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[发明专利]薄膜晶体光传感器、制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法-CN200910055742.3有效
发明人：李卓谕 -专利权人：华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管光传感器与一种液晶显示面板乃利用分别运用氟硅氧碳氢化合物介电层与包括氟硅氧碳氢化合物的凸块结构，以分别形成一具低电阻电容负载的薄膜晶体管光传感器以及一具低介电系数凸块结构的液晶显示面板。此外，另公开一种制作氟硅氧碳氢化合物介电层的方法，其运用包含三甲基硅甲烷、四氟化碳、氩气以及氧气的气体进行薄膜沉积制程，以形成一具有低介电系数的氟硅氧碳氢化合物介电层。
薄膜晶体传感器制作氟硅氧碳氢化合物介电层方法

[发明专利]感光组件-CN200910111517.7有效
发明人：李威龙;王文哲 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种感光组件，其特征在于：包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该源极与该汲极皆设于该半导体层上，且该源极与该汲极分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极，且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列。本发明可以在有限的感光组件空间内增进感光区域面积，使得感光效率大为提升，解决目前业界面临的困境。
感光组件

[发明专利]光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件-CN200910009810.2有效
发明人：田中勉;达拉姆·帕尔·戈斯艾因 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件，其中，该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极，其中，被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量，并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。
光学传感器元件成像装置电子设备存储

[发明专利]阻挡层的选择性实施以实现在具有高k电介质的CMOS器件制造中的阈值电压控制-CN200580016189.2有效
发明人： N·A·小博亚尔祖克;C·小卡布拉尔;E·A·卡蒂尔;M·W·库珀;M·M·弗兰克;E·P·古塞夫;S·古哈;R·詹米;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁许里 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-30 - 公布日： 2009-05-06 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种形成CMOS结构的方法以及由此制造的具有改善的阈值电压和平带电压稳定性的器件。本发明方法包括以下步骤：提供具有nFET区和pFET区的半导体衬底；在所述半导体衬底顶上形成电介质叠层，所述电介质叠层包括在高k栅极电介质顶上的绝缘中间层；从所述nFET区去除所述绝缘中间层，而不从所述pFET区去除所述绝缘中间层；以及提供在所述pFET区中的至少一个栅极叠层和在所述nFET区中的至少一个栅极叠层。所述绝缘中间层可以是AlN或AlO_xN_y。所述高k电介质可以是HfO₂、硅酸铪或氧氮化铪硅。所述绝缘中间层可以通过包括HCl/H₂O₂过氧化氢溶液的湿法蚀刻从所述nFET区去除。
阻挡选择性实施实现具有电介质 cmos 器件制造中的阈值电压控制

[发明专利]在X射线成像仪中将直接转换的X射线的影响最小化-CN200680013674.9有效
发明人： D·R·谢弗;T·A·沃尔查普 -专利权人：塞浦路斯半导体公司
申请日： 2006-03-01 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：在一实施例中，用于X射线成像仪(200)的图像传感器(290)包括光电二极管(223)和读出电路。在读出电路之下形成的深阱(232)可以被配置为二极管，用以排出寄生电子，否则的话，寄生电子会在图像中产生噪声。例如，寄生电子可以被排出到电源或者用于计量目的的测量电路。
射线成像中将直接转换影响最小化

[发明专利]光电感应元件-CN200710181799.9有效
发明人：陈纪文;张孟祥 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种光电感应元件，其包含一本质层、第一离子掺杂区、第二离子掺杂区、一氧化绝缘层以及一栅极金属。第二离子掺杂区相对于第一离子掺杂区设置于本质层的另一侧，其可为P型或N型离子。本质层还包含第一光感测区，该第一光感测区设置于和第一离子掺杂区相邻，用来于一光线照射时，依据该光线的强度产生电子空穴对。
光电感应元件

[发明专利]包含浮栅MOSFET的光探测器-CN96195181.8无效
发明人：蒂莫·欧卡里;尤卡·克海兰恩;尤卡·哈思拉迪 -专利权人：拉多斯技术公司
申请日： 1996-06-28 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：光探测器包括能发射光电子的光致发射表面，使用具有浮栅的MOSFET来探测光电子，在测量之前适当给浮栅充电使光电子可引起浮栅电荷的改变，探测到的改变代表由探测器接收到的光量。
包含 mosfet 探测器

[发明专利]光传感器和光传感器系统-CN00801588.0有效
发明人：佐佐木和広;佐佐木诚;腰冢靖雄 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2000-07-28 - 公布日： 2001-10-24 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：由于光传感器阵列被设置有一或多个半导体层,所述半导体层具有用于通过入射激发光二生成载流子的载流子生成区,这些载流子生成区的位置可被任意地设定以使均衡入射光在两维方向上行进的平衡,实现了带有较少失真的感知。
传感器系统