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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201310409372.5有效
发明人： 杨俊洋 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：半导体封装件包括封装体、芯片、第一导电架、第二导电架及线路层。芯片受到封装体包覆且具有主动面，主动面从封装体的下表面露出。第一导电架包括相连接的直立部及横向部，直立部从封装体的上表面延伸至封装体的下表面，横向部从直立部延伸至封装体的外侧面并具有外侧面及下表面，横向部的外侧面从封装体的外侧面露出，而横向部的下表面从封装体的下表面露出。第二导电架与第一导电架隔离且具有下表面，第二导电架的下表面从封装体的下表面露出。线路层横向地延伸于第二导电架的下表面与芯片的主动面之间，以电性连接第二导电架与芯片。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201310328631.1有效
发明人： 杨俊洋 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、接地层、芯片、封装体及屏蔽层。基板具有外侧面及底面。接地层内埋基板且横向地延伸并从基板的外侧面露出。芯片设于基板上。封装体包覆芯片且具有外侧面。屏蔽层覆盖封装体的外侧面、基板的外侧面及露出的接地层，其中屏蔽层的底面与基板的底面相间隔。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装构造及其制造方法-CN201310214068.5有效
发明人： 杨俊洋 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种半导体封装构造，包含：一重布线层，具有一电源输入端与一电源输出端；至少一芯片，配置于所述重布线层上并具有一有源表面，所述有源表面电性连接所述重布线层，所述芯片的有源表面的一电源输入垫对应连接所述重布线层的电源输出端；以及至少一引脚，配置于所述重布线层上，其中所述引脚具有一连接部、一第一凸部与一第二凸部，所述连接部连接所述第一凸部与所述第二凸部，所述第一凸部对应电性连接所述重布线层的电源输入端，所述第二凸部对应电性连接所述重布线层的电源输出端。上述引脚提供较大接触面积、截面积与延长的传导路径，其在电源通过重布线层输入到芯片时可达到电性缓冲的效果，避免芯片受到损害。
半导体封装构造及其制造方法

[发明专利]具有光电池的半导体结构及其制造方法-CN201210044048.3无效
发明人： 杨俊洋 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2012-02-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：一种具有光电池的半导体结构及其制造方法。半导体结构包括光电池及半导体元件。光电池包括相对配置的第一载体与第二载体、第一导电孔、第二导电孔及数个电池单元。第一导电孔及第二导电孔形成于第一载体与第二载体之一中。电池单元形成于第一载体与第二载体之间。半导体元件通过第一导电孔及第二导电孔电性连接于电池单元。
具有光电池半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201110443804.5无效
发明人： 杨俊洋 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明关于一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一晶粒、一接着金属层、一电路层、一介电层及数个外部连接元件。该晶粒具有数个接垫及一钝化层，其中该钝化层具有数个钝化层开口以显露这些接垫。该接着金属层位于这些钝化层开口内的这些接垫上。该电路层连接至该接着金属层。该介电层具有数个介电层开口以显露部分该电路层。这些外部连接元件位于这些介电层开口内。藉此，该半导体结构的构造较简单。
半导体结构及其制造方法

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