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[发明专利]与外部端子接线-CN201780067876.X有效
发明人：三浦由木;河岛美惠子 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明描述用于提供半导体装置的外部端子的设备。实例设备包含：衬垫形成区域，其包含安置在所述设备的边缘处的多个衬垫；外围电路区域，其包含耦合到存储单元阵列的多个电路块，所述多个电路块中的每一电路块包含相对于每一电路块安置在与所述衬垫形成区域相对的侧处的通孔；及多个导体，每一导体将所述通孔耦合到所述对应衬垫，且至少部分地跨越所述外围电路区域中在包括所述通孔的所述电路块外部的区域。
外部端子接线

[发明专利]一种高集成度多芯片并联氮化镓半桥功率模块-CN202310028709.1在审
发明人：王来利;王振宇;齐志远;姚乙龙;温浚铎;张轶凡;孔航;汪岩;甘永梅 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子器件封装集成技术领域，尤其涉及一种高集成度多芯片并联氮化镓半桥功率模块，包括GaN器件、功率回路解耦电容Cin、PCB电路板、DBC板和驱动芯片，GaN器件设置于PCB电路板与DBC板之间；驱动芯片均设置于PCB电路板上；GaN器件包括第一GaN器件S1、第二GaN器件S2、第三GaN器件S3和第四GaN器件S4，第一GaN器件S1和第二GaN器件S2并联形成上半桥；第三GaN器件S3和第四GaN器件S4并联形成下半桥。本发明利用并联垂直结构降低功率回路和驱动回路的寄生电感，同时通过功率回路和驱动电路的对称设计保证布局对称，实现器件的并联均流效果。
一种集成度芯片并联氮化镓半桥功率模块

[发明专利]显示设备和用于显示设备的运行方法-CN201811536254.X有效
发明人：米科·佩雷莱;胡贝特·哈尔布里特;延斯·黎克特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在一个实施方式中，显示设备(1)包括多个像点(3)，所述像点用于借助于至少一个半导体层序列(2)以能调节的方式不同颜色地放射可见光的。像点(3)可彼此独立地控制。像点(3)中的每一个具有多种类型的像素(4)，并且每种类型像素(4)设计用于发射特定颜色的光。像素(4)可彼此独立地控制并且分别划分成多个可彼此独立地控制的子像素(5)。一个像素(4)之内的全部子像素(5)设计用于发射相同颜色的光。
显示设备用于运行方法

[发明专利]半导体封装-CN202211243384.0在审
发明人：杨亚伦;吴文洲;郭哲宏 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装，包括：底部封装，包括基板和安装在该基板的上表面上的半导体晶粒；顶部封装，堆叠在该底部封装上，其中该半导体晶粒的该有源表面通过连接元件直接连接到该中间RDL结构，其中该中间RDL结构包括介电层和互连结构，其中该存储器部件通过该中间RDL结构的该互连结构和该半导体晶粒的该硅通孔电连接到该基板。电源或接地信号可以是经由包括半导体晶粒的硅通孔等的较短的导电路径传输到基板的底表面上的焊球，因此可以极大的缩短存储器部件到半导体晶粒、焊球等的连接路径，从而提高传输效率。
半导体封装

[发明专利]用于多芯片封装的无机中介件-CN202310013322.9在审
发明人： D.索比斯基;K.达马维卡塔;S.R.S.博亚帕蒂;M.策利科尔;K.O.李;K.阿伊贡;Z.钱 -专利权人：太浩研究有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在本文中一般性地讨论了用于包括无机中介件的多芯片封装的方法和器件。一种器件可以包括：基底，其包括处于其中的低密度互连电路；基底上的无机中介件，该无机中介件包括电气连接至低密度互连电路的高密度互连电路，该无机中介件包括无机材料；以及电气连接至无机中介件的两个或更多芯片，该两个或更多芯片通过高密度互连电路彼此电气连接。
用于芯片封装无机中介

[发明专利]形成微电子装置的方法及用于微电子装置的相关基底结构-CN202180042864.8在审
发明人： K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种形成微电子装置的方法包括：在基底材料的基本上整个外围周围形成源极材料；以及从所述基底材料的横向侧移除所述源极材料，同时在所述基底材料的上部表面及下部表面上维持所述源极材料。还描述用于微电子装置的相关方法及基底结构。
形成微电子装置方法用于相关基底结构

[发明专利]多单元功率集成模块的低寄生叠装结构及封装工艺-CN202111057400.2有效
发明人：鲍婕;周云艳;胡娟;张俊武;周斌 -专利权人：黄山谷捷股份有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种多单元功率集成模块的低寄生叠装结构及封装工艺，该功率模块将三相逆变功率单元布局在模块中间位置，三相桥式整流单元和制动斩波单元分别位于两侧。直流母线端子位于模块同一侧，且高低压端子交替排列，三相逆变功率输出端子以及控制信号端子位于模块另一侧，三相桥式整流单元的交流输入端子从模块右侧引出。本发明采用叠装结构，将两层芯片与两块衬板分别叠装在引线框架上下两面，与电源和输出端子布局相配合，得到低寄生封装结构；模块下表面金属层连接底热沉，模块上表面金属层连接顶热沉，以双面散热结构解决低寄生叠装结构带来的高热流密度问题。
单元功率集成模块寄生结构封装工艺

[实用新型]模块化芯片结构及芯片系统-CN202223295224.9有效
发明人：孙凯瑾;陈孝楠 -专利权人：无锡车联天下信息技术有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种模块化芯片结构及芯片系统，涉及电子线路技术领域，以在一定程度上优化模块化芯片结构，避免产品迭代需要进一步的优化和调整，导致开发和测试周期长的问题。本实用新型提供的模块化芯片结构，包括基板以及平台芯片组件；平台芯片组件包括至少两个主芯片，主芯片朝向基板的一侧形成有多个第一焊盘，基板背离主芯片的一侧形成有多个第二焊盘，且第二焊盘的数量包含至少两个主芯片所包含的第一焊盘的功能管脚的数量。
模块化芯片结构系统

[发明专利]形成微电子装置的方法及相关的微电子装置及电子系统-CN202180043138.8在审
发明人： K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种形成微电子装置的方法，其包括：形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括底座结构、上覆于所述底座结构的掺杂半导体材料、上覆于所述掺杂半导体材料的堆叠结构、竖直地延伸穿过所述堆叠结构及所述掺杂半导体材料且延伸至所述底座结构中的单元柱结构以及竖直地上覆于所述堆叠结构的数字线结构。形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构。所述微电子装置结构附接至所述额外微电子装置结构以形成微电子装置结构组合件。去除所述底座结构及竖直地延伸至所述底座结构中的所述单元柱结构的部分以暴露所述掺杂半导体材料。接着对所述掺杂半导体材料进行图案化以形成在所述堆叠结构上方且耦合至所述单元柱结构的至少一个源极结构。还描述了微电子装置及电子系统。
形成微电子装置方法相关电子系统

[发明专利]一种封装结构以及封装方法-CN202111165993.4在审
发明人：陈小璇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体封装领域，提供一种封装结构以及封装方法，一种封装结构包括：第一金属层以及第二金属层，第一金属层位于电路区的第一面，第二金属层位于支撑区的第一面；第三金属层以及第四金属层，第三金属层位于电路区的第二面且与导电结构电连接，第四金属层位于支撑区的第二面；其中，至少两个堆叠设置的半导体结构中的一个半导体结构的第一面与其相邻的另一半导体结构的第二面正对，且半导体结构的第一金属层与处于相邻层的半导体结构的第三金属层接触键合，半导体结构的第二金属层与处于相邻层的半导体结构的第四金属层接触键合，可以解决集成电路中热问题。
一种封装结构以及方法

[发明专利]具有表面安装裸片支撑结构的半导体装置组合件-CN201880033499.2有效
发明人： B·P·沃兹;B·L·麦克莱恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置组合件。所述组合件包含第一封装元件及安置于所述第一封装元件上方的第二封装元件。所述组合件进一步包含所述第一及第二封装元件之间的多个裸片支撑结构，其中所述多个裸片支撑结构中的每一者具有第一高度、表面安装到所述第一封装元件的下部分及与所述第二封装元件接触的上部分。所述组合件进一步包含所述第一及第二封装元件之间的多个互连件，其中所述多个互连件中的每一者包含具有第二高度的导电柱、导电垫及在所述导电柱与所述导电垫之间具有焊料接头厚度的接合材料。所述第一高度约等于所述焊料接头厚度及所述第二高度的总和。
具有表面安装支撑结构半导体装置组合

[发明专利]一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件-CN202211690767.2在审
发明人：谭小春 -专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明申请公开了一种堆叠类封装体结构、工艺及发光芯片器件，包括封装体，所述封装体内分别包封有：载体，所述载体上设置有基岛和其旁侧的引脚；控制芯片，所述控制芯片贴片在载体的基岛上；发光芯片，所述发光芯片堆叠设置在控制芯片的上方，且发光芯片的发光面外露于封装体；线路层，所述线路层将发光芯片、控制芯片以及载体的引脚电性连接，所述载体上的引脚通过电镀形成，本申请将控制芯片和发光芯片采用上下堆叠类结构的封装，既减小结构，缩短电路，减小电阻，电路更加稳定，而且将平铺式芯片连接改变为堆叠类芯片连接，控制芯片或者发光芯片不是一次包封，损坏时可以单独拆开，减少其他部分的损坏。
一种堆叠封装结构工艺发光芯片器件

[发明专利]在裸片堆叠中并入毫米波天线的堆叠式存储器封装-CN201910475771.9有效
发明人： J·F·克丁;O·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-06-03 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本申请案涉及在裸片堆叠中并入毫米波天线的堆叠式存储器封装。一种堆叠式半导体装置组合件可包含具有第一衬底和穿过所述第一衬底的第一组导通孔的第一半导体装置。所述第一组导通孔可界定天线结构的第一部分。所述堆叠式半导体装置组合件可另外包含具有第二衬底和穿过所述第二衬底的第二组导通孔的第二半导体装置。所述第二组导通孔可界定所述天线结构的第二部分。所述堆叠式半导体装置组合件也可包含将所述天线结构的所述第一部分电耦合到所述天线的所述第二部分的堆叠互连结构。
堆叠并入毫米波天线存储器封装

[发明专利]模块化芯片结构及芯片系统-CN202211582830.0在审
发明人：孙凯瑾;陈孝楠 -专利权人：无锡车联天下信息技术有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供的一种模块化芯片结构及芯片系统，涉及电子线路技术领域，以在一定程度上优化模块化芯片结构，避免产品迭代需要进一步的优化和调整，导致开发和测试周期长的问题。本发明提供的模块化芯片结构，包括基板以及平台芯片组件；平台芯片组件包括至少两个主芯片，主芯片朝向基板的一侧形成有多个第一焊盘，基板背离主芯片的一侧形成有多个第二焊盘，且第二焊盘的数量包含至少两个主芯片所包含的第一焊盘的功能管脚的数量。
模块化芯片结构系统

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN202211100193.9在审
发明人：卢宗正;王彦武 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括：堆叠件，堆叠件包括多个层叠的半导体器件；多个电连接部，电连接部位于堆叠件的一侧，且每一电连接部与相应的两个半导体器件电连接多条导线，每一所述线连接一电连接部和至少两个半导体器件；其中，每一导线包括公用部以及与公用部一端连接的至少两个连接部，公用部的另一端连接到电连接部，每一连接部分别连接到相应的半导体器件。至少可以解决封装结构中存在的stub效应引起的反射问题以及时延较大的问题。
封装结构及其制造方法