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[发明专利]氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法-CN201880040851.5有效
发明人：汤田洋平;绵引达郎;古川彰彦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-06-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法，在抑制异种材料向肖特基界面扩散的同时，提高被施加反向电压时的耐压。氧化物半导体装置具备：n型的氧化镓外延层(2)；p型的氧化物半导体层(5)，是与氧化镓外延层的材料不同的材料的氧化物；电介体层(7)，以覆盖氧化物半导体层的侧面的至少一部分的方式形成；阳极电极(4)；以及阴极电极(3)，在氧化物半导体层的下表面与氧化镓基板(1)之间或者氧化物半导体层(5a)的下表面与氧化镓外延层(2)之间形成异质pn结。
氧化物半导体装置以及制造方法

[实用新型]电子装置-CN202123264016.8有效
发明人： A·伊万;L·让 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本公开涉及电子装置，例如涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。
电子装置

[发明专利]一种高稳定性开放结塑封硅整流二极管的制造方法-CN202011466885.6有效
发明人：李金栋;李斌 -专利权人：山东融创电子科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种高稳定性开放结塑封硅整流二极管的制造方法，包括：步骤1，二极管晶粒的制备；步骤2，铜引线电极回火；步骤3，装填；步骤4，焊接；步骤5，清洗；步骤6，塑封。本发明方法生产的二极管，气孔面积小，良品率高，有效避免焊接不密集牢固的问题。提高产品高温下的可靠性，特别是有效改善二极管的反向稳定耐压、稳定低正向压降、高温漏电流、使用寿命等指标。
一种稳定性开放塑封整流二极管制造方法

[发明专利]一种高阻抗半导体电阻器结构及其制作方法-CN202210711972.6在审
发明人：杨健;王浩;何先良;魏鸿基 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/8605 文献下载
摘要：本发明公开了一种高阻抗半导体电阻器结构及其制作方法，包括GaAs器件外延层以及设于GaAs器件外延层之上的GaAs基PN结构，所述GaAs基PN结构由下至上包括N型层、第一P型层、蚀刻停止层和第二P型层，第二P型层上设有两金属电极，且第二P型层位于两金属电极之间的部分下凹形成凹槽。本发明解决了传统GaAs基外延电阻阻抗低的应用限制问题，获得高外延电阻、低接触电阻的半导体电阻器，拓宽了产品在高阻抗特性上的应用，同时增大了GaAs器件外延层的PN结构的利用率。
一种阻抗半导体电阻器结构及其制作方法

[发明专利]一种具有导通压降自钳位的半导体器件及其制备方法-CN202210777870.4有效
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/866 文献下载
摘要：本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有导通压降自钳位的半导体器件及其制备方法；本发明相比传统快恢复二极管结构，集成可自钳位压降的齐纳二极管结构，通过在沟槽内上部纵向交替设置第一N型多晶硅和第一P型多晶硅，下部横向交替设置第二N型多晶硅和第二P型多晶硅，使器件集成反向并联的齐纳二极管，在产生较大浪涌电流时利用其齐纳击穿特性能够钳位导通压降，从而避免器件损坏；通过在体区和P型重掺杂区之间设置倒“T”型的沟槽，能够在动态反向恢复过程中将结深较浅的P型重掺杂区屏蔽起来，从而有效保护P型重掺杂区，增大了器件的反向偏置安全工作区（RBSOA）。
一种具有导通压降半导体器件及其制备方法

[实用新型]体内击穿玻钝二极管-CN202120933431.9有效
发明人：刘德军;龚昌明;袁正刚;李应明;洪杜桥;夏静 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种体内击穿玻钝二极管，包括管芯、电极引线，电极引线设于管芯的两端，管芯与电极引线的外周包覆有钝化玻璃，管芯两端的电极引线分别伸出钝化玻璃；管芯的正面中部为P+突变结，围绕P+突变结设有一圈P区缓变结，P+突变结的端面设有铝片，管芯的背面为N+区扩散。本实用新型在管芯P面的中心位置装上铝片，在装电极引线、管芯烧焊时，P面与铝片又合金形成P+突变结，P面周围的区域仍然是P区缓变结；N型硅片衬底的背面形成N+区，与电极引线形成良好的欧姆接触；在相同衬底N区电阻率下，P区的反向击穿电压高于P+的的反向击穿电压；从而实现了体内击穿，大大提高了二极管的成品率及使用可靠性。
体内击穿二极管

[发明专利]高耐压垂直型二极管及其制备方法-CN202210752449.8在审
发明人：邹苹;李博;廖泽亮;王灏帆;刘新科 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;东莞市中器集成电路有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种高耐压垂直型二极管及其制备方法，二极管包括：衬底；N型GaN漂移层，设置于衬底的第一面上，N型GaN漂移层的掺杂浓度小于或等于1×1015cm3；P型GaN层，设置于N型GaN漂移层上，P型GaN层设置为呈自下而上依次缩进的台阶结构；P电极，形成于P型GaN层的顶部；N电极，形成于衬底的第二面。本发明的垂直型二极管，在衬底上外延生长了一层极低掺杂浓度的GaN漂移层，并将二极管的结构制作成多重斜梯式，从而减少台阶边缘处的应力集中和电场集中，本发明的二极管可以实现更高的可靠性、更高的耐压性能及更长时间的正常工作，并可提高器件使用寿命。
耐压垂直二极管及其制备方法

[发明专利]快恢复二极管-CN202210966361.6在审
发明人：吴小利;王海军 -专利权人：上海擎茂微电子科技有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管包括：第一导电类型的第一电极区，第二导电类型的第二电极区和悬浮电极区。第二电极区和悬浮电极区之间间隔有第一导电类型的沟道区；第一栅极结构覆盖沟道区并形成MOS晶体管。第一电极区和第二电极区相接触形成第一二极管。第一电极区和悬浮电极区相接触形成第二二极管。第一栅极结构通过可调节电阻和第二电极相连。在反向恢复过程的反向偏压逐渐上升阶段，MOS晶体管导通，悬浮电极区和第二电极区电连接，第一二极管和第二二极管呈并联结构并都正向导通。本发明能改善并调节FRD的反向恢复软度而且能在保持FRD的结构不变时，使用户直接在电路层面调节器件的反向恢复软度，能为优化模块或系统提供更多的自由度。
恢复二极管

[发明专利]一种压敏电阻及其制备方法-CN202210894059.4在审
发明人：李晓波;李维平;兰之康 -专利权人：南京高华科技股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/8605 文献下载
摘要：本发明提供一种压敏电阻及其制备方法，压敏电阻包括硅衬底、第一绝缘层、第二绝缘层、金属导线、压敏薄膜和加热层，所述硅衬底的表面设置有第一绝缘层；所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的远离所述硅衬底的一侧，在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间连接有金属导线；所述压敏薄膜设置于所述第二绝缘层的远离所述第一绝缘层的一侧，所述金属导线的远离所述第一绝缘层的一端与压敏薄膜电连接；所述加热层设置于所述第二绝缘层的朝向所述第一绝缘层的一侧，且所述压敏薄膜与所述加热层的位置相对应。本发明的一个技术效果在于，设计合理，有效地避免了漏电问题，适用范围较广，且能够降低器件的标定和校准的工作量。
一种压敏电阻及其制备方法

[实用新型]稳定型碳化硅二极管器件-CN202221318465.8有效
发明人：赵耀;刘圣前;杨程;原江伟;傅信强;陈鸿骏;王毅 -专利权人：扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：稳定型碳化硅二极管器件。涉及半导体器件技术领域，尤其涉及稳定型碳化硅二极管器件。包括导电底板，所述导电框架呈板状，底部设有向下延伸的第一引脚；第二引脚，所述第二引脚间隔设置在所述第一引脚的一侧；第三引脚，所述第三引脚间隔设置在所述第一引脚的另一侧；FRD芯片，所述FRD芯片键合设置在所述导电底板上，与所述第二引脚电性连接；和SIC芯片，所述SIC芯片键合设置在所述导电底板上，位于所述FRD芯片的侧部，与所述第三引脚电性连接。与传统的引线键合技术相比，芯片键合处接触面积翻倍，优点是：正向通流能力和正向浪涌能力提升。
稳定碳化硅二极管器件

[发明专利]快恢复二极管及其制作方法-CN202210768539.6在审
发明人：祁金伟;张耀辉;卢烁今 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管及其制作方法。该快恢复二极管结构包括：衬底，衬底中具有漂移区，漂移区具有相对的第一侧和第二侧；第一类型掺杂区，第一类型掺杂区位于漂移区中，且第一类型掺杂区沿第一侧指向第二侧的方向延伸，第一类型掺杂区与漂移区的掺杂类型相反；第二类型掺杂区，第二类型掺杂区位于漂移区的第一侧，且第二类型掺杂区的掺杂浓度沿远离漂移区的方向递减，第二类型掺杂区与漂移区的掺杂类型相同；缓冲区，缓冲区位于第二侧，缓冲区与漂移区的掺杂类型相同。通过使第一类型掺杂悬浮于上述漂移区中，能够在更薄的漂移区厚度下实现同等耐压，且第二类型掺杂区的掺杂浓度沿远离所述漂移区的方向递减，提高了器件的反向恢复能力。
恢复二极管及其制作方法

[发明专利]沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管-CN202210778209.5在审
发明人：李磊;许生根;杨晓鸾;孔凡标;李哲锋 -专利权人：江苏中科君芯科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管。其包括N型衬底以及阴极电极；在所述N型衬底的正面制备沟槽型发射极，沟槽型发射极包括N型埋层、位于所述N型埋层上的P型层、位于所述P型层上的发射极金属层以及若干发射极沟槽，其中，对任一发射极沟槽，所述发射极沟槽贯穿P型层以及N型埋层，发射极沟槽的槽底位于N型埋层的下方，所述发射极沟槽的内壁覆盖沟槽绝缘氧化层，在覆盖有沟槽绝缘氧化层的发射极沟槽内填充有发射极导电多晶硅；所述发射极金属层与P型层以及发射极沟槽内的发射极导电多晶硅欧姆接触。本发明具有较快的反向恢复时间，动态损耗小，软度好，高温漏电小，可靠性高，温度系数小，提升反向阻断能力。
沟槽发射极载流子注入控制恢复二极管

[发明专利]一种小体积多芯片的贴片二极管-CN202210878402.6在审
发明人：黄日成;冷河清 -专利权人：佛山市佳丽美电子科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种小体积多芯片的贴片二极管，包括绝缘塑封体，所述绝缘塑封体内设有第一芯片、第二芯片；所述第一芯片位于所述第二芯片沿z轴方向的上方，所述第一芯片下端的极性与所述第二芯片上端的极性相同，所述第一芯片与所述第二芯片之间设有导电板，所述绝缘塑封体沿x轴方向的两端分别设有第一引脚、第二引脚，所述导电板沿x轴方向的一端与第一引脚连接，所述导电板沿z轴方向的两端分别与所述第一芯片、第二芯片电性连接。本发明将两个芯片设计成纵向摆放的结构，经过封装成型后，贴片二极管的体积小，在电路板上的占用空间小。
一种体积芯片二极管

[发明专利]一种快恢复二极管芯片的制造方法-CN202111505411.2有效
发明人：邹有彪;倪侠;徐玉豹;张荣;王全;霍传猛;肖海林 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种快恢复二极管芯片，包括N型单晶衬底，位于衬底内的P型低掺杂区，位于衬底内的P型高掺杂区，位于衬底上表面的钝化层，以及位于衬底上表面的金属层；N型单晶衬底的下表面设置有沟槽，N型单晶衬底位于沟槽的侧面设置有N型高掺杂区，以及在N型高掺杂区的下侧设置有金属层。通过选用N型单晶衬底，能大大降低快恢复二极管芯片的成本，同时通过在晶圆的背面形成沟槽，能将晶圆薄化，降低高阻层厚度，保证快恢复二极管芯片的正向压降，因而能提高产品的性价比。晶圆外围非沟槽区作为薄晶圆的支撑区，避免了薄片操作过程中发生破碎。
一种恢复二极管芯片制造方法

[实用新型]一种新型开关电路用点接触型二极管-CN202221193881.X有效
发明人：吴小丽 -专利权人：深圳市华创达科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型涉及开关电路技术领域，尤其涉及一种新型开关电路用点接触型二极管。其技术方案包括：外壳、阴极引线和阳极引线，外壳的内部设置有空腔，外壳的一侧固定安装有阴极引线，阴极引线的一端固定安装有延伸至空腔内的N型锗片，外壳的另一侧固定安装有阳极引线，阳极引线的一端延伸至空腔内。本实用新型通过设置有第一限位块、第二限位块、第一限位槽与第二限位槽之间的相互配合，能够不易受到外力拉扯的作用下导致与外壳脱落的情况，通过设置有第一防脱冒、第二防脱冒、第一防护套与第二防护套之间的相互配合，能够避免外壳与阴极引线以及阳极引线的连接处发生空隙造成漏电的情况，提高了安全性。
一种新型开关电路点接触二极管