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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]离子注入方法及半导体器件的制造方法-CN200810112805.X有效
发明人：丁宇;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-26 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：一种离子注入方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成光刻胶层；图形化所述光刻胶层，形成具有倾斜的侧壁的、用于定义半导体衬底中离子注入区域的开口；对所述开口底部的半导体衬底执行离子注入工艺；其中，所述侧壁与所述待注入区域表面的夹角为钝角。本发明还提供一种半导体器件的制造方法。本发明能够减少或消除离子注入工艺离子光刻胶层散射引起的注入到半导体衬底中的离子。
离子注入方法半导体器件制造

[发明专利]提高半导体图形分辨率的方法-CN200810089160.2有效
发明人：周国耀;吴文彬;王雅志;施江林;赖朝文;吴奇煌 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-04-08 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提出一种提高半导体图形分辨率的方法，通过至少两次离子斜向入射的程序来提高微影制程的分辨率，该方法包括以下步骤：提供一半导体基层，其上具有一保护层、一第一蚀刻层以及一光阻层；去除该光阻层的一部分形成一开口，露出该第一蚀刻层的槽底部分；将一第一离子以一第一入射角度植入该槽底部分的一第一植入区，且该第一入射角度介于0到90度之间；以及将一第二离子以一第二入射角度植入该槽底部分的一第二植入区，其中该第二入射角度介于0到90度之间，且该第二植入区与该第一植入区不相邻。
提高半导体图形分辨率方法

[发明专利]基于负性光刻胶的栅极注入掩膜层的制备方法-CN200710094077.X有效
发明人：陈福成;朱骏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于负性光刻胶的栅极注入掩膜层的制备方法，该制备方法包括：先是涂覆负性光刻胶；后用栅极光刻掩膜版进行光刻显影；最后利用步骤(2)中显影后留下的负性光刻胶作注入掩膜层，进行栅极注入。本发明可用在栅极刻蚀之后，也可用在栅极侧墙完成之后。本发明的制备方法所制备的栅极注入的掩膜层，可以大大提高注入的电压和能量，使得栅极的分压更小，同时避免了传统工艺中对于源漏两极的影响。此外，本发明的方法仅比原有工艺增加一次光刻但不需增加光刻掩膜版的数量，有利于成本控制，可广泛应用于半导体器件制造过程中。
基于光刻栅极注入掩膜层制备方法

[发明专利]半导体装置制造方法、固态成像设备、电器及其制造方法-CN200810210184.9有效
发明人：三好康史 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置制造方法。所述方法包括如下步骤：在基板上形成具有开口的第一硬掩模；在所述第一硬掩模的开口的侧面上形成牺牲膜；在侧面上具有所述牺牲膜的所述开口中形成第二硬掩模；在形成所述第二硬掩模之后除掉所述牺牲膜；经过所述第一硬掩模离子注入第一导电型杂质；以及经过所述第一和第二硬掩模离子注入第二导电型杂质。由于该方法使用了第一和第二硬掩模，因而在使用具有高纵横比的掩模的情况下，杂质区变窄并形成深的杂质区。
半导体装置制造方法固态成像设备电器及其

[发明专利]碳化硅半导体装置的制造方法-CN200810133706.X有效
发明人：渡边宽 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-07-25 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅半导体装置的制造方法，该方法不对沟道区域造成等离子蚀刻引起的等离子损伤地制造沟道长度均匀的碳化硅半导体装置。在碳化硅层的表面形成第一抗蚀图案之后，注入第一导电型杂质离子，在形成通过干式蚀刻缩小了该第一抗蚀图案的宽度后的第二抗蚀图案、并且在未被第二抗蚀图案覆盖的碳化硅层的表面形成堆积层之后，经由堆积层将第二导电型的杂质离子注入碳化硅层。
碳化硅半导体装置制造方法

[发明专利]半导体器件的离子注入方法-CN200810196098.7有效
发明人：刘利峰;张景超;李栋良;赵善麒 -专利权人：江苏宏微科技有限公司
申请日： 2008-09-16 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的离子注入方法，硅片放入离子注入内机，把具有网孔的丝网制成与硅片相同形状的阻挡网，阻挡网贴附在硅片表面，离子注入机向硅片表面注入离子，阻挡网的网丝阻挡了离子向硅片表面的注入，离子只能经阻挡网的网孔注入到硅片表面，在硅片表面形成网格状分布。本发明不用光刻胶制作，没有污染，操作简单，提高了生产效率，与光刻法具有相同效果，保持了半导体器件的优质特性。本发明由于阻挡网可以重复使用，减少了材料浪费，大大降低了半导体器件制造成本。
半导体器件离子注入方法

[发明专利]半导体器件的离子注入方法-CN200710040643.9有效
发明人：何永根;戴树刚 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-05-15 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种的离子注入方法，涉及半导体领域的制造技术。该离子注入方法包括如下步骤：提供半导体基体，其包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层以及位于栅氧化层上面的多晶硅层；在多晶硅层上面生成保护氧化层；在保护氧化层上镀光刻胶，进行曝光、蚀刻、显影步骤；进行预掺杂步骤，注入离子穿过保护氧化层注入多晶硅层内；移除光刻胶；移除保护氧化层。与现有技术相比，本发明离子注入方法通过在多晶硅层上设置保护氧化层，避免或至少减少了注入离子掺入半导体衬底内，从而减小了半导体器件性能的衰减。
半导体器件离子注入方法

[发明专利]无外延衬底中隔离的互补金属氧化物硅器件-CN200710152814.7有效
发明人：理查德·K·威廉斯;迈克尔·E·康奈尔;陈伟田 -专利权人：先进模拟科技公司
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：通过向不包括外延层的半导体衬底中注入掺杂剂形成用于电隔离半导体器件的结构。继注入之后，该结构遭受非常有限的热预算，因此掺杂剂不会显著地扩散。结果，该隔离结构的尺寸是有限且明确的，从而可以实现比常规工艺能获得的组装密度更高的组装密度，在常规工艺中包括外延层的生长和掺杂剂的扩散。在一组实施例中，该隔离结构包括深层和侧壁，它们一起形成了包围被包围区域的杯形结构，在被包围区域中可以形成隔离的半导体器件。侧壁可以通过一系列不同能量的脉冲注入形成，从而制作出重叠于的注入区域的堆叠结构。
外延衬底隔离互补金属氧化物器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200710305598.5无效
发明人：李斗成 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括以下步骤：在衬底上形成绝缘层；通过选择性地蚀刻所述绝缘层，部分地暴露所述衬底；将蚀刻后的绝缘层用作离子注入掩模，将离子注入到暴露的衬底内；以及从注入有离子的衬底上去除蚀刻后的绝缘层。本发明的方法能够避免偶然移动现象，从而显著减少缺陷的发生率。
制造半导体器件方法

[发明专利]离子注入方法及半导体器件的制造方法-CN200710149946.4无效
发明人：李民镛;郑镛洙 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括：形成一掩模图案，以暴露半导体基板的区域。以约4.4度到7度的倾斜角度注入掺杂离子至半导体基板的暴露区域中。本发明可增加半导体器件的生产产率。
离子注入方法半导体器件制造

[发明专利]离子植入方法-CN200680022735.8有效
发明人：兰德尔·卡尔佛;特伦斯·B·麦克丹尼尔;王虹美;詹姆斯·L·戴尔;理查德·H·莱恩;弗雷德·D·菲什伯恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-05-25 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供一种离子植入方法，其包括形成从衬底向外突出的一对间隔且相邻的特征。将所述对间隔特征的至少最外部分彼此横向拉离，其中在所述特征上方接纳有图案化光致抗蚀剂层，且所述图案化光致抗蚀剂层中具有接纳于所述对间隔特征中间的开口。在此类间隔特征被横向牵拉的同时，将物种离子植入到被接纳为低于所述对间隔特征的衬底材料中。在所述离子植入之后，从所述衬底移除所述图案化光致抗蚀剂层。预期有其它方面和实施方案。
离子植入方法

[发明专利]用于除去薄膜层的预蚀刻注入损伤-CN200380106489.0无效
发明人： S·哈雷兰德;N·林德尔特;R·阿哈瓦尼;R·仇 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2003-11-12 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：公开了一种从衬底层(100)上各向异性且有选择地除去介电薄膜层(102，103)方法，其中介电层在湿蚀刻之前受到离子注入(122)。可以在结构如微电子结构之内的栅电极附近应用此方法，从而防止如用更各向同性的蚀刻技术可以碰到的要保持在栅电极与衬底层之间的介电材料的钻蚀。
用于除去薄膜蚀刻注入损伤

[发明专利]多重掩模和制造不同掺杂区域的方法-CN200580041475.4有效
发明人：马丁·克奈普;雷纳·米尼克斯霍弗;马丁·施雷姆斯 -专利权人：奥地利微系统股份有限公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明的目的是利用单掩模(DM)提供一种在衬底(S)上制造不同掺杂区域(DG)的方法和器件。为此目的，提供了包括各自细长掩模开口(MO)的不同掩模区域，所述掩模开口相对于倾斜注入的空间方向而不同地排列。在第一和第二倾斜注入之间，旋转衬底，由此在第一倾斜注入中得到在不同掩模区域中相反的最大和最小遮蔽，并且一旦旋转衬底，则反转第二倾斜注入中的上述关系。
多重制造不同掺杂区域方法

[发明专利]形成用于离子注入的掩模图案的方法-CN200610080309.1无效
发明人：金珪圣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成用于离子注入的掩模图案的方法，所述方法包括：在半导体基底上形成栅极线图案；在所述栅极线图案上形成涂布膜；对于所述栅极线图案的顶部分实施等离子体处理；在所得的结构上形成光致抗蚀剂层；及图案化所述光致抗蚀剂层，以获得所述栅极线图案上的一个光致抗蚀剂图案，其中，所述涂布膜的界面张力低于所述光致抗蚀剂层的界面张力。一个用于离子注入的掩模图案能够使用根据本发明的方法获得，使得后续的离子注入工艺稳定地实施，以改进半导体元件的最终产量。
形成用于离子注入图案方法

[发明专利]减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的正电荷的方法-CN200510113380.0无效
发明人：施惠绅;黄宽益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2005-10-11 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：一种减少在离子注入工艺中累积于芯片表面的电荷的方法，此方法是先提供衬底，再在衬底上形成一层导电光致抗蚀剂图案，以暴露部分衬底，并以导电光致抗蚀剂图案为掩模，对衬底进行离子注入工艺，以于衬底中形成数个掺杂区。然后，移除导电光致抗蚀剂图案。由于利用导电光致抗蚀剂图案将累积的电荷传导出去，所以能够避免因电荷累积于芯片表面而发生的火山效应。
减少离子注入工艺累积芯片表面正电荷方法

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