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[实用新型]一种带有导电环的QFN封装管壳及电子器件-CN201320396452.7有效
发明人：向志宏;孙熙亮;吴君安 -专利权人：无锡中科龙泽信息科技有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有导电环的QFN封装管壳及电子器件。该管壳包括一壳体，所述壳体上设有电极触点，以及与电极触点相连的封装管脚，其特征在于，还包括至少一个导电环，所述导电环设于所述壳体上，与所述电极触点和/或与被封装芯片的压焊盘相连接，与壳体的其余部分电绝缘。本实用新型通过在QFN壳体上增加导电环，可将导电环直接与所需封装的芯片上的压焊盘相连接，减少了QFN封装中对管脚数量的需求，降低了封装成本和封装难度，提高了器件的集成度和可靠性。
一种带有导电 qfn 封装管壳电子器件

[发明专利]半导体封装件及其制法-CN201210384219.7无效
发明人：林建成;许聪贤;朱恒正;杨超雅;郑志铭 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括：具有电性接触垫的基板、设于该基板上的半导体组件、形成于该半导体组件顶面及侧面上且延伸至该电性接触垫上的导电胶、以及设于该导电胶上的电子组件。借由该导电胶与电性接触垫作为屏蔽结构，使该半导体组件与电子组件间的电磁不会相互干扰。
半导体封装及其制法

[实用新型]可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构-CN201320272682.2有效
发明人：王仁书;徐永平 -专利权人：扬州晶新微电子有限公司
申请日： 2013-05-20 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：可用于共晶焊的P型硅器件芯片背面金属化结构，属于半导体器件技术领域。其特征是，P型硅半导体基材背面设有III族元素原子与金及P型硅半导体材料的多元合金层，在多元合金层上设有金金属层或再在金金属层上设有SnCu或SnSb金属层，所述多元合金层厚度为0.02-0.3微米。金金属层厚度为1-2微米。本实用新型结构合理，提高背面的掺杂浓度,实现了背面高浓度与金属化的有机结合。进一步降低了半导体芯片的压降，实现了可满足共晶工艺的P型硅半导体芯片背面金属化结构。一方面降低了P型硅半导体芯片的压降，另一方面满足了半导体芯片封装共晶焊接工艺的要求。
用于共晶焊器件芯片背面金属化结构

[发明专利]一种基于框架采用键合线连接技术的封装件及其制作工艺-CN201310231318.6有效
发明人：孙青秀 -专利权人：孙青秀
申请日： 2013-06-10 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于框架采用键合线连接技术的封装件及其制作工艺，所述封装件包括有芯片、塑封体、镀银层和键合线。所述镀银层为相互独立的镀银层段，部分镀银层上有芯片，所述芯片和无芯片的部分镀银层通过键合线连接，塑封体包围了芯片、镀银层和键合线，芯片、镀银层和键合线构成了电路的电源和信号通道。所述封装件还包括有金属凸点。所述制作工艺为：框架镀银→晶圆减薄→划片→上芯→做金属凸点→压焊→塑封→腐蚀框架→切割→包装，所述做金属凸点可省略。本发明通过电镀银之后在植有的金属凸点上直接压焊，也可通过电镀银后直接打线的方法实现了框架图形的设计在框架制作时期就完成，缩短了制作周期，更好得实现芯片与载体的互联，使I/O更加密集，成本更低。
一种基于框架采用键合线连接技术封装及其制作工艺

[发明专利]半导体封装构造及其制造方法-CN201310214068.5有效
发明人：杨俊洋 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体封装构造，包含：一重布线层，具有一电源输入端与一电源输出端；至少一芯片，配置于所述重布线层上并具有一有源表面，所述有源表面电性连接所述重布线层，所述芯片的有源表面的一电源输入垫对应连接所述重布线层的电源输出端；以及至少一引脚，配置于所述重布线层上，其中所述引脚具有一连接部、一第一凸部与一第二凸部，所述连接部连接所述第一凸部与所述第二凸部，所述第一凸部对应电性连接所述重布线层的电源输入端，所述第二凸部对应电性连接所述重布线层的电源输出端。上述引脚提供较大接触面积、截面积与延长的传导路径，其在电源通过重布线层输入到芯片时可达到电性缓冲的效果，避免芯片受到损害。
半导体封装构造及其制造方法

[实用新型]电路零件-CN201220557424.4有效
发明人：佐藤和也 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型的目的在于，提供能够使基板与IC芯片实现良好连接的电路零件。本实用新型的电路零件是利用含有导电粒子的导电性粘接剂将IC芯片连接于基板形成的电路零件，在IC芯片的安装面上，设置凸出电极与除了设置凸出电极的部分外的非电极面。在基板表面与非电极面之间，各导电粒子以接触基板的表面及非电极面双方接触的第1状态配置。在基板表面与凸出电极之间以比第1状态扁平的第2状态陷入凸出电极地配置各导电粒子。
电路零件

[发明专利]MOS器件中导通栅极触点-CN201080056776.5无效
发明人： R·赫贝霍尔茨;D·维加 -专利权人：剑桥硅无线电通信有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种MOS器件（400），包括：半导体基底，包括沟道；电极（402），与沟道绝缘并且至少部分设置在沟道之上；和至少一个通到电极的触点（403），所述至少一个触点至少部分设置在所述沟道之上。
mos 器件中导通栅极触点

[发明专利]内插器上贴片组装以及由此形成的结构-CN201080060049.6有效
发明人： B.M.罗伯茨;M.K.罗伊;S.斯里尼瓦桑 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括通过热压接合将贴片结构附连到内插器、在安置于所述内插器的顶部表面上的互连结构的阵列周围来形成底部填充、固化所述底部填充、以及然后将管芯附连到所述贴片结构。
内插上贴组装以及由此形成结构

[发明专利]具有埋置布线的基底结构及其制造方法-CN201110339985.7无效
发明人：裴大录;崔吉铉;朴炳律;姜泌圭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供了一种在具有相对低的电阻的埋置布线的同时可解决在制造工艺中产生的问题的基底结构、一种制造该基底结构的方法和一种半导体装置以及一种用于使用该基底结构制造该半导体装置的方法。所述基底结构可以包括：支撑基底；绝缘层，位于所述支撑基底上；线形导电层图案，设置在所述绝缘层中，并沿第一方向延伸；线形半导体图案，设置在所述绝缘层中且设置在所述导电层图案上，沿所述第一方向延伸并具有暴露到所述绝缘层外部的顶表面。
具有布线基底结构及其制造方法

[实用新型]圆片级盲孔互联结构-CN201120277292.5有效
发明人：陈栋;张黎;段珍珍;陈锦辉;赖志明 -专利权人：江阴长电先进封装有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种圆片级盲孔互联结构，所述结构包括设置有芯片电极（2）及芯片感应区（3）的芯片本体（1），在所述芯片本体（1）及芯片电极（2）的上表面设置有隔离层（4）；在所述隔离层（4）上表面设置有盖板（5）；在所述芯片本体（1）上形成硅孔（7）；在所述硅孔（7）孔壁及芯片本体（2）下表面设置绝缘层（8）；在所述绝缘层（8）、及芯片电极（2）上形成连接孔（9）；在所述连接孔（9）内及选择性的在绝缘层（8）上设置金属线路层（10）；在所述绝缘层（8）及金属线路层（10）上选择性的设置线路保护层（11）。本实用新型圆片级盲孔互联结构具有结合力强、互联可靠性好、接触电阻低的特点。
圆片级盲孔互联结

[发明专利]高频半导体装置-CN201110317683.X有效
发明人：川岛庆一;细见刚;平山敏和 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-07-21 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种高频半导体装置，其能够延长栅极金属线和漏极金属线的金属线长度。该高频半导体装置具备：封装件，其具有空腔；半导体芯片，其配置在该空腔底面，在上表面具有栅极电极、源极电极、以及漏极电极；栅极框，配置在该空腔底面；漏极框，配置在该空腔底面；源极框，配置在该空腔底面；栅极金属线，连接该栅极电极和该栅极框；漏极金属线，连接该漏极电极和该漏极框；以及源极金属线，连接该源极电极和该源极框。而且，该高频半导体装置的特征在于，该半导体芯片，以与将该半导体芯片配置在该空腔底面的中央部的情况相比使该栅极金属线和该漏极金属线的长度变长的方式，从该中央部离开规定的偏移而配置。
高频半导体装置

[发明专利]半导体晶片电极结构与制造方法-CN201010137153.2无效
发明人：王会恒 -专利权人：华上光电股份有限公司
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体晶片电极结构与制造方法，其半导体晶片电极结构，令电极表面中心区域平坦而外围区域粗糙，而借中心区域提供打线结球端所需的接着黏度，且由外围区域阻挡打线的震荡能量向电极外侧横向传递，以使接合于电极的结球端能够符合打线技术标准；其制造方法，利用光罩微影技术于半导体晶片表层定义出电极中心区域，而先将半导体晶片表层于光罩以外的区域予以粗糙化；而后再蒸镀电极金属至半导体晶片表层的平坦与粗化面上，即可于半导体晶片表层形成表面中心区域平坦而外围区域粗糙的电极结构。本发明具有提升球型打线品质的功效。
半导体晶片电极结构制造方法

[发明专利]封装结构-CN201010123514.8有效
发明人：谢伯炘 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-03-02 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种封装结构，包括一线路基板、一芯片、多个焊球、一转接中介层以及一封装胶体。线路基板具有相对的一顶面与一底面，且线路基板还具有位于底面的多个第一接点以及位于顶面的多个第二接点。芯片配置于线路基板的顶面上，并且电性连接至线路基板。所述多个焊球分别配置于部分的第二接点上，且焊球围绕芯片。转接中介层配置于芯片上，并且电性连接至线路基板，其中第一接点以及第二接点中的一个接点经由转接中介层而电性连接至第一接点以及第二接点中的另一个接点。封装胶体配置于线路基板的顶面，并且至少覆盖芯片与转接中介层。
封装结构

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201010207478.3有效
发明人：郭宏瑞;刘重希;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供一种在半导体基底上形成的半导体装置与其制造方法，该半导体基底具有第一表面与第二表面，包含多个元件在第一表面上，多个贯穿硅导通孔(TSVs)在半导体基底内，由第一表面延伸至第二表面，保护层覆盖位于半导体基底的第一表面上的所述多个元件，多个有源导电柱设置在保护层上，具有第一高度，每个有源导电柱与所述多个元件中的至少一个电性连接，多个伪导电柱设置在保护层上，具有第二高度，每个伪导电柱与所述多个元件电性隔绝，第一高度与第二高度大抵上相同。本发明结合了导电柱与贯穿硅导通孔的制造方法，以满足工艺的可靠度以及高度整合性的要求。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]具有自组装式弹性引线的晶片级封装装置-CN201110044090.0有效
发明人：清·C·罗;阿尔卡迪·V·萨莫伊洛夫;雷南特·阿尔瓦拉多 -专利权人：美士美积体产品公司
申请日： 2011-02-17 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明涉及具有自组装式弹性引线的晶片级封装装置。描述一种晶片级封装半导体装置。在一实施方案中，所述装置包含安置于集成电路芯片上的一个或一个以上自组装式弹性引线。所述弹性引线中的每一者经配置以从第一位置和第二位置移动以将所述芯片互连到印刷电路板，在所述第一位置中，所述弹性引线被固持在所述芯片的邻近处且在所述第二位置中，所述弹性引线延伸远离所述芯片。提供防护件以在所述弹性引线处于所述第一位置中时保护所述弹性引线。还可提供一个或一个以上附接凸点以促进将所述装置附接到所述印刷电路板。
具有组装弹性引线晶片封装装置