专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储芯片的测试方法及设备-CN202210246819.0在审
  • 第五天昊 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-14 - 2023-09-22 - G11C29/08
  • 本公开实施例提供了一种存储芯片的测试方法及设备,涉及半导体技术领域,包括:在待测存储芯片的存储单元中写入测试数据,该待测存储芯片包括多列存储单元;从上述存储单元中读取存储数据;其中,在从上述存储单元中读取存储数据时,待测存储芯片使用的tCCD小于待测存储芯片的标准tCCD;根据上述测试数据与存储数据,生成待测存储芯片的测试结果。本公开实施例通过改变待测存储芯片的工作参数tCCD,使待测存储芯片的读取环境变得更严格,通过对比写入的测试数据与读取到的存储数据,即可准确判断出待测存储芯片是否存在异常,可以有效提升存储芯片的检测准确率,进而提升存储芯片的良率。
  • 存储芯片测试方法设备
  • [发明专利]存储器漏电流的检测方法-CN202210175571.3在审
  • 第五天昊;刘东;楚西坤 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-02-24 - 2023-09-05 - G11C29/04
  • 本公开提供了一种存储器漏电流的检测方法,方法包括:提供存储阵列,所述存储阵列包括多个存储单元,所述存储单元可操作地耦接到位线和字线;相同或相邻的字线上的相邻存储单元之间具有预设电位差;利用预设电位差产生的电子移动检测相邻存储单元之间的漏电流。在本公开中,在相邻存储单元之间设置预设电位差,预设电位差驱动高电位存储单元中的电子向低电位存储单元中移动,若相邻的两个存储单元存在漏电问题时,增大产生的漏电流的效果,以使漏电流的检测更加准确。
  • 存储器漏电检测方法
  • [发明专利]存储器的检测方法、装置及模拟检测方法-CN202210048891.2在审
  • 第五天昊;楚西坤;刘东 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-17 - 2023-07-25 - G11C29/08
  • 本申请实施例公开了一种存储器的检测方法、装置及模拟检测方法,所述方法包括:通过灵敏放大器向待检测的存储单元写入第一数据;通过所述灵敏放大器向所述存储单元写入不同于所述第一数据的第二数据,在写入所述第二数据时,缩短所述灵敏放大器的放大时长;读取所述存储单元中存储的数据,并根据读取的数据确定所述存储单元是否异常。本申请实施例通过在写入第二数据时缩短灵敏放大器的放大时长,使得存在异常的存储单元更容易被检测到,进而提升了检测准确率。
  • 存储器检测方法装置模拟
  • [发明专利]驱动电路、存储设备及驱动电路控制方法-CN202110963647.4在审
  • 楚西坤;刘东;第五天昊 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-20 - 2023-04-04 - G11C11/4074
  • 本申请提供一种驱动电路、存储设备及驱动电路控制方法,驱动电路包括:第一驱动电路,包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的控制端和第二晶体管的控制端连接,第一晶体管的第二端连接第二晶体管的第一端,并作为驱动电路的输出端;第二驱动电路,具有供电端和输出端,输出端与第一晶体管的控制端连接;电源切换电路,其第一端连接信号生成电路的供电端,其第二端连接第一电源,其第三端连接第二电源,用于在控制信号控制下,将第二驱动电路的供电端连接至第一电源和第二电源中的一个;其中,第一电源大于第二电源。本申请的方案,用以改善GIDL效应。
  • 驱动电路存储设备控制方法
  • [发明专利]驱动电路、存储设备及驱动电路控制方法-CN202110963656.3在审
  • 楚西坤;第五天昊;刘东 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-08-20 - 2023-04-04 - G11C11/4074
  • 本申请提供一种驱动电路、存储设备及驱动电路控制方法,驱动电路包括:第一驱动电路,包括第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管的控制端和第二晶体管的控制端连接,第一晶体管的第二端连接第二晶体管的第一端,并作为驱动电路的输出端;第二驱动电路,具有供电端和输出端,输出端与第一晶体管的控制端连接;设有降压元件的电源切换电路,其第一端连接信号生成电路的供电端,其第二端连接第一电源,其第三端连接第二电源,用于在控制信号控制下,将第二驱动电路的供电端连接至第一电源,或者,将所述第二驱动电路的供电端通过所述降压元件连接至所述第二电源;其中,第一电源不小于第二电源。本申请的方案,用以改善GIDL效应。
  • 驱动电路存储设备控制方法
  • [发明专利]半导体结构的测试方法及测试装置-CN202111055312.9在审
  • 第五天昊;楚西坤;刘东 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-09-09 - 2023-03-14 - G11C29/02
  • 本申请涉及一种半导体结构的测试方法及测试装置。半导体结构的测试方法包括如下步骤:提供存储阵列,存储阵列中包括呈阵列排布的多个存储单元、多条字线、以及多条位线,多条位线与多个感应放大器电连接;多次执行如下第一循环步骤,直至存储阵列中所有的存储单元均写满0;第一循环步骤包括:选定一条字线作为第一目标字线,并开启第一目标字线;自第一目标字线开启至延迟第一预设时间后,开启感应放大器;自第一目标字线开启至延迟第二预设时间后,关闭第一目标字线和感应放大器,并以与第一目标字线相邻的下一条字线作为下一次第一循环步骤的第一目标字线。本申请提高了字线与位线之间短路缺陷检测的准确度与检测效率。
  • 半导体结构测试方法装置
  • [发明专利]存储器检测方法及装置、电子设备和存储介质-CN202210411571.9在审
  • 第五天昊 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-04-19 - 2022-07-29 - G11C29/56
  • 本公开是关于一种存储器检测方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质,涉及半导体技术领域,可以应用于对存储器进行读写检测的场景。该方法包括:获取测试数据与待检测的存储器,存储器处于读写灵活切换模式;确定各读写模式对应的突发长度、数据写入起始地址与数据读取起始地址;基于突发长度与数据写入起始地址将测试数据写入存储器,以得到写入数据;基于突发长度与数据读取起始地址从存储器中读取写入数据,以得到对应的读出数据;确定各读写模式对应的写入数据与读出数据的数据对比结果,以根据数据对比结果确定存储器的检测结果。本公开可以根据多个读写模式之间的转换,精准的检测出存储器是否存在读写问题。
  • 存储器检测方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]存储器的测试方法及测试装置-CN202210462879.6有效
  • 第五天昊 - 长鑫存储技术有限公司;长鑫集电(北京)存储技术有限公司
  • 2022-04-29 - 2022-07-19 - G11C29/40
  • 本公开实施例公开了一种存储器的测试方法及测试装置,所述方法包括:提供一存储器,所述存储器包括多条字线,每一所述字线耦接多个存储区,每一所述存储区包括多个存储块,所述存储块内保存有第一数据;维持每一所述存储区内的至少一个所述存储块内的数据为所述第一数据;在预定时长内关闭所述字线上的供电电压;向所述字线上施加所述供电电压,并向所述存储区内写入第二数据;读取所述存储区内的数据,并进行运算,以获得运算结果;根据所述运算结果,判断所述存储器是否正常。通过上述方法,能够提高存储器的测试效率。
  • 存储器测试方法装置

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