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[发明专利]一种超低漏电水平的低压TVS器件及其制造方法-CN201710618686.4有效
发明人：王志超;张慧玲;朱明 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低漏电水平的低压TVS器件及其制造方法，其纵向结构N+击穿区（1）与N+吸杂区（2）可采用垂直交叉式结构或圆形环状式结构。N+吸杂区（1）的结深为15~25um，宽度范围为20~50um，N+击穿区（2）的结深为8~15um，宽度范围为根据不同IPP要求定制；所述N+吸杂区与N+击穿区的间隙设计要求为5~50um。N+吸杂区的主要目的为吸收硅单晶在高温过程中产生的氧化诱生缺陷，形成重度缺陷区域，而N+击穿区则为器件实际有效工作区。通过该发明，实现了低漏电水平，并满足对高IPP通流能力的要求。
一种漏电水平低压 tvs 器件及其制造方法

[实用新型]快恢复二极管和电子设备-CN202320120030.0有效
发明人：张汝康;张晓昕;史仁先;杨忠武;王国峰 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请涉及一种快恢复二极管和电子设备，快恢复二极管包括：设置在衬底上的外延层，外延层包括第一外延层和第二外延层，第一外延层位于第二外延层远离衬底的一侧，第一外延层依次形成有VLD终端结构、场限环和有源层，场限环间隔环绕在有源层的外侧，VLD终端结构间隔环绕在场限环的外侧；快恢复二极管还包括场氧化层，场氧化层沿厚度方向设置于第一外延层上，场氧化层位于第一外延层远离第二外延层的一侧；场氧化层在第一外延层的宽度方向设有多个间隔设置的注入窗口，注入窗口贯穿场氧化层，任意两个注入窗口的宽度均不同。本方案的快恢复二极管能够在满足反向耐压的同时，增大有源区的面积。
恢复二极管电子设备

[实用新型]基于宽禁带材料的二极管、电路-CN202223033876.5有效
发明人：黄松;盛锋;李晖;王青松 -专利权人：上海瞬雷科技有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于宽禁带材料的二极管、电路，衬底；量子点掺杂p型层，设置于衬底上，量子点掺杂p型层包括量子点以及基体薄层，量子点和基体薄层依次向上交替堆叠外延；衬底的部分区域开孔，露出部分量子点掺杂p型层；耐压层，设置于量子点掺杂p型层上，重掺杂N型层，设置于耐压层上；阴极，设置于重掺杂N型层上，与重掺杂N型层形成第一欧姆电极；阳极，设置于衬底的孔中，与量子点掺杂p型层形成第二欧姆电极。本实用新型使用宽禁带半导体材料AlGaN、AlN或InAlGaN作为耐压层，并利用量子点结构提升高铝组分材料的p型掺杂空穴浓度，可以获得更大耐击穿电场、更小的比导通电阻以及更优的热管理能力。
基于宽禁带材料二极管电路

[发明专利]一种具有半超结结构的快恢复二极管-CN202211106567.8在审
发明人：周新田;吴岳峰;张蕾;贾云鹏;吴郁;胡冬青;刘峰;刘洋 -专利权人：北京工业大学;阜新嘉隆电子有限公司
申请日： 2022-09-12 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种具有半超结结构的快恢复二极管涉及功率半导体技术领域。本发明采用掺杂不同的三层外延层，从上至下分为第一外延层，第二外延层和第三外延层，所述第一外延层采用低掺杂，位于P型区域之下，所述第二外延层采用高掺杂，位于第一外延层及第三外延层之间，所述第三外延层采用低掺杂，位于衬底层之上。本发明所述的结构可以有效降低反向击穿电压对对P型注入区掺杂浓度的敏感性，从而扩大了P型注入区的工艺窗口，同时增大了器件的反向击穿电压。
一种具有半超结结构恢复二极管

[实用新型]半导体二极管片材-CN202223226953.9有效
发明人：张环;何磊;周继峰 -专利权人：力特半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体二极管片材，包括具有第一导电类型的基板、形成在基板上并排列成阵列的多个台面、具有与第一导电类型相反的第二导电类型的台面、形成在基板中的多个沟槽、该多个沟槽界定和分隔多个台面，以及覆盖除了将多个沟槽中的每个一分为二并暴露底层基板的通道之外的沟槽的玻璃钝化层。
半导体二极管片

[发明专利]具有高整流比的非对称MSM隧道结二极管及其制备方法-CN202310067915.3在审
发明人：田博博;冯光迪;郝胜兰;朱秋香;段纯刚 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高整流比的非对称MSM隧道结二极管及其制备方法，包括第一金属层、绝缘层、第二金属层和半导体层，第一金属层被配置为下电极，并具有正面和反面；绝缘层被配置为成型于第一金属层正面上，同时第一金属层正面的部分区域未被所述绝缘层覆盖、以形成为半导体沟道成型区域；第二金属层被配置为上电极，其成型于绝缘层背向第一金属层的正面上，同时第二金属层完全覆盖住绝缘层的正面；半导体层被配置为成型于半导体沟道成型区域与第二金属层朝向所述半导体沟道成型区域的一侧壁之间。该非对称MSM隧道结二极管具有超高的整流比、及宽温度工作范围等优点，且其制备方法简单、成本低，易于实施，安全、环保。
具有整流对称 msm 隧道二极管及其制备方法

[发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202211677913.8在审
发明人：林茂;戚丽娜;俞义长;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技股份有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种快恢复二极管及其制备方法，所述快恢复二极管包括阴极金属层、硅片、场氧化层、阳极金属层，所述阴极金属层、所述硅片、所述场氧化层由下至上依次设置，所述硅片的上部具有有源区，所述场氧化层具有与所述有源区相对应的有源区窗口，所述阳极金属层覆盖所述有源区窗口和所述场氧化层，其中，在所述有源区内间隔设置有多个高掺杂P区，每两个高掺杂P区之间设置有层叠区，所述层叠区包括位于下半部的低掺杂P区和位于上半部的低掺杂N区。本发明能够降低快恢复二极管正面注入效率，在反向偏置时提供正面空穴电荷的抽取通道，更快地使器件进入截止状态，大大降低反向恢复损耗，提升反向恢复能力。
恢复二极管及其制备方法

[发明专利]一种氮面式GaN二极管及其制备工艺-CN202310426512.3在审
发明人：刘新科;朱曦;王敏;杨华恺;贺威;黎晓华 -专利权人：深圳大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮面式GaN二极管，包括由上至下叠加为整体结构的阳极金属层、衬底、n+‑GaN外延层、n‑‑GaN外延层和阴极金属层，所述衬底为非掺杂的GaN单晶，所述n‑‑GaN外延层的Ga面与阴极金属层采用欧姆接触，所述衬底的N面与阳极金属层采用肖特基接触，形成肖特基势垒。本发明所提供的氮面式GaN二极管采用非掺杂的GaN单晶为衬底，采用非掺杂的GaN单晶衬底制成的耐压层可以提高氮面式GaN二极管的耐压强度，提高抗冲击的性能；并对n＋‑GaN外延层与n‑‑GaN外延层的厚度与净载流子浓度的控制，优化结构设计，提高器件的整体耐压性能，衬底的N面与阳极金属层采用肖特基接触来减少漏电；而在Ga面形成欧姆接触减少接触电阻，进一步减少器件的导通电阻。
一种氮面式 gan 二极管及其制备工艺

[实用新型]电源件及电源件加工系统-CN202320027725.4有效
发明人：董子玉 -专利权人：董子玉
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种电源件及电源件加工系统，电源件包括半导体层、贴合层以及绝缘层，贴合层设置在半导体层的端面上。绝缘层设置在贴合层和半导体层之间。贴合层的一端设置有多个凹陷结构，半导体层的一端凸设有多个凸起结构，或贴合层的一端设置有多个凸起结构，半导体层的一端设有多个凹陷结构。每个凸起结构均贯穿绝缘层后插接在对应的凹陷结构中，凸起结构的至少部分端面能够与凹陷结构的内壁贴合。通过设置凹陷结构以及凸起结构，能够在贴合层和半导体层之间形成电势偏差，通过设置绝缘层，能够有效避免内部电子的转移，进而有效提高放电效果。
电源加工系统

[发明专利]一种新型栅控P-i-N二极管ESD器件及其实现方法-CN201910808934.0有效
发明人：朱天志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型栅控P‑i‑N二极管ESD器件及其实现方法，所述ESD器件包括：背栅(40)；形成于背栅(40)上的绝缘埋层(30)；在所述绝缘埋层(30)上依次排列形成的浅沟道隔离层(10)、高浓度P型掺杂(20)、P阱(70)、高浓度N型掺杂(22)、浅沟道隔离层(12)；形成于所述P阱(70)的左上方的栅氧化层(50)；形成于所述栅氧化层(50)上方的前栅(24)，本发明的前栅只需直接和阳极相连，无需连接至特殊设计的静电脉冲侦测电路，背栅只需接地即可，可降低防静电保护设计的复杂度，减少版图面积。
一种新型二极管 esd 器件及其实现方法

[发明专利]超级势垒整流器器件及其制备方法-CN201610452014.6有效
发明人：胡玮;陈茜;黄晓橹 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种超级势垒整流器器件及其制备方法，通过在N型漂移区引入超结结构，使用杂质掺杂浓度比传统单一N型漂移区提高近一个数量级的注入剂量，在传统单一N型漂移区形成电荷总量平衡的交替P‑型立柱和N‑型立柱的结构。该器件在较低反向电压时，漂移区受横向电场影响，P‑型立柱和N‑型立柱中耗尽层均匀展宽，其耗尽层宽度随着电压增大而增大并在PN结反向击穿前完全耗尽，形成类似于一个本征层的耗尽层，该耗尽层中电场近似均匀分布，使PN结的反向击穿电压达到最大，使得在实现相同耐压情况下可以将漂移区厚度变薄且掺杂浓度提高近一个数量级。
超级整流器器件及其制备方法

[实用新型]高压二极管-CN202223483800.2有效
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种高压二极管，包括阴极、N型半导体衬底、N型半导体漂移层、第一氧化部、第一P型掺杂部、第二P型掺杂部以及阳极，N型半导体衬底设置于阴极上，N型半导体漂移层设置于N型半导体衬底远离阴极的一侧，第一氧化部位于N型半导体衬底并延伸入部分N型半导体漂移层中，第一P型掺杂部设置于N型半导体漂移层中且与第一氧化部连接，第二P型掺杂部设置于N型半导体漂移层远离阴极的一侧，阳极设置于第二P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过引入第一P型掺杂部，可以降低电磁干扰噪声产生的风险。
高压二极管

[实用新型]二极管器件-CN202223524744.2有效
发明人：李伟聪;伍济 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请公开一种二极管器件，包括阴极、漂移层、P型掺杂部、多晶硅部、第一N型掺杂部、第二N型掺杂部以及阳极，漂移层设置于阴极上，P型掺杂部设置于漂移层远离阴极的一侧，P型掺杂部具有至少两个间隔设置的沟槽，沟槽还延伸入部分漂移层中，多晶硅部填充于沟槽中，第一N型掺杂部和第二N型掺杂部设置于P型掺杂部中且位于每两相邻的沟槽之间，第一N型掺杂部与第二N型掺杂部接触，阳极设置于P型掺杂部远离阴极的一侧。在本申请中，通过在P型掺杂部中设置有第一N型掺杂部和第二N型掺杂部，以中和掉部分P型掺杂部的掺杂浓度，从而降低正向导通时空穴的注入效率。
二极管器件

[实用新型]一种低电压低漏电二极管-CN202223362482.4有效
发明人：王立伟;陈宇 -专利权人：朝阳微电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低电压低漏电二极管，所述低电压低漏电二极管包括硅片，硅片上部为有源区，其厚度为2‑3微米，有源区上面有多晶硅，多晶硅上面有Ti/Ni/Ag金属膜，Ti/Ni/Ag金属膜为二极管的顶面电极，下部为P型硅片，厚度300微米，p型硅片底面有Ti/Ni/Ag金属膜，为二极管的底面电极；硅片上部四周刻蚀有一个环形隔离槽，在隔离槽内部填充有光阻玻璃粉。本实用新型的有益效果是：一种低电压低漏电二极管具有低电压且漏电流低，可靠性高等优点，可以广泛应用于各种环境和质量等级要求。
一种压低漏电二极管

[发明专利]一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法-CN201811130910.6有效
发明人：单少杰;苏海伟;魏峰;王帅;张英鹏;蒋立柱 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种伪负阻型低残压TVS器件及其制备方法，其特征在于，包括采用薄片负阻工艺与辐照改性工艺。TVS器件在防护雷击浪涌时，较低的残压有利于更好的保护后级电路。高的浪涌能力有利于适用更高浪涌等级要求。且负阻稳定点不能低于工作电压(针对于电源口，如低于工作电压会造成回路电压倒灌入TVS器件)。本发明使用P型薄片负阻工艺和辐照改性工艺相结合，在降低残压、提高浪涌能力的同时实现负阻稳定点电压可控。
一种伪负阻型低残压 tvs 器件及其制备方法