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[发明专利]集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器-CN201710207615.5有效
发明人：尤立星;李浩;张伟君;杨晓燕;王镇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种集成光学薄膜滤波器的超导纳米线单光子探测器，包括：衬底；反射镜，位于所述衬底表面；超导纳米线，位于所述反射镜的表面；光学薄膜滤波器，位于所述超导纳米线远离所述反射镜的一侧，且与所述超导纳米线具有间距。本发明通过在超导纳米线下方设置所述反射镜，可以将光直接耦合到超导纳米线上，可以对目标波长具有较高的吸收效率，有效提高了器件探测效率；同时，本发明通过设置光学薄膜滤波器，可以对非目标波长滤波，进而有效抑制黑体辐射造成的暗计数；此外，本发明的集成光学薄膜滤波器的光学薄膜滤波器与其他结构分离设置，可重复使用，从而降低成本。
集成光学薄膜滤波器导纳米线光子探测器

[发明专利]一种基于氧化镓纳米线阵列的紫外探测器件及其制备方法-CN201610141756.7有效
发明人：金旺康 -专利权人：金旺康
申请日： 2016-03-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米线阵列的紫外探测器件，具体是指一种基于氧化镓纳米线阵列的紫外探测器件及其制备方法。本发明是通过射频磁控溅射技术在Al2O3蓝宝石衬底上沉积一层金薄膜，然后将得到的金薄膜进行球化退火从而得到金颗粒，最后在金颗粒上生长Ga2O3纳米线阵列。紫外探测器件的光电性能测试结果显示该器件具有很好的光电响应。本发明的优点是：所制备的基于氧化镓纳米线阵列的紫外探测器件性能稳定，对日盲区的深紫外线具有强烈的光电响应，反应灵敏，暗电流小，可应用于火灾报警、高压线电晕等探测；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。
一种基于氧化纳米阵列紫外探测器件及其制备方法

[实用新型]一种Si衬底GaSe可见光探测器-CN201921806959.9有效
发明人：王文樑;李国强;杨昱辉;孔德麒 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种Si衬底GaSe可见光探测器，包括Si衬底，所述Si衬底的上表面依次设置低温PLD生长的第一GaSe功能层及高温PLD生长的第二GaSe功能层，所述第一GaSe功能层及第二GaSe功能层的厚度相同，所述第二GaSe功能层上表面的两端连接Ti/Ni/Au金属层电极。本实用新型有效降低表面对可见光光的反射损耗，增强可见光光谐振吸收，实现高灵敏度高带宽探测。
一种 si 衬底 gase 可见光探测器

[发明专利]一种红外探测器及其制造方法-CN201711338604.7有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明揭示一种红外探测器及其制造方法。红外探测器包括：衬底；敏感材料探测层，设置于所述衬底的入光侧，所述敏感材料探测层包括多个敏感电阻；电极层，至少设置于每个所述敏感电阻的两侧，且与所述敏感电阻的侧壁电接触，电流通过位于所述敏感电阻一侧的所述电极层流向所述敏感电阻同侧的侧壁、并由所述敏感电阻另一侧的侧壁流向位于所述敏感电阻另一侧的所述电极层。该红外探测器可以使电流均匀流入敏感电阻，提高红外探测器的性能。
一种红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种石墨烯/硫化铅红外探测器及其制备方法-CN202010026016.5在审
发明人：冷重钱;申钧;聂长斌;张之胜;杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开一种石墨烯/硫化铅红外探测器及其制备方法，其中，一种石墨烯/硫化铅红外探测器，包括衬底，所述衬底向上依次覆盖有石墨烯薄膜、金属电极、硫化铅种子层、硫化铅纳米晶薄膜层；其中，所述石墨烯薄膜上两端各铺设有一个所述金属电极。本发明通过在石墨烯和金属电极表面引入硫化铅种子层，基于种子层辅助生长硫化铅纳米晶，得到致密、平整、均匀的高质量硫化铅纳米晶薄膜层，最终实现高响应度的红外探测器。
一种石墨硫化铅红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器及其制备方法-CN202010026028.8在审
发明人：冷重钱;申钧;聂长斌;张之胜;杨俊;汤林龙;冯双龙;魏兴战;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器及其制备方法，其中，一种石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器，包括衬底，从所述衬底往上依次铺设有石墨烯薄膜、金属电极、硫化铅层、三维钙钛矿层、二维钙钛矿层；其中，所述石墨烯薄膜上两端各铺设有一个所述金属电极，且中间与所述硫化铅层接触。该石墨烯/硫化铅/钙钛矿光电探测器通过引入三维钙钛矿层钝化硫化铅层表面缺陷，抑制载流子的复合，提升载流子寿命；同时，硫化铅/三维钙钛矿复合结构可有效分离光生载流子，最终实现高增益的光电探测器；此外，覆盖二维钙钛矿薄膜，增强光电探测器的稳定性。该结构具有轻薄、增益高、稳定性好、易集成等优点，是一种实用性强的光电探测器。
一种石墨硫化铅钙钛矿光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯光电探测器及其制备方法-CN201811418278.5有效
发明人：胡晓;肖希;张宇光;陈代高;李淼峰;王磊;冯朋;余少华 -专利权人：武汉邮电科学研究院有限公司;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯光电探测器及制备方法，其包括：衬底，其长度、宽度及高度方向分别定义为X、Y、Z方向；沿X方向间隔地设于所述衬底上的光输入端和光输出端；位于所述光输入端和光输出端之间的光波导结构，其包括：设于所述衬底上的第一金属电极、折射率层和第二金属电极及设于所述高折射率层表面的石墨烯层，所述第一金属电极、折射率层和第二金属电极沿Y方向依次布置并相连；所述折射率层包括沿Y方向依次布置并相连的第一低折射率层、高折射率层和第二低折射率层，所述高折射率层两端分别与光输入端和光输出端相连，石墨烯层两端沿Y方向延伸至分别覆盖所述第一金属电极和第二金属电极。本发明可以提高探测响应度及光电探测带宽。
一种石墨光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于热载流子的隐身探测器-CN201810714214.3有效
发明人：詹耀辉;黄敏;胡增荣;姚凯强 -专利权人：苏州大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于热载流子的隐身探测器，其包括基底线，基底线上依次气相沉积有第一导电层、隧穿层和第二导电层，第一导电层和第二导电层上均设有电极，第一导电层、隧穿层和第二导电层在光照时产生电流，同时产生法诺共振，在探测特定波长的光时，不改变光场。本发明的基于热载流子的隐身探测器基于热载流子输运机制，其第一导电层和第二导电层既作为光学元件，又作为电学元件，使探测器功能高度集成。同时基于法诺共振机制，在基底线上依次气相沉积第一导电层、隧穿层和第二导电层的三层结构，在特定波长光的激励下，其散射效率为极小值，能够实现在获取光电信息的同时不破坏或扰动背景场，实现光学视场不可见。
一种基于载流子隐身探测器

[发明专利]一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器及其制备方法和应用-CN201611144760.5有效
发明人：贺军辉;田华 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种还原氧化石墨烯薄膜光电探测器，该光电探测器包括还原氧化石墨烯薄膜和表面电极；还原氧化石墨烯薄膜为有基底还原氧化石墨烯薄膜或无基底还原氧化石墨烯薄膜；表面电极为对称叉指电极，是在还原氧化石墨烯薄膜上蒸镀金属制得。本发明制备工艺非常简单，通过该方法获得的还原氧化石墨烯光电探测器具有响应率高、面积可控、可常温常压下宽光谱探测的特性。本发明发现采用非常简单的基底剥离法即可获得自支撑无基底还原氧化石墨烯薄膜，其蒸镀金属制得的自支撑无基底还原氧化石墨烯薄膜光电探测器的光电响应增强，且具有良好的吸光率。
一种还原氧化石墨薄膜光电探测器及其制备方法应用

[实用新型]一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器-CN201921305828.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南安翰臣枫商贸有限公司
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于金属孔洞薄膜电极和外尔半金属的光电探测器，该探测器包括从下往上依次设置的衬底、金属薄膜电极、外尔半金属材料、顶电极，金属薄膜电极和顶电极连接电压源和电流表，并形成回路，金属薄膜电极上设有孔洞，提高外尔半金属材料对光的吸收，从而提高探测灵敏度。此外，在金属薄膜电极上还设置有金属颗粒，更进一步提高了器件对光的吸收，从而更进一步地提高器件的探测灵敏度。
一种基于金属孔洞薄膜电极外尔半光电探测器

[发明专利]一种大面积PbI2-CN201810263814.2有效
发明人：王春瑞;孙林;胥留;陈效双 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种大面积PbI2薄片的合成及其柔性光电探测器的构建。所述的大面积PbI2薄片的合成方法，其特征在于，包括将氯化铅、碘和硫脲加入到反应釜中，反应釜内装入水至总体积的80％‑90％，进行搅拌、超声后，放入烘箱在120‑150℃下保持8‑12小时，然后自然冷却至室温；将产物过滤并洗涤，干燥后，获得PbI2薄片。本发明溶液合成方法简单，产物尺寸大、产量高，器件构建工艺简单，易于规模生产，重复性好。
一种大面积 pbi base sub

[发明专利]具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片及其制备方法-CN201810584916.4有效
发明人：叶辉;种海宁;王哲玮;徐泽民;伍科 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有Ge缓冲层、重掺杂Ge层，所述重掺杂Ge层上刻蚀有亚波长微结构阵列。本发明还公开了所述的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片的制备方法。与III‑V族半导体相比，本发明的具有增强中红外光谱信号功能的硅基芯片具有弱晶格吸收特性，更适合作为分子传感器芯片材料；以硅为衬底，便于与电子器件进行单片集成，大大提高了器件的稳定性和可量产性。
具有增强红外光谱信号功能芯片及其制备方法

[发明专利]一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法-CN201710470592.7有效
发明人：陈雨璐;王兵兵;王晓东;张传胜;谢巍;侯丽伟;潘鸣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种台面式硅掺砷阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括在高导硅衬底上外延生长硅掺砷吸收层，掺杂砷离子；在吸收层上外延生长高阻硅阻挡层；再通过光刻、离子注入、快速热退火、深硅刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、反应离子束刻蚀、湿法腐蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极。本发明的优点在于：采用化学气相沉积法外延生长硅掺砷吸收层，便于增加吸收层厚度和调节掺杂浓度，提高吸收层的吸收效率及器件响应率，避免了离子注入引起的损伤，降低了暗电流；将负电极设置在高导硅衬底上，缩短了光生载流子的输运路径，降低了光生载流子被高导硅衬底中杂质和缺陷俘获的几率，进一步降低器件的暗电流，提高响应率。
一种台面式硅掺砷阻挡杂质探测器及其制备方法

[发明专利]一种红外探测器及其制造方法-CN201711337658.1有效
发明人：康晓旭;李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明揭示一种红外探测器及其制造方法。所述红外探测器包括：像元阵列区；非像元区，环绕所述像元阵列区；光刻shot间隔区，环绕所述像元阵列区、设置于所述像元阵列区和所述非像元区之间，所述光刻shot间隔区包括：多个电连接区，所述电连接区包括第一金属连接层以及设置于第一金属连接层入光侧的第一反射连接层，其中，位于所述电连接区两侧的所述像元阵列区和所述非像元区之间通过所述第一金属连接层和所述第一反射连接层电连接；多个光刻图形放置区，设置于多个所述电连接区之间。该红外探测器的结构所采用的拼接技术方案，能够满足大阵列成像所使用的红外成像探测器的制造工艺中，解决拼接工艺中拼接边界出现图形畸变等问题，提升产品的性能。
一种红外探测器及其制造方法

[发明专利]一种基于双光子吸收的硅纳米线光电探测器-CN201510548075.8有效
发明人：但亚平;哈米德雷扎·新安坡尔 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种基于双光子吸收的硅纳米线光电探测器，包括：第一硅层；二氧化硅层；第二硅层，经蚀刻后形成为同心圆光栅状；硅纳米线，由第二硅层经蚀刻后形成，用于接收入射光；等离子体天线对，用于增强进入硅纳米线的纳米间隙内的入射光的光强。由于通信波段光子能量低于半导体硅的能级禁带宽度，因此在通信波段硅的单个光子吸收系数极低且与光强无关。硅吸收双光子的系数也同样很低，但双光子吸收系数与光强成正比，增大光强能线性地提高双光子吸收。上述等离子体天线可以极大程度地将入射光限制在硅纳米线所在的纳米间隙内，从而增强光强至少5个数量级，这显著增强了硅的总吸收系数中双光子吸收，在硅纳米线中能大量地产生电子‑空穴对并出现光电流。
一种基于光子吸收纳米光电探测器