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[发明专利]大功率二极管结构及制造方法-CN202210498787.3在审
发明人：张丽;刘德军;周嵘;肖摇 -专利权人：中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种大功率二极管结构及制造方法，该结构包括底座、管壳、双面蒸铝芯片，所述管壳安装在底座上，双面蒸铝芯片设于管壳内；所述双面蒸铝芯片下面连接有下面镀镍钼片，下面镀镍钼片的下面通过银铜焊片与底座连接；所述双面蒸铝芯片上面连接有上面镀镍钼片，上面镀镍钼片的上面连接有缓冲片，缓冲片上面通过银铜焊片连接有内引线。采用本发明，二极管抗热疲劳性能大大提升，从2千次提升到2万次以上，并且可在更高的温度下工作。
大功率二极管结构制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780052279.X有效
发明人：三岛友義;堀切文正 -专利权人：学校法人法政大学;赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：半导体装置具有：具有n型的导电型的第一半导体层，其由氮化镓系半导体形成；具有p型的导电型的第二半导体层，其层叠在第一半导体层的正上方，由以1×1020cm‑3以上的浓度添加有p型杂质的氮化镓系半导体形成；第一电极，其被配置成与第一半导体层接触；以及第二电极，其被配置成与第二半导体层接触，所述半导体装置作为pn结二极管来发挥功能。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及开关电源装置-CN202110124194.6在审
发明人：井上征;柴田行裕;田口英正 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：【课题】提供一种能够抑制GHz频带噪声的产生的半导体装置。【解决手段】本发明的一种形态所涉及的半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体基板11；第一导电型半导体层12，位于所述半导体基板上；第一第二导电型扩散层13，位于所述第一导电型半导体层内的表面侧；第二第二导电型扩散层14，位于所述第一导电型半导体层内，从平面看与所述第一第二导电型扩散层接触，且包围所述第一第二导电型扩散层，并且耐压比所述第一第二导电型扩散层高；绝缘层15，位于所述第二第二导电型扩散层上以及从平面看位于所述第二第二导电型扩散层外侧的所述半导体层上；以及金属板16，位于所述第一第二导电型扩散层、所述第二第二第二导电型扩散层以及所述绝缘层上。
半导体装置以及开关电源

[发明专利]薄二极管-CN202111589027.5在审
发明人： A·伊万;L·让 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本公开涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。
二极管

[发明专利]无衬底垂直二极管集成电路结构-CN202111438853.X在审
发明人： A·贾扬提纳拉辛哈姆;B·格林;S·维什瓦纳特 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：描述了无衬底垂直二极管集成电路结构和制造无衬底垂直二极管集成电路结构的方法。例如，无衬底集成电路结构包括在电介质层中的半导体鳍状物，半导体鳍状物具有顶部和底部，并且电介质层具有顶表面和底表面。第一外延半导体结构在半导体鳍状物的顶部上。第二外延半导体结构在半导体鳍状物的底部上。第一导电触点在第一外延半导体结构上。第二导电触点在第二外延半导体结构上。
衬底垂直二极管集成电路结构

[发明专利]一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法-CN201910516845.9有效
发明人：刘潮锋;唐新桂 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明属于电子设备的技术领域，尤其涉及一种非晶氧化物薄膜器件及其制备方法。本发明提供了一种非晶氧化物薄膜器件，以玻璃基片为基底层，在所述玻璃基片上物理气相沉积Hf靶材得到HfO2薄膜，形成产品1，将所述产品在500‑600℃条件下退火，形成产品2，在所述产品2的HfO2薄膜的表面及没有沉积HfO2薄膜的玻璃基片镀电极。本发明提供了一种稳定性良好的具有二极管效应氧化物薄膜器件；本发明还公开了一种制备工艺简单的非晶氧化物薄膜器件制备方法。
一种氧化物薄膜器件及其制备方法

[实用新型]一种单向瞬态电压抑制保护器件及电子产品-CN202123271155.3有效
发明人：张富生;许成宗;韩业星 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种单向瞬态电压抑制保护器件及电子设备，所述保护器件包括衬底，第一阱，第二阱，第一注入区，第二注入区，第三注入区和第四注入区；第一注入区，第二注入区，第三注入区和第四注入区依次从左到右相互间隔设置在衬底上，第一阱，第二阱和第三注入区的掺杂类型相同，衬底，第一注入区、第二注入区和第四注入区的掺杂类型相同，第一注入区设置在与其掺杂类型不同的第一阱中，第二注入区设置在与其掺杂类型不同的第二阱中，本申请提供的保护器件具有低电容低触发电压的优点。
一种单向瞬态电压抑制保护器件电子产品

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202011519989.9在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面且与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结，其中，所述第二导电类型半导体层包括局域寿命控制区域和用于与所述第一导电类型半导体层形成所述PN结的区域，所述局域寿命控制区域为由晶格失配材料形成的区域。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202011520153.0在审
发明人：曹群;郭小青 -专利权人：比亚迪半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开涉及一种快恢复二极管及其制备方法，属于半导体技术领域，能够大大降低工艺门槛和价格成本，而且还能够形成更有效的局域寿命控制，提升快恢复二极管的关断软度性能。一种快恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层，所述第一导电类型半导体层的上表面存在晶格失配；第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层位于所述第一导电类型半导体层的上表面，且与所述第一导电类型半导体层的上表面同形，而且，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层相接触以形成PN结。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种快恢复二极管、芯片及其制作方法-CN202011474140.4在审
发明人：胡巍;覃荣震;肖海波;张中华;肖强;罗海辉 -专利权人：株洲中车时代半导体有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本公开提供一种快恢复二极管、芯片及其制作方法，包括：P+型阳极区、基区和N+型阴极区，在所述基区靠近所述N+阴极区的部分还包括：至少一个埋层区，所述至少一个埋层区包括具有第一掺杂类型的第一部分和具有第二掺杂类型的第二部分，所述第一部分与所述第二部分构成PN结。
一种恢复二极管芯片及其制作方法

[发明专利]一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端-CN202210109325.8在审
发明人：汤晓燕;周瑜;袁昊;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供的一种阳极金属覆盖结表面的碳化硅功率器件刻蚀终端包括p+外延层1、基区2、N+衬底3、SiO2钝化层4、背部电极5以及正面电极6；本发明二次刻蚀后阳极金属覆盖PN结侧面和区域2基区上表面，相比于现有技术本发明通过阳极金属覆盖负角处结表面设计方式，可以改变电场集中点处的电位，因此本发明可以降低器件的表面电场，提高器件的击穿电压和击穿效率。
一种阳极金属覆盖表面碳化硅功率器件刻蚀终端

[实用新型]一种基于BN的耐电流SiC PIN二极管-CN202122418641.7有效
发明人：何佳;陈彤;周海 -专利权人：浏阳泰科天润半导体技术有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于BN的耐电流SiCPIN二极管，包括：N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至N型欧姆电极的上侧面；N型重掺杂BN耐压提高层的下侧面连接至N型重掺杂半导体传输层的上侧面；N型本征层的下侧面连接至N型重掺杂BN耐压提高层的上侧面；P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至N型本征层的上侧面；P型欧姆电极的下侧面连接至P型重掺杂半导体传输层的上侧面，保证SiCPIN二极管的耐压能力下，使得电流能力大大提高，并且使得热量更容易往下边扩散，使得PIN二极管的纵向热分布主要集中在SiC材料。
一种基于 bn 电流 sic pin 二极管

[发明专利]一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法-CN202210229795.8有效
发明人：冯浩;刘永;单建安 -专利权人：安建科技（深圳）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法，本发明涉及一种功率半导体器件，通过在N型漂移区上还设置一个以上用于增加电子抽取通路密度的第一结构，第一结构包括有轻掺杂P型基区及设于轻掺杂P型基区上方的重掺杂N型发射区、P型沟槽阳极区及设于P型沟槽阳极区上的沟槽区，重掺杂N型发射区、轻掺杂P型基区和N型漂移区构成穿通型NPN三极管结构，所述的N型漂移区、P型平面阳极区和P型沟槽阳极区形成JFET结构,所述P型平面阳极区和P型沟槽阳极区与阳极电极）形成肖特基接触,所述重掺杂P型欧姆接触区与阳极电极形成欧姆接触；穿通NPN三极管势垒高度调整范围广，可增大对反向恢复又软又快的调整幅度等有益效果。
一种电子抽取型续流二极管器件及其制备方法

[发明专利]带有浮置场环终端的功率半导体器件-CN201780072958.3有效
发明人： F.鲍尔;U.韦姆拉帕蒂;M.贝利尼 -专利权人：日立能源瑞士股份公司
申请日： 2017-11-20 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：在本发明的功率半导体器件（1）中，在终端区（TR）中形成的浮置场环（10_1到10_n）的总数n是至少为10。对于在从i=2到i=n的范围中的任何整数i，在沿从主pn结（11）开始并且在离开主pn结（11）的横向中延伸的直线对浮置场环（10_1到10_n）计数时，在第i个浮置场环和直接相邻的第（i‑1）个浮置场环之间的环到环分离di,i‑1通过以下方程式(I)给出：方程式(I)，对于i=2到n，其中d1,0是在离主pn结（11）最近的最内浮置场环（10_1）和主pn结（11）之间的距离，以及其中：Δ区段1‑0.05·Δ区段2ΔjΔ区段1+0.05·Δ区段2对于j=1到l‑2，2·Δ区段2|Δj|10·Δ区段2对于j=l‑1，0,95·Δ区段2Δj1,05·Δ区段2对于j=l到n‑1，Δ区段20.1µm，以及‑ΔΔ区段2/2Δ区段1Δ区段2/2，其中l是整数，对于其。(I)
带有浮置场环终端功率半导体器件

[实用新型]降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构-CN202220184870.9有效
发明人：朱伟东;赵泊然;王晓荣 -专利权人：江苏应能微电子有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供提供了一种降低正向导通电压和导通电阻的转向二极管结构，包括：重掺杂第一导电类型衬底，在重掺杂第一导电类型衬底上生长有轻掺杂第一导电类型外延层；在轻掺杂第一导电类型外延层内顶部设有第二导电类型重掺杂区；至少一圈隔离槽挖穿轻掺杂第一导电类型外延层，将转向二极管器件区隔离出来，隔离槽内填充有绝缘材料；在第二导电类型重掺杂区表面沉积有介质层，并在介质层中形成有接触孔；在第二导电类型重掺杂区内设有第二导电类型的表面注入区；在介质层上生长有金属层，所述金属层填充接触孔并与第二导电类型的表面注入区接触。本实用新型有效降低了转向二极管的正向导通电压和导通电阻。
降低向导通电转向二极管结构