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[发明专利]一种肖特基型异质结光电探测器及其制备方法-CN202310467240.1在审
发明人：李京波;雷剑鹏;郑照强;杨雄;吴望龙;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基型异质结光电探测器及制备方法，器件包括：衬底、U型GaN层、绝缘层、金属材料层、源电极以及漏电极；U型GaN层设置在衬底上方；绝缘层设置在U型GaN层上方，绝缘层上形成有多个开孔，开孔使绝缘层上暴露出U型GaN层；金属材料层设置在开孔内，并与U型GaN层接触形成肖特基异质结；源电极设置在U型GaN层上方；漏电极设置在金属材料层上方，漏电极一端堆叠在绝缘层上，另一端堆叠在金属材料层上，漏电极与U型GaN层不接触，漏电极与源电极之间互不相连。金属材料层与U型GaN层接触形成肖特基异质结，器件可以表现出自供电的性能，肖特基异质结可以抑制GaN材料的暗电流，从而使本发明的探测器具有较高的响应度以及光开关比。
一种肖特基型异质结光电探测器及其制备方法

[实用新型]一种高效率三螺杆泵芯-CN202320253714.8有效
发明人：杨青松;黄加兴;周伟;程智宇;吴望龙;丁家波;程飞 -专利权人：黄山工业泵制造有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： F04C2/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高效率三螺杆泵芯，包括主动螺杆组件、从动螺杆组件、衬套组件、密封垫及前端盖；主动螺杆组件包括主动螺杆及压环，从动螺杆组件包括从动螺杆和平衡轴套，平衡轴套安装于从动螺杆右端并形成配合间隙；平衡轴套内设置有回油孔及U型回油槽，衬套组件包括回油管、出口腔及入口腔；密封垫安装于平衡轴套与前端盖之间；在前端盖上设置有环形油孔、进油口及回油口，进油口与回油孔连接；回油管分别与回油口及出口腔连通。通过本技术方案，降低了油液从螺杆与衬套之间的泄漏量以及油液通过前端盖中进油口的泄漏量，提高了三螺杆泵的容积效率。
一种高效率螺杆

[发明专利]宽栅增强型HEMT器件及其制备方法-CN202310110755.6在审
发明人：李京波;王小周;韩理想;刘杭瓒;刘传凯;吴望龙;刘志远 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请公开了宽栅增强型HEMT器件及其制备方法，其中，宽栅增强型HEMT器件包括：衬底；U‑GaN缓冲层，位于衬底的上表面；P‑GaN层，位于U‑GaN缓冲层的表面；U‑GaN沟道层，位于P‑GaN层的表面；AlGaN势垒层，位于U‑GaN沟道层的表面，具有第一沟槽和第二沟槽；源电极，形成在第一沟槽；漏电极，形成在第二沟槽；栅介质层，位于AlGaN势垒层、源电极以及漏电极的表面；宽栅电极，形成在栅介质层的表面。本申请不采用P‑GaN在上层的结构，而是将P‑GaN放在AlGaN势垒层下方，这样设置可以避免因P‑GaN刻蚀不均匀对AlGaN势垒层所造成的破坏，减少了2DEG的损耗，使器件的电学性能更加稳定；用宽栅电极来覆盖AlGaN势垒层、源电极和漏电极，宽栅电极可以使耗尽的2DEG反型，从而达到开启的效果。
增强 hemt 器件及其制备方法

[发明专利]用于提升晶圆退火质量的激光退火设备-CN202310103787.3在审
发明人：李京波;王小周;龚彬彬;韩理想;吴望龙 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于提升晶圆退火质量的激光退火设备，包括：载物台；第一载镜台，具有能够上下和左右移动的第一滑杆；第一反光镜，转动安装在第一滑杆上；第二载镜台，具有能够上下和左右移动的第二滑杆；第二反光镜，转动安装在第二滑杆上；激光装置，用于形成预热激光和退火激光，预热激光的功率小于退火激光的功率。本申请操作时，可实现当前区域的退火与下一区域的预热同时进行，大幅降低了晶圆表面的热应力形变，同时提升了退火效率。本申请载物台为固定装置，晶圆置于其上，且两者固定不动，避免或大幅减少了现有退火设备中因晶圆运动所产生的一些影响退火质量的杂质。
用于提升退火质量激光设备

[发明专利]GaN基HEMT器件的制备方法-CN202310096668.X在审
发明人：李京波;王小周;韩理想;刘传凯;吴望龙;刘志远;刘杭瓒 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请公开了一种GaN基HEMT器件的制备方法，包括以下步骤：S1、制备得到外延片；S2、在外延片上刻蚀出台面；S3、在AlGaN层上，蚀刻出第一凹槽和第二凹槽；S4、在第一凹槽上形成源电极，在第二凹槽上形成漏电极，然后在温度为550～600℃下退火1.5～3min；S5、在外延片表面沉积栅介质层；S6、在栅介质层的表面蒸镀得到栅电极。本申请利用HEMT自发极化和压电极化形成的二维电子气先天优势，结合550～600℃相对较低的退火温度和1.5～3min更短的退火时间，实现良好的源电极和漏电极的欧姆接触，同时减少了高温和长时间退火对源电极和漏电极的损伤，也提高HEMT欧姆接触制作的效率。
gan hemt 器件制备方法

[发明专利]外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法-CN202211654194.8在审
发明人：李京波;韩理想;吴望龙;王小周;刘传凯;刘杭瓒;刘志远 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请公开了外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法，其中，外延结构，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；U‑GaN缓冲层，位于衬底的第一表面；P‑GaN层，位于U‑GaN缓冲层的表面；N‑GaN沟道层，位于P‑GaN层的表面；AlGaN势垒层，位于N‑GaN沟道层的表面。本申请外延结构，P‑GaN层在N‑GaN沟道层下方，AlGaN势垒层在最上端，避免了由于P‑GaN层刻蚀深度把控不准确而对AlGaN势垒层产生破坏，进而影响了2DEG的问题，本申请的外延结构提升了器件的可靠性与稳定性。
外延结构增强 hemt 紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种模型参数转换的方法及装置-CN202210168582.9在审
发明人：贺捷;吴望龙 -专利权人：北京三快在线科技有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G06F16/178 文献下载
摘要：本说明书公开了一种模型参数转换的方法及装置，可以获取待构建模型所需参数类型下的模型参数，并将该模型参数传入待构建模型中，以通过该待构建模型中预先部署的参数转换关系，并基于该模型参数进行格式转换，得到标准格式下的第一参数，进而，将标准格式下的第一参数，通过待构建模型中预设的转换函数进行转换，得到自定义计算层所需参数类型下的第一参数，并传入到待构建模型的自定义计算层中，以构建得到包含有自定义计算层的待构建模型，以及通过构建出的待构建模型执行待构建模型对应的目标业务，其中，自定义计算层是针对该目标业务额外配置出的网络层，从而提高了模型部署的效率。
一种模型参数转换方法装置

[发明专利]模型训练及目标检测方法、装置、存储介质及电子设备-CN202111637661.1在审
发明人：张寿奎;吴望龙 -专利权人：北京三快在线科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本说明书公开了模型训练及目标检测方法、装置、存储介质及电子设备。在建立标注框和参考框之间的对应关系时，可以先根据标注框和参考框的位置为标注框筛选出一部分与该标注框距离较近的参考框，并仅为标注框建立与所筛选出的参考框之间的对应关系。由于确定标注框和参考框的位置以及确定标注框和参考框之间的距离所需要消耗的计算资源相较于计算标注框和参考框之间的重合度所消耗的计算资源较小，因此，采用本说明书提供的模型训练方法能够在占用较少的计算资源的条件下更快地建立标注框和参考框之间的对应关系。
模型训练目标检测方法装置存储介质电子设备

[发明专利]用于生成高清晰度地图的方法和系统-CN201980027141.3在审
发明人：许金涛;杨庆雄;冯中杰;吴望龙;李岩 -专利权人：文远知行有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01C21/32 文献下载
摘要：提供了生成高清晰度地图的方法，其可用于自动驾驶中。该方法包括在连续的位置处获得由安装车辆上的传感器生成的连续的绘制地图数据。绘制地图数据用于生成车辆在连续的位置处的距离扫描位姿和GPS位置。该方法还包括根据车辆的距离扫描位姿和GPS位置生成车辆在连续的位置处的连续的优化位姿。然后通过基于优化位姿拼接连续的绘制地图数据来生成地图。
用于生成清晰度地图方法系统

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