜辉;刘华龙 -专利权人：姜凯;陈照军
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：一种一维阵列纳米线的紫外光探测器的制备方法，包括配置前驱液在低压近场静电纺丝，控制喷丝头与收集装置之间的纺丝距离为0.4‑1.5cm，纺丝电压在0.6‑3kV，精确制备一维阵列纳米线；利用镀膜技术在一维阵列纳米线两端镀上电极即可制备单根纳米线或多根纳米线的紫外光探测器。该器件在300nm的紫外光波长下具有良好的循环响应。该方法利用伺服电机控制收集装置，确保了一维阵列纳米线的精确沉积；刚性衬底可自由选择来收集阵列纳米线；纳米线可交叉排列或有序排列，从而保证阵列纳米线的多样性和灵活性。
一种基于阵列纳米紫外光探测器

[发明专利]一种石墨烯太赫兹探测器及其制备方法-CN201610575588.2有效
发明人：王军;牟文超;程金宝;苟君;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-20 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯太赫兹探测器及其制备方法，该探测器由下至上包括硅衬底层、底部钝化层、金属反射层、微桥支撑层、石墨烯薄膜层和金属图形层，微桥支撑层跨接在金属反射层两侧的底部钝化层上，且微桥支撑层与底部钝化层之间形成微桥空腔，金属反射层位于微桥空腔内；石墨烯薄膜层和金属图形层依次形成于微桥支撑层的顶面；微桥支撑层的侧面依次形成有电极层和桥腿钝化层，且电极层的一端电性连接石墨烯薄膜层，另一端连接底部钝化层；其中，微桥空腔、微桥支撑层以及石墨烯薄膜层构成复合介质层，金属反射层、复合介质层和金属图形层共同构成超材料结构。本发明能够解决现阶段太赫兹探测器存在的对太赫兹辐射吸收率低和响应低的问题。
一种石墨赫兹探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器-CN201610268386.3有效
发明人：乔双;刘亚男;闫国英;王淑芳;傅广生 -专利权人：河北大学
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于侧向光伏效应的薄膜结构位置灵敏探测器，包括Si单晶基片衬底和在Si单晶基片衬底上生成的薄膜光响应层，在薄膜光响应层上设置有呈中心对称分布的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间通过导线连接并串联有电压表，其特征在于还包括设置在薄膜光响应层边缘的第三电极和第四电极，第三电极和第四电极在薄膜光响应层上呈中心对称分布，第三电极和第四电极通过导线短接并串联有开关，在Si单晶基片衬底的下表面还设置有底电极，在底电极上设置有第五电极，在第三电极和第四电极与第五电极之间通过导线接入直流稳压电源。改善了偏压调制下的探测器在激光高功率照射下线性度变差的情况，提高了探测器的探测范围和探测精度。
一种基于侧向效应薄膜结构位置灵敏探测器