[发明专利]存储单元,存储器件及存储单元的制造方法有效

专利信息
申请号: 200410034329.6 申请日: 2004-04-12
公开(公告)号: CN1542848A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 森本英德 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G11C11/36 分类号: G11C11/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;梁永
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 存储单元(33)中可调电阻元件(31)和肖特基二极管(32)彼此串联。在存储器件中,位线(BL0、BL1和BL2)排列在列向,位线(BL)的一端和位线解码器(34)连接,另一端连接读取电路(37)。字线(WL0、WL1和WL2)排列在行向,和位线(BL)交叉,字线(WL)的两端和字线解码器(35和36)连接。换句话说,位线(BL)和字线(WL)以矩阵排列以及存储单元(33)位于位线(BL)和字线(WL)彼此交叉的位置,其构成存储器件。存储单元(33)和存储器件的读取干扰的影响得以减小。
搜索关键词: 存储 单元 器件 制造 方法
【主权项】:
1、一种存储单元,包含可调电阻元件和控制流入所述可调电阻元件的电流的电流控制元件,其特征在于所述电流控制元件是肖特基二极管(32)。
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