[发明专利]用于初始化电阻式存储装置的技术有效

专利信息
申请号: 201780058313.4 申请日: 2017-08-22
公开(公告)号: CN110088836B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: 吕志超;布伦特·豪克内斯;盖理·布朗纳 申请(专利权)人: 合肥睿科微电子有限公司
主分类号: G11C11/4072 分类号: G11C11/4072;G11C11/21;G11C13/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 230088 安徽省合*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本文中的实施方式描述了初始化电阻式存储装置(例如,非易失性和易失性存储装置)的技术。在一种方法中,在存储单元的变阻材料上施加第一电压以形成初始细丝,并且执行多个循环以调节所述初始细丝。所述多个循环中的每一个可包括:在所述变阻材料上施加具有第一极性的第二电压,以及在所述变阻材料上施加具有第二极性的第三电压。
搜索关键词: 用于 初始化 电阻 存储 装置 技术
【主权项】:
1.一种用于初始化电阻式存储装置的方法,其特征在于,所述方法包括:在一存储单元的一变阻材料上施加第一电压以形成一初始细丝;以及执行多个循环以调节所述初始细丝,其中所述多个循环中的每一个包括:在所述变阻材料上施加具有第一极性的第二电压;以及在所述变阻材料上施加具有第二极性的第三电压。
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