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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器模块、存储器系统和操作存储器系统的方法-CN202211104262.3在审
发明人：金泽耘;孙宁洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：提供了存储器模块、存储器系统和操作存储器系统的方法。所述存储器模块包括：多个数据芯片，所述多个数据芯片中的每个被配置为：存储与多个突发长度对应的数据集；和至少一个行锤击计数器芯片，包括计数器存储器单元，计数器存储器单元中的每个连接到用于所述多个数据芯片中的每个的多条字线之中的字线，其中，所述至少一个行锤击计数器芯片被配置为：在连接到所述字线的计数器存储器单元中的每个中存储在行锤击监视时间帧期间针对所述多个数据芯片中的每个访问所述字线的次数。
存储器模块系统操作方法

[发明专利]检测操作模式的弱点的存储器装置及其操作方法-CN202211519323.2在审
发明人：柳廷旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C11/4078 文献下载
摘要：提供了一种用于检测操作模式的弱点的存储器装置及其操作方法。该方法包括：在包括N个条目的寄存器中存储关于多条字线中的N条字线的地址信息和激活计数信息；基于与N条字线不同的第一字线的激活，在N个条目中的从其驱逐了信息的条目中存储关于第一字线的地址信息和激活计数信息；以及基于在第一周期中对寄存器执行驱逐的次数生成第一弱点信息。
检测操作模式弱点存储器装置及其操作方法

[发明专利]用于阈值电压经补偿的感测放大器的电源供应控制的设备和方法-CN202180065555.2在审
发明人：佐藤敏行;野口英和 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：公开包含阈值电压经补偿的感测放大器的设备和用于补偿所述设备的方法。根据本公开的实例阈值电压经补偿的感测放大器包含：电路，例如第一晶体管，其具有第一导电类型，耦合到第一节点和第二节点；第二晶体管，其具有第二导电类型，耦合到所述第一节点和第三节点处；多个晶体管，其耦合到所述第二节点且进一步被配置成接收电源供应电压；和控制电路，其被配置成将多个控制信号提供到所述多个晶体管。所述控制电路在第一存储器操作中提供指示第一驱动强度的所述多个控制信号并且另外在第二存储器操作中提供指示第二驱动强度的多个信号。
用于阈值电压补偿放大器电源供应控制设备方法

[发明专利]存储装置及其执行的时钟同步方法-CN201710890589.0有效
发明人：金惠兰;全成桓;吴台荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：一种存储装置及其执行的时钟同步方法，可实现存储装置的时钟同步操作。存储装置包括：第一时钟接收器，被配置成接收第一时钟信号；第二时钟接收器，被配置成在输入数据或输出数据时接收第二时钟信号，其中第二时钟信号在前同步码周期中具有第一时钟频率、且在前同步码周期之后具有与第一时钟频率不同的第二时钟频率；命令解码器，被配置成接收与第一时钟信号同步的时钟同步命令并产生时钟同步信号，其中时钟同步信号是在前同步码周期期间产生；以及时钟同步电路，被配置成响应于第二时钟信号而产生多个分频时钟信号，在前同步码周期期间锁存时钟同步信号，并根据锁存的结果而选择性地提供多个分频时钟信号作为内部数据时钟信号。
存储装置及其执行时钟同步方法

[发明专利]控制电路、控制方法以及半导体存储器-CN202211219790.3有效
发明人：黄泽群;孙凯 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种控制电路、控制方法以及半导体存储器，该控制电路包括时序控制模块和命令控制模块，且时序控制模块的输出端与命令控制模块的输入端连接；时序控制模块，用于接收第一时钟信号，根据第一时钟信号进行计数，生成错误检查与清除ECS标识信号，并将ECS标识信号发送给命令控制模块；其中，在计数值满足预设条件时，使ECS标识信号处于有效状态；命令控制模块，用于接收ECS标识信号，以及在ECS标识信号处于有效状态时，获取刷新命令信号，并根据刷新命令信号产生ECS命令信号。这样，根据时序控制模块来规划ECS操作的间隔时间，可以准确地产生ECS命令信号，进而能够确保24小时完成所有的错误检查与清除。
控制电路控制方法以及半导体存储器

[发明专利]用于初始化电阻式存储装置的技术-CN201780058313.4有效
发明人：吕志超;布伦特·豪克内斯;盖理·布朗纳 -专利权人：合肥睿科微电子有限公司
申请日： 2017-08-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C11/4072 文献下载
摘要：本文中的实施方式描述了初始化电阻式存储装置(例如，非易失性和易失性存储装置)的技术。在一种方法中，在存储单元的变阻材料上施加第一电压以形成初始细丝，并且执行多个循环以调节所述初始细丝。所述多个循环中的每一个可包括：在所述变阻材料上施加具有第一极性的第二电压，以及在所述变阻材料上施加具有第二极性的第三电压。
用于初始化电阻存储装置技术

[发明专利]具有人工智能模式的存储器-CN202080060349.8有效
发明人： A·特罗亚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开包含与存储器中的人工智能加速器相关的设备及方法。实例设备可包含：多个寄存器，其经配置以使所述设备能够在人工智能模式下操作以执行人工智能操作；及人工智能(AI)加速器，其经配置以使用存储于多个存储器阵列中的数据执行所述人工智能操作。所述AI加速器可包含经配置以执行与AI操作相关联的操作的硬件、软件及/或固件。所述硬件可包含配置为加法器及/或乘法器以执行与AI操作相关联的操作(例如，逻辑操作)的电路系统。
具有人工智能模式存储器

[发明专利]半导体存储装置-CN201811004525.7有效
发明人：池田圭司;田中千加 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：实施方式提供一种抑制读取错误的半导体存储装置。半导体存储装置具备：第1存储单元MC，包括第1晶体管T及第1电容器C；第2晶体管/TA，包含与所述第1存储单元的第1端子连接的第1端子；第1位线BL，与所述第1存储单元的第2端子连接；第2位线/BL，与所述第2晶体管的第2端子连接；以及控制器12，在所述第1存储单元的写入动作中，使所述第1晶体管接通，且使所述第2晶体管断开，在所述第1存储单元的读取动作中，使所述第1晶体管及所述第2晶体管接通。
半导体存储装置

[发明专利]低功率双数据速率存储器的电源管理电路及其管理方法-CN202111392577.8在审
发明人：简顺荣 -专利权人：美商矽成积体电路股份有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本发明提供一种低功率双数据速率存储器的电源管理电路及其管理方法，其用以依据参考电压管理低功率双数据速率存储器的电源。低压降调节器的第一传输端用以传输第一电压，第二传输端用以传输第二电压。低压降调节器依据参考电压调节第一电压与第二电压之间的电压差。电源网格结构的第一电源网格线路具有第一单位网格间距与第一连接点电性连接第一传输端。第二电源网格线路具有第二单位网格间距与第二连接点电性连接第二传输端，第二连接点与第一连接点相隔的距离小于等于第一单位网格间距与第二单位网格间距之一者。借此，使电源线宽缩小并节省功率。
功率双数速率存储器电源管理电路及其方法

[发明专利]具有芯片选择回送的寄存器时钟驱动器-CN202111465727.3在审
发明人：张志晗;张原 -专利权人：瑞萨电子美国有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：在实施例中，描述了一种包括存储器模块的装置。存储器模块可以包括多个存储器行列和耦合到多个存储器行列的寄存器时钟驱动器(RCD)。RCD可以包括接收器，该接收器被配置为接收用于选择一个或多个存储器行列的芯片选择信号。RCD还可以包括耦合到接收器的逻辑电路和耦合到逻辑电路的输出驱动器。RCD还可以包括回送电路，其被配置为从在接收器与逻辑电路之间的第一采样点和在逻辑电路与输出驱动器之间的第二采样点中的一个或多个中采样芯片选择信号。
具有芯片选择回送寄存器时钟驱动器

[发明专利]用于存储器单元的模式切换的低毛刺开关控制-CN202180059431.3在审
发明人： K·亚达夫;V·达纳塞卡兰;王彦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：一种用于电源模式切换的装置，包括：输出第一电压的第一电压调节器、输出第二电压的第二电压调节器、输出第三电压的第三电压调节器、电子负载、第一电压调节器和电子负载之间的第一开关、第二电压调节器和电子负载之间的第二开关、以及第三电压调节器和电子负载之间的第三开关。并且，一种用于电源模式切换的方法包括：利用第一电压向电子负载供电；切换到第二电压；在跨该电子负载的电压小于参考电压时，维持该电子负载与该第二电压的耦合；以及在该电压大于或等于该参考电压并且该第三电压小于该第二电压时，切换到第三电压。
用于存储器单元模式切换毛刺开关控制

[发明专利]存储单元、半导体器件及存储器-CN202310114758.7在审
发明人：陈志勇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种存储单元、半导体器件及存储器，其中，所述存储单元至少包括：第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端相连，且所述第一晶体管的第一端和所述第二晶体管的第一端相连；所述第一晶体管的第二端连接第一电压，所述第二晶体管的第二端连接第二电压；所述存储单元基于所述第一晶体管或者所述第二晶体管的寄生电容存储数据。
存储单元半导体器件存储器

[发明专利]半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储器系统-CN202211241807.5在审
发明人：申相学;姜雄大 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器件和具有该半导体存储器件的存储器系统。所述半导体存储器件包括：第一电源单元，所述第一电源单元被配置为：在高频操作的正常模式下，从第一全局电源轨向第三全局电源轨和第四全局电源轨供应第一电源；在高频操作的待机模式下，向所述第三全局电源轨供应所述第一电源，而不向所述第四全局电源轨供应所述第一电源；在低频操作的正常模式下，向所述第三全局电源轨和所述第四全局电源轨供应第二全局电源轨的第二电源；以及在低频操作的待机模式下，向所述第三全局电源轨供应所述第二电源，而不向所述第四全局电源轨供应所述第二电源。
半导体存储器件具有存储器系统

[发明专利]数据处理方法、装置、存储控制器、设备及介质-CN202210827905.0在审
发明人：卢开芳 -专利权人：成都海光集成电路设计有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：本公开提供了一种数据处理方法、装置、存储控制器、设备及介质，其中，用于存储器的存储控制器被配置为在包括软硬件结合模式的至少一个模式下工作，所述方法包括：响应于接收到第一指示，使得存储控制器工作在软硬件结合模式，对输入信号的相位进行调整；控制存储器对相位调整后的输入信号进行采样。本公开提供的方法可以响应于第一指示，使用于存储器的存储控制器工作在软硬件结合模式下，从而可以合理的分配硬件和软件在调整输入信号的相位过程中的工作，进而使得本公开提供的数据处理器方法能够高效快速的执行，以完成对输入信号的相位的调整。
数据处理方法装置存储控制器设备介质

[发明专利]行锤击防御方法、装置及内存控制器-CN202211659657.X在审
发明人：朱梦尧;刘鸿瑾;张绍林;谢冰;李健 -专利权人：北京轩宇空间科技有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C11/4078 文献下载
摘要：本发明涉及存储器领域，公开了行锤击防御方法、装置及内存控制器，应用于内存控制器，通过对内存控制器发送的行激活命令进行行激活计数，从数量庞大的行激活命令中过滤掉正常的行激活命令，只对行激活次数超过第一阈值的目标行地址进行行锤击检测，若行锤击检测结果为存在行锤击攻击，则反馈异常信号至内存控制器，以降低所述目标行地址对应的行激活命令的发送密度，从而实现行锤击防御的目的，本发明不需要为每一行地址分配计数器，从而节省了大量资源，在实现行锤击防御的同时，降低了资源占用率，实现以更少的资源占用的行激活计数方式实现行锤击防御的目的。
行锤击防御方法装置内存控制器

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