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- [发明专利]在体硅衬底具有增强自对准介电区域的SOI半导体器件的制造方法-CN03812837.3有效
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A·C·韦;D·J·瑞斯特;M·B·菲塞利耶
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先进微装置公司
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2003-05-28
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2005-08-24
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H01L21/266
- 在某一说明性实施例中，本方法包含：在具有体衬底(bulk substrate)、埋入绝缘层(30B)与有源层(30C)的SOI衬底(30)上形成栅极电极(34)，栅极电极(34)具有形成其上的保护层(34A)；以及在形成栅极电极(34)后，在体衬底(30A)中形成复数个介电区域(45)，该介电区域(45)关于栅极电极(34)自对准，且该介电区域(45)的介电常数小于该体衬底(30A)的介电常数。在一个进一步的实施例中，该方法包含：在具有体衬底(30A)、埋入绝缘层(30B)与有源层(30C)的SOI衬底(30)上形成栅极电极(34)，栅极电极(34)具有形成其上的保护层(34A)；在形成栅极电极(34)与保护层(34A)之后，执行至少一次氧注入工艺，使氧原子得以导入体衬底(30A)之中，由此在体衬底(30A)中形成复数个氧掺杂区域(52)；以及执行至少一次退火工艺，使氧植入区域(52)得以在体衬底(30A)中转换为由二氧化硅所构成的介电区域(45)。在某一说明性实施例中，该器件包含形成在SOI结构(30)上的栅极电极(34)以及形成于体衬底(30A)中的由二氧化硅所构成的复数个介电区域(45)，其中该SOI结构(30)具有体衬底(30A)、埋入绝缘层(30B)及有源层(30C)，该介电区域(45)关于栅极电极(34)自对准。
- 衬底具有增强对准区域soi半导体器件制造方法
- [发明专利]用于使N－沟道与P－沟道晶体管个别最佳化的差别隔离层的形成方法-CN02824976.3有效
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D·H·琼
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先进微装置公司
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2002-12-11
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2005-04-06
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H01L21/266
- 一种形成半导体的方法，该半导体具有n－沟道晶体管(12)和p－沟道晶体管(14)且具有对于各不同类型晶体管的最佳栅极至漏极交迭电容，该方法对于各个晶体管(12、14)在栅极(16)上使用差别隔离层。第一偏移隔离层(18)在栅极(16)上形成并施行n－沟道扩展植入以建立n－沟道晶体管(12)用的源极/漏极扩展区(20)，该n－沟道晶体管(12)与该栅极(16)间隔开最佳距离。第二偏移隔离层(22)在第一偏移隔离层(18)上形成，并形成p－沟道源极/漏极扩展植入以建立p－沟道晶体管(14)用的源极/漏极扩展区(26)。与在p－沟道晶体管(14)上的栅极(16)间隔开的源极/漏极扩展区植入(26)所增加的隔离层导致了p－型掺杂物较之于n－型掺杂物更快地扩散。
- 用于沟道晶体管个别最佳差别隔离形成方法
- [发明专利]生产晶体管的方法-CN99812687.X有效
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哈姆特·格吕茨迪克;杰奇姆·谢雷尔
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乌尔苏拉·格吕茨迪克;尤塔·谢雷尔
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1999-08-13
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2004-05-26
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H01L21/266
- 本发明涉及应用一个p-掺杂的半导体基片生产可集成半导体元件，尤其是晶体管或逻辑门的方法。在半导体基片上首先涂覆一掩模，以确定一个由边沿限定界限的窗口。然后通过用能量进行离浮子注入在半导体基片中产生一个n-掺杂的槽，此能量对于在半导体基片的表面上保留一个p-掺杂的内部区域是足够的，并且n-掺杂槽的边缘区域抵达半导体基片的表面。然后形成晶体管或逻辑门的n-掺杂和/或p-掺杂区被带入半导体基片的p-掺杂内部区域。此方法的优点在于不再需要昂贵的外延和隔离过程。在n-掺杂的基片情况下所有的注入被相反形式的代替，即n代替p，并且反之p代替n。
- 生产晶体管方法
- [发明专利]半导体装置的制造方法-CN03106205.9无效
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林正浩
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精工爱普生株式会社
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2003-02-21
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2003-09-17
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H01L21/266
- 本发明提供了一种半导体装置的制造方法，该方法可以在包含多个离子注入步骤以及热处理步骤的三重势阱的制造过程中减少步骤数量。该半导体装置的制造方法包含以下步骤：(a)在半导体衬底(10)上形成具有第一开口部分(14)的第一掩膜层(12)；(b)在第一开口部分的半导体衬底(10)的裸面上形成第一绝缘层(16)；(c)通过第一绝缘层(16)将第二导电型的第一杂质导入半导体衬底形成杂质层；(d)通过施行热处理形成第一势阱(24)，与此同时，在第一开口部分的半导体衬底的裸面上形成第二绝缘层(22)；(e)在第一掩膜层上形成具有第二开口部分(28)的第二掩膜层(26)；(f)通过第二绝缘层将第一导电型的第二杂质(32)导入半导体衬底，在第一势阱(24)内形成第二势阱。
- 半导体装置制造方法
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