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[发明专利]用于自动聚焦像素结构的对称偏振滤光器-CN202310332188.9在审
发明人：王勤;彭进宝;陈刚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G02B27/28 文献下载
摘要：本公开涉及用于自动聚焦像素结构的对称偏振滤光器。提供用于相位检测自动聚焦过程的图像传感器及装置。对称偏振滤光器包含界定第一多个孔隙的第一偏振器及界定第二多个孔隙的与所述第一偏振器相邻的第二偏振器。所述第一多个孔隙关于在所述第一偏振器与所述第二偏振器之间的所述对称偏振滤光器的横轴与所述第二多个孔隙镜面对称。所述横轴可被界定为与所述第一偏振器及所述第二偏振器共平面的所述对称偏振滤光器的对称轴。
用于自动聚焦像素结构对称偏振滤光

[发明专利]在多个子像素之间具有共享微透镜的图像传感器-CN202011162342.5有效
发明人：杨晓冬;刘关松;P·林;彭进宝;孟达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及一种在多个子像素之间具有共享微透镜的图像传感器。一种图像传感器像素包含：多个光电二极管、共享微透镜和多个微透镜。所述多个光电二极管被布置为光电二极管阵列，其中所述多个光电二极管中的每一个被设置在半导体材料内。所述共享微透镜与包含在所述多个光电二极管中的一组相邻光电二极管光学地对准。所述多个微透镜中的每一个与所述多个光电二极管中除所述组相邻光电二极管之外的个别光电二极管光学地对准。所述多个微透镜横向包围所述共享微透镜。
个子像素之间具有共享透镜图像传感器

[发明专利]具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器-CN201911244647.8有效
发明人： 彭进宝;陆震伟;高邵凡;艾群咏;钱胤;戴森·戴;单庆伟;林赛·格朗 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请案涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括用于收集图像信息的多个图像像素单元和用于收集相位信息的多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元。所述PDAF像素单元中的每一个包含分别被两个微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此相邻的四个第二图像传感器像素，其中所述第二图像传感器像素中的每一个被单个微透镜覆盖。涂层安置于所述第一微透镜上并且形成跨整个图像传感器像素阵列的平坦表面。PDAF微透镜形成于所述涂层上以覆盖所述第一图像传感器像素。
具有相位检测自动聚焦像素图像传感器

[发明专利]等离子纳米结构传感器像素-CN201611162050.5有效
发明人：张博洋;彭进宝 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：第一等离子纳米结构传感器像素包括半导体基板和多个金属柱。半导体基板具有上表面和上表面下方的光电二极管区域。多个金属柱至少部分地嵌入在基板中并从上表面在与上表面基板垂直的方向中延伸。第二等离子纳米结构传感器像素包括(a)具有上表面的半导体基板，(b)在上表面上的氧化物层，(c)在上表面和氧化物层之间的薄膜涂层，以及(d)多个金属纳米颗粒，多个金属纳米颗粒(i)至少部分地在上表面和氧化物层之间并且(ii)至少部分地嵌入在薄膜涂层和氧化物层的至少一个中。第三等离子纳米结构传感器像素包括第一和第二等离子纳米结构传感器像素的特征。
等离子纳米结构传感器像素

[发明专利]具有共享微透镜的图像传感器-CN202011457621.4有效
发明人： 彭进宝;刘关松;杨晓冬;张博洋;李洪军;孟达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种具有共享微透镜的图像传感器包含多个光电二极管、多个滤色器和多个微透镜。所述多个光电二极管经布置为光电二极管阵列，所述多个光电二极管中的每一个安置于半导体材料的具有第一横向区域的相应部分内。所述多个滤色器经布置为与所述光电二极管阵列光学对准的滤色器阵列。所述多个滤色器中的每一个具有大于所述第一横向区域的第二横向区域。所述多个微透镜经布置为与所述滤色器阵列和所述光电二极管阵列光学对准的微透镜阵列。所述多个微透镜中的每一个具有大于所述第一横向区域且小于所述第二横向区域的第三横向区域。
具有共享透镜图像传感器

[发明专利]用于图像传感器的深沟槽隔离结构-CN202211101744.3在审
发明人：陈刚;彭进宝 -专利权人：北京弘图半导体有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请为用于图像传感器的深沟槽隔离结构，实施例公开了一种图像传感器装置。该图像传感器装置包括具有多个像素区的衬底。两个相邻的像素区通过隔离结构光学隔离。示例性形成隔离结构的方法包括：接收具有第一衬底的工件；蚀刻第一衬底的前侧以形成第一沟槽；在第一沟槽中沉积填充层；从第一衬底的背侧去除部分填充层，以形成被填充层围绕的第二沟槽；以及，在第二沟槽中沉积金属层，以形成隔离结构。
用于图像传感器深沟隔离结构

[发明专利]抑制串扰的图像传感器-CN202210529542.2在审
发明人：王勤;彭进宝 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种抑制串扰的图像传感器。抑制串扰的图像传感器包括半导体基板、不透明层和光谱滤光器。半导体基板包括在其中的光电二极管，光电二极管位于半导体基板的背表面的曝光区域下方。不透明层位于背表面上，部分地覆盖曝光区域，并且具有垂直于与背表面平行的图像平面方向的不透明层厚度。光谱滤光器在图像平面方向上与不透明层相邻，并部分地覆盖曝光区域。
抑制图像传感器

[发明专利]具有共用微透镜和偏振像素的图像传感器-CN202011413058.0有效
发明人： 彭进宝;张博洋;刘关松;P·林 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有共用微透镜和偏振像素的图像传感器。一种图像传感器像素包括子像素和偏振像素。所述子像素包含设置在半导体材料中的一组光电二极管、在所述光电二极管组上光学对准的共用微透镜，以及设置在所述光电二极管组与所述共用微透镜之间的子像素滤色器。所述偏振像素包含设置在所述半导体材料中的第一光电二极管、在所述第一光电二极管上光学对准的非共用微透镜，以及设置在所述第一光电二极管与所述非共用微透镜之间的偏振滤光器。所述共用微透镜具有第一横向面积。所述非共用微透镜具有小于所述共用微透镜的所述第一横向面积的第二横向面积。
具有共用透镜偏振像素图像传感器

[发明专利]具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器-CN201910163325.4有效
发明人：陆震伟;钱胤;戴森·戴;彭进宝;张博洋;赵诚 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本申请涉及具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器。一种图像传感器像素阵列包括：多个图像像素单元，用以收集图像信息；以及多个相位检测自动聚焦PDAF像素单元，用以收集相位信息。所述PDAF像素单元中的每一个包含由共享微透镜覆盖的两个第一图像传感器像素。所述图像像素单元中的每一个包含彼此邻近的四个第二图像传感器像素，其中所述第二图像传感器像素中的每一个由个体微透镜覆盖。涂层安置在所述微透镜上并且跨越所述整个图像传感器像素阵列形成平坦化表面以接收入射光。
具有相位检测自动聚焦像素图像传感器

[发明专利]用于具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器的灵活曝光控制-CN202110428858.8在审
发明人：王睿;船津英一;崔雲;马渕圭司;彭进宝;陈晴飞;孟达;V·王 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本申请案涉及用于具有相位检测自动聚焦像素的图像传感器的灵活曝光控制。一种成像装置包含光电二极管阵列。所述光电二极管包含配置为图像感测光电二极管的第一组光电二极管及配置为相位检测自动聚焦PDAF光电二极管的第二组光电二极管。所述PDAF光电二极管至少成对布置在相邻列中且经散布在所述图像感测光电二极管当中。转移晶体管经耦合到对应光电二极管。响应于控制所述光电二极管阵列的活动行的所有所述图像感测光电二极管的第一转移控制信号或第二转移控制信号而控制耦合到所述活动行中包含的所述图像感测光电二极管的所述转移晶体管。转移晶体管经耦合到所述活动行的一对所述PDAF光电二极管中的一者。响应于独立于所述第一或第二转移控制信号的第一PDAF控制信号而控制所述第一转移晶体管。
用于具有相位检测自动聚焦像素图像传感器灵活曝光控制

[发明专利]对图像感测光电二极管与相位检测光电二极管进行模拟合并读出的图像传感器-CN202110436131.4在审
发明人：陈晴飞;彭进宝;单庆伟 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本申请涉及对图像感测光电二极管与相位检测光电二极管进行模拟合并读出的图像传感器。成像装置包含第一像素电路，其具有包含相位检测自动对焦光电二极管及图像感测光电二极管的第一多个光电二极管。具有第一阈值电压的第一缓冲晶体管耦合到第一多个光电二极管以产生第一输出信号。包含第二像素电路，其具有全部都是图像感测光电二极管的第二多个光电二极管。具有第二阈值电压的第二缓冲晶体管耦合到第二多个光电二极管以产生第二输出信号。第一阈值电压小于第二阈值电压。驱动器经耦合以接收第一和第二输出信号的组合以产生总输出信号。由于第一阈值电压小于第二阈值电压，因此在总输出信号中第一输出信号的影响胜过第二输出信号。
图像测光二极管相位检测光电二极管进行模拟合并读出图像传感器

[发明专利]用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法-CN202011562351.3在审
发明人：陈文首;刘关松;任仡奕;彭进宝;B·帕德马纳班;A·博纳克达 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及用于使用偏振和相位检测光电二极管获得三维形状信息的装置和方法。在一些实施例中，提供了图像传感器。图像传感器包括布置成光电二极管阵列的多个光电二极管。多个光电二极管包含被配置为相位检测光电二极管的第一组光电二极管，以及被配置为偏振检测光电二极管的第二组光电二极管。在一些实施例中，提供了控制器。控制器包括电路系统，所述电路系统被配置为处理来自光电二极管阵列的第一组光电二极管的信号以获得深度信息；处理来自光电二极管阵列的第二组光电二极管的信号以获得偏振信息；处理偏振信息以获得模糊的一组表面法线；并且使用深度信息处理模糊的一组表面法线以获得三维形状图像。
用于使用偏振相位检测光电二极管获得三维形状信息装置方法

[发明专利]用于增加角灵敏度的多像素检测器及相关方法-CN202110064428.2在审
发明人：陆震伟;钱胤;彭进宝;张博洋 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括多像素检测器。多像素检测器包括在基板中形成的并具有第一光电二极管区域的第一像素，与第一像素相邻地在基板中形成的并具有第二光电二极管区域的第二像素，以及在第一像素和第二像素两者上方的微透镜。微透镜包括(a)在垂直于基板的上表面并包括第一和第二光电二极管区域两者的第一剖面平面中的具有N1个局部极大值的第一高度轮廓，和(b)在垂直于第一剖面平面和上表面并仅包括第一和第二光电二极管区域中的一个的第二剖面表面中的具有N2N1个局部极大值的第二高度轮廓。
用于增加灵敏度像素检测器相关方法

[发明专利]用于增加角灵敏度的多像素检测器及相关方法-CN201810907835.3有效
发明人：陆震伟;钱胤;彭进宝;张博洋 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：图像传感器包括多像素检测器。多像素检测器包括在基板中形成的并具有第一光电二极管区域的第一像素，与第一像素相邻地在基板中形成的并具有第二光电二极管区域的第二像素，以及在第一像素和第二像素两者上方的微透镜。微透镜包括(a)在垂直于基板的上表面并包括第一和第二光电二极管区域两者的第一剖面平面中的具有N1个局部极大值的第一高度轮廓，和(b)在垂直于第一剖面平面和上表面并仅包括第一和第二光电二极管区域中的一个的第二剖面表面中的具有N2N1个局部极大值的第二高度轮廓。
用于增加灵敏度像素检测器相关方法

[发明专利]具有改进的相位检测像素的BSI CMOS图像传感器-CN201610965001.9有效
发明人：刘家颖;彭进宝;熊志伟;威尼斯·文森特 -专利权人：豪威科技股份有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：改进的背照式(BSI)互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器和相关联的方法改进相位检测能力。BSI CMOS图像传感器具有包括相位检测像素(PDP)、由埋藏式滤色镜阵列和复合金属/氧化物格栅形成的复合格栅、和对应PDP的光电二极管植入的像素阵列。PDP掩膜被与邻近PDP的深槽隔离(DTI)结构一起制造，并被布置为掩盖光电二极管植入的至少部分，使得PDP掩膜被布置于复合格栅和光电二极管植入之间。
具有改进相位检测像素 bsicmos 图像传感器

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