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[发明专利]光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法-CN201811062635.9有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
光电晶体管红外探测器制作方法

[发明专利]一种氧化镓多晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法-CN202010894770.0有效
发明人：潘新花;沈乐昀;张涛;叶志镇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓(Ga2O3)多晶薄膜晶体管型紫外探测器的制备方法，该紫外探测器的结构自下而上依次为p型Si层、SiO2层、Ga2O3多晶层和Au/Ti电极对。其采用脉冲激光沉积(PLD)方法制备，包括如下：使用Si/SiO2为衬底材料，采用PLD方法制备Ga2O3多晶层作为沟道层，最后在多晶薄膜表面镀上Au/Ti电极完成薄膜晶体管型紫外探测器的制作，其中衬底SiO2作为绝缘层，衬底Si作为栅极，Au/Ti电极作为源极和漏极。相较于传统的Ga2O3基紫外探测器，此方法制备的薄膜晶体管型紫外探测器具有结构简单、制备简便、暗电流低、光暗比大等优势，为Ga2O3功率器件的发展奠定了基础。
一种氧化多晶薄膜晶体管紫外探测器制备方法

[实用新型]感光元件以及具有感光元件的显示面板-CN202220415013.5有效
发明人：苏家兴;康镇玺;周凯茹 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请公开一种感光元件以及具有感光元件的显示面板。在感光元件中，第一金属电极与第二金属电极设置在基板上；第一掺杂半导体层覆盖第一金属电极，第二掺杂半导体层覆盖部分第二金属电极，第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层之间的第一间隔大于第二金属电极与第一金属电极之间的第二间隔；钝化层覆盖被第二间隔显露出的基板与被第一间隔显露出的第二金属电极；感光半导体层覆盖钝化层、第一掺杂半导体与第二掺杂半导体；栅极绝缘层覆盖感光半导体层，栅极绝缘层相对感光半导体层的一侧为光入射面；栅极电极对应于第二间隔的位置设置在栅极绝缘层上。
感光元件以及具有显示面板

[发明专利]晶体管型光电探测器及其制备方法-CN202210113905.4在审
发明人：周绍元;王颖;魏楠;张志勇 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京大学;北京交通大学
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本公开提供一种晶体管型光电探测器，包括：第一电极；第二电极，第二电极与第一电极间隔开；沟道层，沟道层至少设置在第一电极与第二电极之间；光敏层，光敏层设计为p‑i‑n异质结结构，光敏层的材料由需要探测的波段所决定；以及介质层，介质层设置沟道层与光敏层之间。本公开还提供了一种晶体管型光电探测器及其制备方法。
晶体管光电探测器及其制备方法

[发明专利]光传感器和显示装置-CN202011430485.X有效
发明人：蔡广烁 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种光传感器和显示装置，该光传感器包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、保护层，其中，光传感器包括光传感器电路，光传感器电路包括光传感器晶体管和开关晶体管，光传感晶体管包括第一有源图案，开关晶体管包括第二有源图案，第一有源图案的材料包括非晶硅，第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃；本申请实施例通过采用光传感晶体管和开关晶体管形成光传感器电路，并在结构设计中，采用非晶硅作为光传感晶体管的第一有源图案，使得第一有源层图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃，从而提高了光传感晶体管的光生载流子数量，从而使得光传感器的响应较高，提高了指纹或者指纹识别成功率。
传感器显示装置

[发明专利]一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器-CN201910572514.7有效
发明人：杨树明;吉培瑞;杨晓凯;王一鸣 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯纳米带的红外宽光谱探测器，包括石墨烯纳米带、栅极、源极、漏极和栅极介质。该探测器中石墨烯纳米带的带隙大小一方面可根据其宽度调节，另一方面可通过栅压调节，整体实现两个维度上的带隙可调。不同带隙大小对应探测器不同的光响应频率。因此，该探测器具有宽光谱探测能力，实现探测波段覆盖760nm‑100μm的全红外波探测。且探测灵敏度高、响应速度快，可有效解决红外宽光谱探测的迫切需求。
一种基于石墨纳米红外光谱探测器

[发明专利]一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法-CN202210023809.0在审
发明人：刘丹敏;徐国梁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法，涉及微电子异质结光电探测器件应用领域。采用机械剥离的方法剥离二维金属材料(Fe3GeTe2、Graphene)，叠层过渡族金属硫化物WSe2，形成Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结。在此结构中不同范德华金属电极与沟道材料WSe2的接触长度存在差异，形成非对称的几何接触形状，获得不同的肖特基势垒高度，从而形成有效的结区内部电场，产生自驱动电流。此光电探测器具有结构简单、暗电流几乎为零、响应度高、响应速率快、灵敏度高等特点。Fe3GeTe2‑WSe2‑Graphene异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用。
一种基于范德华金属电极驱动光电探测器构筑方法

[发明专利]一种双波段可调谐室温红外光电探测器-CN202111624685.3在审
发明人：郭俊雄;陈建波;林霖;李尚栋;吴琬晶;蔡吉;叶菁华 -专利权人：成都大学
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种双波段可调谐室温红外光电探测器，包括导线、源/漏电极、石墨烯、衬底、底电极薄膜和铁电薄膜，所述源/漏电极的顶部为接触金属电极；所述石墨烯与铁电薄膜接触，并且接收被检测的红外光信号；所述源/漏电极与石墨烯接触，并且收集石墨烯接收红外光信号后产生的正负电荷，且通过连接导线形成源/漏电流，本发明涉及红外光电探测器技术领域。该双波段可调谐室温红外光电探测器，使用石墨烯，可与基底以范德华力接触，无需考虑晶格匹配问题，无需复杂的外延生长工艺，大大降低了生产成本，本发明无需对石墨烯图形化，避免了石墨烯加工过程中对材料的损伤及不光滑边缘的产生，简化了加工流程。
一种波段调谐室温红外光电探测器

[发明专利]一种光敏薄膜晶体管及其制备方法-CN201911083473.1有效
发明人：丁士进;王晓琳;吴小晗;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种光敏薄膜晶体管及其低温制备方法。本发明光敏薄膜晶体管采用钙钛矿量子点作为光敏材料，通过改变钙钛矿量子点中卤族元素的比例，可以使器件对不同波长的光产生响应；同时，该光敏薄膜晶体管所制备方法含括：原子层沉积制备Al2O3栅介质，磁控溅射生长非晶铟镓锌氧化物（a‑IGZO）沟道层，旋涂法制备钙钛矿量子点，电子束蒸发制备源漏电极；所有工艺长温度均不超过40℃，且器件制备过程中无需进行热处理，即可得到高性能光敏薄膜晶体管。本发明可应用于柔性电子和光电探测等领域。
一种光敏薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种低功耗可调谐室温中红外光电探测器及制作方法-CN202111413076.3在审
发明人：郭俊雄;陈建波;林霖;李尚栋;吴琬晶;蔡吉 -专利权人：成都大学
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明属于红外光电探测器技术领域，尤其是一种低功耗可调谐室温中红外光电探测器及制作方法，包括源电极、漏电极、石墨烯、衬底、设于衬底上的底电极、设于底电极上的周期极化的铁电薄膜、导线；石墨烯与周期极化的铁电薄膜接触，源电极、漏电极与石墨烯接触，源电极、漏电极的顶部均设有接触电极，本发明无需对石墨烯图形化，避免了图形化石墨烯加工过程中对材料的损伤及不光滑边缘的产生，无需复杂接触电极的制备，简化了器件的制造工艺，降低了大规模生产的成本，采用功函数有差异的金属电极作为源漏接触电极，无需外加偏压，器件即可工作，大大降低了功耗，可在室温工作。
一种功耗调谐室温红外光电探测器制作方法

[发明专利]一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法-CN202110465733.2有效
发明人：张跃;于慧慧;张铮;张先坤;高丽;洪孟羽;柳柏杉;肖建坤;汤文辉;李瑞山 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及紫外光电探测器技术领域，具体涉及一种栅压可调的氧化锌紫外光电探测器及其制备方法；所述栅压可调的氧化锌紫外光电探测器包括设置在底层的绝缘硅衬底，设置在绝缘硅衬底上的二维氧化锌纳米片层以及设置在二维氧化锌纳米片层上的电极层；所述电极层为互不相交的两个金属电极，两个金属电极的间隔位置形成氧化锌沟道。进一步地，所述二维氧化锌纳米片层和每个金属电极之间还设置有二维材料层，所述二维材料具有金属性或半金属性。本发明通过利用离子层外延法合成了超薄氧化锌纳米片，设计了一种可通过外界电场调控光电探测器性能的超薄氧化锌紫外光电探测器。
一种可调氧化锌紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种单晶体管多维度光信息探测器-CN202010300626.X有效
发明人：万景;宗钰 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶体管多维度光信息探测器，其包含：衬底、下氧化层、沟道层、上氧化层、源区、漏区、第一上栅极、第二上栅极、以及偏振光栅；其中，衬底、下氧化层、沟道层、上氧化层由下向上依次叠置，源区和漏区设在沟道层的两端；衬底作为下栅极；第一上栅极和第二上栅极设在上氧化层上；偏振光栅设在第一上栅极上或第二上栅极上。本发明的光电探测器具有3个栅极，调控两个上光电栅极与下栅极(衬底)的耦合效应，可以分别提取出入射光的光强，波长和偏振信息。相比于传统的多波长和偏振探测器，其光电功能更加丰富，体积小巧且成本低。
一种晶体管多维信息探测器

[发明专利]一种光探测-光存储一体器件-CN202111132529.5在审
发明人：张永哲;龚帆;陈小青;李松宇 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-09-26 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种光探测‑光存储一体器件，涉及光电探测器技术领域。其中，所述器件结构从下至上依次包括：衬底、第一绝缘层、光吸收层、电极。其中衬底是由导电层/第二绝缘层组成的双层结构，光吸收层为二维材料，第一绝缘层为二维绝缘材料。通过这样的器件结构和材料选择我们在单一器件中同时实现了光探测和光存储功能。
一种探测存储一体器件

[实用新型]一种室温双通道可调控的太赫兹探测器-CN202121268218.7有效
发明人：刘昌龙;张拾;马汝佳;李冠海;陈效双 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种室温双通道可调控的太赫兹探测器，探测器包括覆盖氧化硅的硅衬底，在覆盖氧化硅的硅衬底上转移分子束外延生长的一维砷化铟纳米线，在一维砷化铟纳米线延伸方向制备源漏电极以及相应的引线电极，在一维砷化铟纳米线的导电沟道上面生长氧化铝栅介质层，分立栅电极分别与对数周期天线两臂互连，在与对数周期天线两臂间距中转移二维石墨烯导电沟道，二维石墨烯导电沟道全部覆盖分立栅电极的外部。本实用新型采用双通道、响应高且可多维度调控的太赫兹探测；器件的集成度、工艺成熟及可重复性，为实现室温、集成、多通道、可调控的太赫兹探测研究奠定器件与理论基础。
一种室温双通道调控赫兹探测器

[发明专利]一种基于二维材料CrPS4-CN202110841776.6在审
发明人：刘丹敏;徐国梁 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明提出一种基于二维材料CrPS4异质结的可见‑近红外光电探测器的构筑及其制备方法，红磷、金属铬粉、硫粉三种混合粉末放入石英管中并采用氩气密封，密封好的石英管放入双温区加热炉中生长二维材料，高温区温度为700‑800℃，低温区温度为600‑700℃，保温10天后，得到亮黑色的CrPS4。采用机械剥离的方法剥离二维材料CrPS4，叠层过渡族金属硫化物二硫化钼，形成CrPS4‑MoS2异质结，异质结具有良好的整流特性、快的响应速度以及可见‑近红外光电探测特性，可以在室温下使用，不需要冷却系统。CrPS4‑MoS2异质结可以拓展于二维材料相关的微电子器件及光电探测器领域的应用，更好的满足下一代集成电路的发展要求。
一种基于二维材料 crps base sub