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[发明专利]具有利用等离子体原子层沉积所沉积的硼层的背照式传感器-CN202280008788.3在审
发明人： S·雅拉曼其里;J·费尔登;F·科莱;勇-霍·亚历克斯·庄 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2022-02-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：使用一种利用等离子体原子层沉积(等离子体ALD)工艺来在有源传感器区域上方产生薄无针孔纯硼层的方法制造背照式DUV/VUV/EUV辐射或带电粒子图像传感器。在半导体薄膜的前侧表面上形成电路元件，且接着对所述薄膜的背侧表面执行任选初步氢等离子体清洁工艺。所述等离子体ALD工艺包含执行多个等离子体ALD循环，其中每一循环包含在第一循环阶段期间形成吸附硼前体层，且接着在第二循环阶段期间产生氢等离子体以将所述前体层转换为相关联硼纳米层。在每一循环阶段之后，从等离子体ALD处理室清除气体。重复所述等离子体ALD循环，直到所得硼纳米层堆叠具有等于选定目标厚度的累积堆叠高度(厚度)。
具有利用等离子体原子沉积背照式传感器

[发明专利]一种SPAD阵列及其制作方法-CN202310914212.X在审
发明人：徐涛;吕京颖;李爽;康杨森 -专利权人：深圳市灵明光子科技有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本申请涉及SPAD领域，公开了一种SPAD阵列及其制作方法，SPAD阵列包括多个SPAD单元组件；每个SPAD单元与临近的SPAD单元通过多个沟槽隔离区隔开；SPAD单元组件包括：SPAD单元和淬灭电阻；在横截面上，SPAD单元呈现规则形状；淬灭电阻设于SPAD单元的一边或多边；淬灭电阻包括由下至上依次层叠的第一多晶硅电阻、隔离介质层和第二多晶硅电阻；第一多晶硅电阻的第一端作为淬灭电阻的一端；第一多晶硅电阻的第二端通过第二金属与第二多晶硅电阻的第一端连接；第二多晶硅电阻的第二端作为淬灭电阻的另一端；淬灭电阻的一端通过第一金属与SPAD单元的阴极电连接或外接高压；淬灭电阻的另一端通过第三金属外接高压或与SPAD单元的阴极电连接。
一种 spad 阵列及其制作方法

[发明专利]一种光感半导体器件、摄像头及电子设备-CN202310763529.8在审
发明人：王伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种光感半导体器件、摄像头及电子设备，该光感半导体器件包括：半导体基底；光感测器件层，设置在半导体基底的上方，光感测器件层包括多个光感测元件，多个光感测元件按预设规则排列、依次接触连接形成第一圆形结构，多个光感测元件用于吸收不同波段的可见光，并将不同波段的可见光转换为不同的电信号。本公开提供的光感半导体器件，将多个光感测元件按预设规则排列、依次接触连接形成第一圆形结构，以形成与安装电子设备的摄像头的通孔相近的结构，能够集成在摄像头的进光测，从而不在需要外挂式的可感应外部光线的光感测元件，减少了检测成本以及光感半导体器件占用的屏幕空间。
一种半导体器件摄像头电子设备

[发明专利]一种探测器结构及其制作方法-CN202310935555.4在审
发明人：孙建军;张世晓 -专利权人：奕瑞影像科技（太仓）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种探测器结构及其制作方法，该探测器结构包括基板、反射层、闪烁体层及可见光传感层，其中，基板包括相对设置的入射面及出射面，反射层位于基板上且覆盖出射面的至少一部分，且反射层背离基板的一面上设有多个凸起，凸起自反射层背离基板延伸，闪烁体层位于反射层背离基板的一面上方，可见光传感层位于闪烁体层背离反射层的一面上方。该探测器结构通过改变反射层的膜层结构，有效提高反射光能量，从而有效提升探测器的灵敏度和图像质量，在应用于临床诊断时，能够实现低剂量高质量成像，减少对人体造成的损伤。该制作方法能够制作得到性能优良的探测器结构，并且制作方法简单易实现，能够实现大规模生产。
一种探测器结构及其制作方法

[发明专利]CIS器件键合的方法-CN202310521533.3在审
发明人：闫业玲;盛利航;高原 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CIS器件键合的方法，提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆具有待键合的上衬底，第二晶圆具有待键合的下衬底；在第一晶圆的上衬底上形成第一键合层，第一键合层上形成有多个孔洞，使得第一键合层为网格空心结构；在第二晶圆的下衬底上形成第二键合层，第二键合层上形成有多个孔洞，使得第二键合层为网格空心结构；将第一晶圆的第一键合层与第二晶圆的第二键合层进行键合。本发明的键合方法发生键合层凹陷的风险更低，更易形成接触良好的键合界面，因而晶圆在电性测试的过程中，能保证更高的准确性。
cis 器件方法

[发明专利]基于吸光人工突触器件的新型环境光自适应显示驱动系统-CN202310567022.5在审
发明人：陈惠鹏;任泽轩;张翔鸿;杨倩;陈聪;刘狄;陈耿旭;郭太良 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于吸光人工突触器件的新型环境光自适应显示驱动系统。包括控制模块和发光模块，控制模块即为吸光人工突触器件，发光模块为单向导电器件。所述吸光人工突触器件为底栅顶接触结构，从下往上依次为底部金属电极层、绝缘层、半导体层、吸光层、顶部金属电极层。单个器件本身具备多电导可调，且受环境光影响电导值变化，应用于环境光变化驱动发光。本发明不仅可以通过人工突触的吸光层响应环境光强大小来调控显示电路的电流大小，而且显示发出的光也可以通过光吸收层反馈来自我调节显示电路的电流大小。
基于人工突触器件新型环境自适应显示驱动系统

[发明专利]光检测设备-CN202310601769.8在审
发明人：柳田刚志;马渕圭司 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种光检测设备。该光检测设备可包括：第一光电二极管；浮置扩散的第一浮置扩散区域，其对应于所述第一光电二极管；第一转移栅极，其对应于所述第一光电二极管；第一阱区域，其对应于所述第一光电二极管；其中，在平面图中，所述第一浮置扩散区域设置在所述第一光电二极管的第一拐角处，并且其中，所述第一阱区域设置在所述第一光电二极管的第二拐角处。
检测设备

[发明专利]图像传感器-CN202310183289.4在审
发明人：陈暎究;安正言卓;吴暎宣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了图像传感器。所述图像传感器包括：基底，具有第一表面和与第一表面背对的第二表面；第一像素分离图案，限定多个单位像素，所述多个单位像素包括基底中的光电转换区，每个第一像素分离图案包括第一导电膜和第一导电膜上的第二导电膜；以及微透镜，在基底的第二表面上，其中，第一导电膜沿第二导电膜的侧壁延伸以将第二导电膜与基底分开，对于预定波长范围，第一导电膜具有比第二导电膜大的反射率，并且第二导电膜具有比第一导电膜大的台阶覆盖。
图像传感器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110502178.6有效
发明人：刘柏均;陈逸群;蓝浚恺 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了具有图像传感器的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上沉积介电层；在介电层和衬底内形成沟槽；在沟槽内形成外延结构；以及形成具有第一层部分和第二层部分的势垒层。第一层部分形成在沟槽的未被外延结构覆盖的侧壁部分上。该方法还包括：在外延结构上并与势垒层相邻地形成覆盖层；选择性地掺杂外延结构和覆盖层的区域；在掺杂区域上选择性地形成硅化物层；在硅化物层上沉积蚀刻停止层；以及通过蚀刻停止层在硅化物层上形成导电塞。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]芯片封装结构、方法及模具、摄像头模组及电子设备-CN202310392010.3有效
发明人：张宪先 -专利权人：荣耀终端有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片封装结构、方法及模具、摄像头模组及电子设备，属于摄像头技术领域。芯片封装结构包括：基板和封装单元；基板具有相对的第一表面和第二表面，基板上具有贯穿第一表面和第二表面的第一通孔；封装单元包括芯片和封装结构层，芯片设置于第二表面，且芯片的一面与第二表面相对，封装结构层至少覆盖芯片相对的另一面的边缘区域；其中，第一通孔被配置为使注塑材料能够从第一表面流入第一通孔，并从第二表面流出，以形成封装结构层。本申请有利于减小摄像头模组的高度以及减少摄像头模组的长宽尺寸，既而有利于摄像头模组的小型化。
芯片封装结构方法模具摄像头模组电子设备

[发明专利]等离子纳米结构传感器像素-CN201611162050.5有效
发明人：张博洋;彭进宝 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一等离子纳米结构传感器像素包括半导体基板和多个金属柱。半导体基板具有上表面和上表面下方的光电二极管区域。多个金属柱至少部分地嵌入在基板中并从上表面在与上表面基板垂直的方向中延伸。第二等离子纳米结构传感器像素包括(a)具有上表面的半导体基板，(b)在上表面上的氧化物层，(c)在上表面和氧化物层之间的薄膜涂层，以及(d)多个金属纳米颗粒，多个金属纳米颗粒(i)至少部分地在上表面和氧化物层之间并且(ii)至少部分地嵌入在薄膜涂层和氧化物层的至少一个中。第三等离子纳米结构传感器像素包括第一和第二等离子纳米结构传感器像素的特征。
等离子纳米结构传感器像素

[发明专利]半导体器件和图像传感器-CN201810600349.7有效
发明人：韩东敏;金正生;罗承柱;李准泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件和图像传感器。一种半导体器件包括在半导体基板上的第一图案、第二图案和第二采样图案。第二图案与第二采样图案以相等的间隔水平地间隔开。第二采样图案包括彼此面对的第一侧壁和第二侧壁、在第一侧壁上的第一点和在第二侧壁上的第二点。第二采样图案和与第二采样图案相关的最相邻第一图案在与连接第一点和第二点的直线平行的方向上以第一水平距离彼此间隔开。第一水平距离大于第二图案中的一个第二图案和与所述一个第二图案相关的最相邻第一图案之间在所述方向上的第二水平距离。
半导体器件图像传感器

[发明专利]改善快门效率的图像传感器装置及其制造方法-CN201810926989.7有效
发明人：曹淳凯;周世培;卢玠甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明实施例涉及改善快门效率的图像传感器装置及其制造方法。本揭露涉及一种半导体装置，其包含半导体衬底及所述半导体衬底上方的栅极结构。所述半导体衬底包含邻近所述栅极结构的光敏区，且所述栅极结构经配置以存储从所述光敏区产生的电荷。所述半导体装置还包含在所述半导体衬底上方的导电结构。所述导电结构外接所述栅极结构的侧壁且与所述栅极结构的所述侧壁隔开。
改善快门效率图像传感器装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装和图像传感器-CN201811107072.0有效
发明人：沈钟辅;赵汊济;韩相旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明构思涉及一种半导体封装和图像传感器。一种半导体封装包括：封装基板；设置在封装基板上的图像传感器；以及接合层，其设置在封装基板与图像传感器之间并包括第一区域和第二区域，第二区域具有比第一区域的弹性模量低的弹性模量，并设置在第一区域的周边。
半导体封装图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201811317620.2有效
发明人：申胜勋;朴德绪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了图像传感器。一种图像传感器包括：半导体衬底，包括像素区域和焊盘区域；在像素区域中的多个光电转换区域；在半导体衬底的前表面上的互连结构；焊盘结构，在焊盘区域中并在半导体衬底的后表面上；贯穿通路结构，在焊盘区域中并穿过半导体衬底电连接到互连结构；以及隔离结构，从半导体衬底的后表面至少部分地延伸穿过半导体衬底的焊盘区域。隔离结构在平行于半导体衬底的后表面延伸的平面中围绕焊盘结构和贯穿通路结构。
图像传感器