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[发明专利]光敏二极管的制备方法及半导体器件-CN202111671859.1在审
发明人： 郭幸辰;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种光敏二极管的制备方法及半导体器件。该光敏二极管的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面作扩散处理，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层；对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区。本申请的扩散方式设备成本造价低，具有更好的刻蚀均匀性且节省工序。
光敏二极管制备方法半导体器件

[发明专利]二极管的制备方法及半导体器件-CN202111671357.9在审
发明人： 郭幸辰;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请涉及一种二极管的制备方法及半导体器件。该方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的部分第一氧化层；对衬底的正面以及第一氧化层的正面和侧面进行离子注入，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面进行高温推结，在第一氧化层的正面和背面以及第一掺杂区的正面分别生长第二氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和第二氧化层以及衬底正面的部分第一氧化层和部分第二氧化层；对衬底的正面和背面以及第二氧化层的正面和侧面作扩散处理，生成第二掺杂区。第一氧化层可以保护衬底背面，在离子注入的时候不损伤衬底，无需减薄衬底，节省工序。
二极管制备方法半导体器件