“H01L21/329”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果796个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种沟槽型碳化硅肖特基二极管及其制作方法-CN202210409210.0在审
发明人：张枫;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型碳化硅肖特基二极管及其制作方法，该方法包括提供沟槽结构，沟槽结构包括衬底层、外延层、体区层和柱结构、源区层，外延层形成于衬底层的表面，体区层和柱结构形成于外延层的表面，源区层形成于体区层的表面，体区层和柱结构的注入离子类型与源区层的注入离子类型相反；沟槽结构设有一沟槽；在沟槽内生长出栅极氧化层，在栅极氧化层上淀积多晶硅层；在源区层、栅极氧化层、多晶硅层上淀积形成介质层，在所述介质层表面形成源极接触孔和栅极接触孔；在所述介质层表面形成金属层，实现栅极和源极短接；在所述衬底层的下表面上沉积背面金属层，得到低导通压降的碳化硅肖特基二极管，且开关损耗较小。
一种沟槽碳化硅肖特基二极管及其制作方法

[发明专利]快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管-CN202210308829.2在审
发明人：徐旭东;陆珏 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供了一种快恢复二极管的制造方法及快恢复二极管，其形成了自下至上依次层叠的第二金属电极、第一导电类型膜层、第一导电类型的半导体衬底、第一导电类型的半导体外延层、第二导电类型膜层以及第一金属电极的结构，其中在第一导电类型的半导体衬底的正面上进行了一次外延，且对外延形成的半导体外延层的正面表层进行第二导电类型的离子注入，无需多次氢离子注入，因此可以大大降低了制造成本，同时不容易造成负温度系数，适合大电流并联应用。而且半导体衬底在背面减薄后能用作器件缓冲层，由此改善器件的软恢复性能和反向恢复失效性能。
恢复二极管制造方法

[发明专利]一种高压快恢复二极管结构及制造方法-CN202111645722.9在审
发明人：肖晓军;胡丹丹 -专利权人：龙腾半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压快恢复二极管结构及制造方法，克服了现有技术中工艺精度及退火时间控制难度大，参数一致性差等缺点。本发明所述制造方法，在PN结底部注入并退火形成间隔的P+区域，屏蔽了加反向电压时主结的电场，在P+的间隔区域上方交替刻蚀阳极的接触孔，进一步减小了正向导通过程中少子的注入效率。本发明由于不需要电子辐照和铂扩散等调整少子寿命的工艺，器件的缺陷密度相对较低，高温漏电远小于常规高压快恢复二极管，能有效降低二极管的反向恢复时间及反向恢复电荷。
一种高压恢复二极管结构制造方法

[发明专利]三维半导体二极体装置的制造方法-CN202111146530.3在审
发明人：颜聪富;张光瑞;蔡群贤;李庭鹃;蔡群荣 -专利权人：台湾奈米碳素股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及三维半导体二极体装置的制造方法。该方法包括：提供基板，基板包括硅基板及第一氧化层，第一氧化层位于硅基板上。沉积多个堆叠层于基板之上，每一个堆叠层包括介电层及导体层。通过图案化的光阻层蚀刻堆叠层，以在堆叠层形成至少一个沟槽，沟槽的底部暴露第一氧化层。沉积第二氧化层于堆叠层及沟槽上。沉积高电阻层于第二氧化层上，高电阻层包括第一多晶硅层及第一导电化合物层。沉积低电阻层于高电阻层上，低电阻层包括第二多晶硅层及第二导电化合物层，其中第二多晶硅层的厚度大于第一多晶硅层，第二导电化合物层的厚度大于第一导电化合物层。
三维半导体二极体装置制造方法

[发明专利]碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法-CN202210373341.8在审
发明人：张益鸣;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法。其中，碳化硅结势垒肖特基二极管的制备方法包括：提供碳化硅衬底并在碳化硅衬底的上表面形成N型外延层；在N型外延层的上表面形成第一硬掩膜，并在第一硬掩膜上刻蚀出若干等距的第一开口；在第一硬掩膜和N型外延层之上形成第二硬掩膜，第二硬掩膜的厚度小于第一开口的宽度的一半；对第二硬掩膜进行刻蚀，直至暴露N型外延层；向第二开口注入P型离子；清除第一硬掩膜和第二硬掩膜并在N型外延层的上表面形成肖特基金属层。本申请可以摆脱既定的光刻制程和刻蚀线宽的限制，在不增大肖特基接触的前提下，通过进一步减少P型注入区的表面积大小，使得肖特基结在肖特基接触中的面积占比增大。
碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法-CN201710615726.X有效
发明人：徐长坡;王彦君;孙晨光;陈澄;武卫;梁效峰;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏;徐艳超;杨玉聪;张庆东 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用印刷工艺制作GPP芯片的方法，制备步骤包括硅片预处理，扩散制绒，玻钝印刷制图，金属化和测试分选，其中扩散步骤采用硅磷一次性负压扩散，并采用湿法制绒，玻钝过程采用印刷的方式进行保护层和玻璃桨的涂布，简化了玻钝过程，增加了制备速率。与传统方法比较，印刷工艺制作GPP芯片生产过程规模化、自动化、信息化、少人化；GPP芯片产品生产成本低、品质高、一致性高、市场兼容性好；印刷工艺效率高、精度高，替代现有工艺流程中涂覆、镀膜、电泳等工艺，实现自动化少人化生产的同时，提升产品一致性，降低环保、安全风险。
一种采用印刷工艺制作 gpp 芯片方法

[发明专利]一种采用蜂窝状光刻版和刀刮法的GPP二极管芯片生产工艺-CN202210037382.X在审
发明人：虞旭俊;金家斌;王俊;贺鸿浩;朱燕飞;毛建军;任亮 -专利权人：杭州赛晶电子有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用蜂窝状光刻版和刀刮法的GPP二极管芯片生产工艺，涉及半导体器件的制造。本发明相比基于传统图形掩膜版的刀刮法工艺而言，通过采用第一掩膜版和第二掩膜版组成的新型六边形蜂窝状双沟槽光刻掩膜版，并将其应用于GPP玻璃封装刀刮工艺中，从而只需要一台曝光机就可以完成一次曝光及二次套刻曝光，减少了双面曝光机这台设备，同时本发明也相应省去了价格昂贵的背面光刻版和背面刻蚀所需耗材。而且，由于本发明二次套刻后晶片的刻蚀面拥有正面切割道，因此芯片可以直接采用激光进行高速切割，并且直接得到完整的芯粒，不需要增加人工裂片的环节，具有极高的生产效率和成本优势。
一种采用蜂窝状光刻刀刮法 gpp 二极管芯片生产工艺

[发明专利]半导体元件的制造方法及半导体装置-CN202080059243.6在审
发明人：东克典;小松直佳;泽田达郎;中里佑介;平山知央 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体元件的制造方法：在基板(11)的表面上设置具有开口(12a)并对该开口的周围上表面区域实施了设置给定的构造的加工的掩模(12)，使半导体从自开口露出的基板的表面外延生长到周围上表面区域上为止，制作具有转印了所述给定的构造的半导体层(13)的半导体元件。一个给定的构造为基于具有台阶的形状的构造。另一个给定的构造为基于选择性地配置的元素的构造，被转印的元素向半导体层移动。
半导体元件制造方法装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201780063822.6有效
发明人：柳振一郎;野中裕介;野间诚二;樱井晋也;池浦奖悟;笠原淳志;泷泽伸 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2017-10-04 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：半导体装置具备：半导体基板(10)，具有二极管形成区域(Di)；第一导电型的上部扩散区域(20、50、70)，形成于二极管形成区域中的半导体基板的主面(10a)的表层；以及第二导电型的下部扩散区域(30、60、80)，形成于在半导体基板的深度方向上相对于主面比上部扩散区域深的位置，且杂质浓度比半导体基板的杂质浓度高。另外，下部扩散区域在比主面深的位置形成与上部扩散区域接合的PN结面(S)，并且在二极管形成区域中的下部扩散区域的杂质浓度特性中，具有表示浓度的极大值的极大点(P、P1、P2)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种芯片及其制作方法-CN202110290554.X在审
发明人：史仁先;王国峰 -专利权人：青岛惠科微电子有限公司;青岛惠芯微电子有限公司;北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片及其制作方法，所述芯片的制作方法包括：分别将高纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理，以及将低纯单晶硅片的其中一面进行抛光处理；将所述高纯单晶硅片的抛光面和所述低纯单晶硅片的抛光面对准预键合以形成预键合硅片，并将所述预键合硅片置于键合腔室内部以形成键合硅片；对所述键合硅片的高纯单晶硅片面进行抛光处理，并在抛光处理后的所述高纯单晶硅片面上依次形成外延层和功能器件。本申请利用低纯单晶硅片作为牺牲层，得以减小整个高纯单晶硅片的厚度，极大地降低了高纯单晶硅片和芯片的材料成本。
一种芯片及其制作方法

[发明专利]整流器件的制备方法及整流器件、集成芯片-CN202011071846.6在审
发明人：李培刚 -专利权人：李培刚
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种整流器件的制备方法，包括：准备衬底；准备氧化镓靶材；沉积氧化镓薄膜，通过脉冲激光技术，在所述衬底上沉积氧化镓薄膜图形阵列；在所述氧化镓薄膜上形成电极层；在与所述氧化镓薄膜相对的所述衬底的另一侧形成下电极。该种制备方法适用于现在半导体产线，可实现批量化生产。
整流器件制备方法集成芯片

[发明专利]一种快速恢复二极管的制备方法-CN202011037492.3在审
发明人：葛孝昊;曾丹;史波;赵浩宇 -专利权人：珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速恢复二极管的制备方法，该方法将离子注入工艺与中子嬗变工艺相结合用于制备快速恢复二极管，在保证快速恢复二极管性能的前提下，大大简化了快速恢复二极管的制备工艺，降低了制备周期。其中，快速恢复二极管的制备方法包括：在N‑型衬底上表面制备快速恢复二极管FRD的正面结构；通过离子注入工艺分别从N‑型衬底的背面注入氢离子和磷离子以及通过中子嬗变工艺从N‑型衬底的背面注入中子，并通过预设温度对N‑型衬底进行退火激活处理，以形成与N‑型衬底导电类型相同的多层场截止层，氢离子位于第一场截止层，中子位于第二场截止层，磷离子位于第三场截止层；在N‑型衬底的下表面制备FRD的阴极区域。
一种快速恢复二极管制备方法

[发明专利]二极管结构及其制备方法、具有二极管结构的装置-CN202111665094.0在审
发明人：李星毅;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请涉及一种二极管结构及其制备方法及具有二极管结构的装置。二极管结构包括衬底、第一外延层、第二外延层、正面电极和场板；场板的材质与正面电极的材质相同，且场板和正面电极通过相同的制备工艺形成。上述二极管结构包括正面电极和场板，且其正面电极的材质和场板的材质为相同材质，这样就可以实现在相同的制备工艺中同步制备出场板和正面电极的图形。本申请中的二极管结构在制备时减少了一次单独制备多晶硅材质的场板的工艺。一方面，这样就无需配置用于制备多晶硅的专用设备，或者减少所需要设备的数量，从而可以降低设备成本；另一方面，工艺的减少也可以降低过程变量，并进一步降低制备成本。
二极管结构及其制备方法具有装置

[发明专利]一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚制备方法-CN202111479946.7在审
发明人：张帅;刘阳;刘武博;孙瑞瑞;赵恩 -专利权人：华东光电集成器件研究所
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。
一种用于雪崩二极管微结构金属引脚制备方法

[发明专利]二极管的制备方法及半导体器件-CN202111671357.9在审
发明人：郭幸辰;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请涉及一种二极管的制备方法及半导体器件。该方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的部分第一氧化层；对衬底的正面以及第一氧化层的正面和侧面进行离子注入，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行高温推结，在第一氧化层的正面和背面以及第一掺杂区的正面分别生长第二氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和第二氧化层以及衬底正面的部分第一氧化层和部分第二氧化层；对衬底的正面和背面以及第二氧化层的正面和侧面作扩散处理，生成第二掺杂区。第一氧化层可以保护衬底背面，在离子注入的时候不损伤衬底，无需减薄衬底，节省工序。
二极管制备方法半导体器件