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[发明专利]一种基于一维拓扑光子晶体耦合微环腔的生物传感器-CN202310748425.X在审
发明人：李惠;王云轩;钟础宇;冯健;苗威;陈钊 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于一维拓扑光子晶体耦合微环腔的生物传感器，包括：顺序连接的第一直波导、微环谐振腔和第二直波导；第一直波导和微环谐振腔之间以耦合方式形成耦合点；第一直波导上设有一维拓扑光子晶体组；一维拓扑光子晶体组水平的分布在第一直波导上。本申请利用两种拓扑性质不同的光子晶体拼接在一起实现，受拓扑保护的拓扑谐振模式，具备稳定性高、半峰全宽窄、缺陷免疫性强等特性，将更有利于光学器件的开发设计。
一种基于拓扑光子晶体耦合微环腔生物传感器

[发明专利]一种基于印刷电路板的平面光波导结构及其制作方法-CN202210099574.3有效
发明人：王明娣;汤子麟;陆文渊;李祥;王昊;李朋坤 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于印刷电路板的平面光波导结构及其制作方法，其中制作方法包括如下步骤：S1、制作印刷电路板；S2、在印刷电路板的一侧面设置下包层，进行固化及退火处理；S3、通过电流体动力喷印设备将光波导材料以预设的路径涂覆在下包层的上表面上，形成待固化的光波导线路，光波导材料为包含银离子及UV固化剂的浆液；S4、通过紫外光照射使得光波导线路固化，其中紫外光通过具有狭缝的镜组照射到光波导线路上；S5、在下包层及光波导线路上设置上包层，进行固化处理。本发明实现了集成光路与集成电路的融合，最大限度保证了传输信号的完整性，能够有效提高生产效率及产品质量，大大降低了成本，尤其适合于小批量光电混合印刷电路板的生产。
一种基于印刷电路板平面波导结构及其制作方法

[发明专利]基于旋转椭圆介质柱的太赫兹谷拓扑光子晶体及宽带拓扑光波导-CN202310479771.2在审
发明人：许孝芳;翟楠;刘雅琪;孙铭;沈云峰 -专利权人：江苏大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于旋转椭圆介质柱的太赫兹谷拓扑光子晶体及宽带拓扑光波导，所示谷拓扑光子晶体由旋转椭圆介质柱在背景折射率为1.39的介质中排列而成，所述旋转椭圆介质柱绕其轴线逆时针方向旋转的偏转角可在0°～60°之间调整，实现两种拓扑性质的VPC，还可以获得两个光子带隙，其中低频带隙宽度可达到0.21(2πc/a)，高频带隙宽度可达0.38(2πc/a)，相较于以往的结构有显著的增加，因此适用于宽带、选频和器件的设计。有该晶体结构构建的光波导具有单向鲁棒的传输，且具有较高的传输率，光局域性增强，对无序、空腔、急弯等缺陷具有免疫特性。该光波导结构通过旋转介质柱能够实现“U”、“Y”形和“Z”形等不同路径的单向传输。
基于旋转椭圆介质赫兹拓扑光子晶体宽带波导

[发明专利]涉及CO2-CN202310727049.6在审
发明人：遆好伟 -专利权人：深圳市元素电子测试有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了涉及CO2激光雷达探测纳米硅光子晶片制备方法及应用。本发明将光学有源和无源元件单片集成在单个晶片上的硅光子，然后实现硅光子晶片列阵，具有高带宽密度、高能效和低延迟。本发明同时设计金属纳米粒子、光学衍射光栅和纳米孔径为主要材料的谐振器。本发明将激光器结构内部的缺陷密度降至足够低的值，并选择量子点结构对缺陷不敏感的III‑V增益介质。本发明绝缘体上铝镓砷微梳源来结合来驱动互补硅光子晶片引擎。本发明可以实现微梳和SiPh集成组件的协同作用。本发明所涉及的绝缘体上硅光子集成电路实现了多波长源。
涉及 co base sub

[发明专利]一种椭圆金属柱晶格光子晶体的低损耗太赫兹波导-CN202111470202.9有效
发明人：刘子璇;路志刚;钟宝辉;段景瑞;朱俊宛;王泽川;陈海峰 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及太赫兹波技术领域，公开了一种椭圆金属柱晶格光子晶体的低损耗太赫兹波导，包括至少一组光子晶格阵列，所述光子晶格阵列由横向为M列、纵向为N个的光子晶体晶格周期性排列组成，其中，M、N均为不小于2的正整数，所述光子晶体晶格由长轴沿电磁波传播方向的椭圆柱作为晶格单元以及围绕在所述椭圆柱周围的真空腔组成，所述椭圆柱的长轴与纵向平行。本发明采用椭圆柱作为光子晶体晶格的晶格单元，由于相邻两个椭圆柱沿纵向与沿横向距离不一致，相较于正方形与圆柱的对称晶格，展宽了电磁波TE模式的传输禁带，从而提高了传输带宽，同时这一特性也使得工作带宽范围内电磁波的传输损耗降低，实现了低损耗宽带太赫兹波的传输。
一种椭圆金属晶格光子晶体损耗赫兹波导

[发明专利]温度不敏感马赫曾德尔干涉仪-CN201811501015.0有效
发明人：仇超;赵瑛璇;甘甫烷;武爱民;盛振;李伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。
温度敏感马赫曾德尔干涉仪

[发明专利]光波导元件及使用其的光调制器件以及光发送装置-CN202180086181.2在审
发明人：钉本有纪;村田祐美;片冈优;高野真悟 -专利权人：住友大阪水泥株式会社
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种光波导元件，所述光波导元件包括：不会使制造工序复杂化，且抑制了光插入损耗的光斑尺寸转换单元。光波导元件包括：光波导基板(4)，包含由具有光电效应的材料形成的肋型的光波导(10)；以及光斑尺寸转换单元，在形成有所述肋型的光波导(10)的输入端或输出端的位置，使在所述光波导中传播的光波的模场直径变化，其中，所述光斑尺寸转换单元包括：第一结构层(1)，包括与所述肋型的光波导(10)连接并扩大所述光波导的宽度的锥形部分(11)；第二结构层(2)，层叠于所述第一结构层(1)，具有比所述第一结构层(1)的宽度窄的宽度；以及第三结构层(3)，以覆盖除所述第二结构层(2)的与所述肋型的光波导接近的一部分之外的所述第二结构层(2)的方式配置，具有比所述第二结构层(2)的宽度宽的宽度。
波导元件使用调制器件以及发送装置

[发明专利]用于光学组件的超材料层-CN202310127084.4在审
发明人：卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及用于光学组件的超材料层，提供包括光学组件例如边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底、位于该衬底上方的波导芯、以及在该波导芯与该衬底间沿垂直方向设置的超材料层。该超材料层包括由一组间隙隔开的一组元件以及位于该组间隙中的介电材料。
用于光学组件材料

[发明专利]一种超宽带分合束器-CN202011248785.6有效
发明人：张宇光;肖希;王磊;陈代高;李淼峰;胡晓;冯朋 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种超宽带分合束器，包括：衬底以及依次叠置在所述衬底上的第一波导层和第二波导层；其中，所述第一波导层的上表面与所述第二波导层的下表面直接接触；所述第二波导层包括进行光信号耦合的输入渐变波导区和输出渐变波导区；所述输入渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第一投影、所述输出渐变波导区在垂直于所述衬底的方向上的第二投影以及所述第一波导层在垂直于所述衬底的方向上的第三投影满足以下关系：所述第一投影和所述第二投影完全落入所述第三投影的范围内。
一种宽带分合

[发明专利]一种基于谷霍尔拓扑相变的全硅太赫兹复用芯片-CN202310659960.8在审
发明人：徐速;任航;王文雅;陈岐岱;孙洪波 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于谷霍尔拓扑相变的全硅太赫兹复用芯片，属于太赫兹片上无源器件技术领域，所述复用芯片为双层结构，所述双层结构包括鱼叉型结构的上层波导及下层波导，通过控制鱼叉型结构的上层波导及下层波导的间距，可调控芯片的工作状态，进而实现可控的太赫兹片上信道切换；所述工作状态包括耦合和解耦两种工作状态。本发明的上、下两层不同的光子晶体波导，通过调节双层波导间的距离来控制双层波导的耦合和解耦两种工作状态，实现传输路径的转换，进而实现片上信道的切换。
一种基于霍尔拓扑相变全硅太赫兹芯片

[发明专利]一种基于级联As2-CN202310656496.7在审
发明人：李剑峰 -专利权人：成都光博创科技有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于级联As2Se3波导的光脉冲产生装置，属于激光技术领域，包括集成飞秒脉冲光源和级联As2Se3波导，所述集成飞秒脉冲光源用于产生飞秒脉冲并输出至所述级联As2Se3波导，所述级联As2Se3波导用于接收、传导来自所述集成飞秒脉冲光源的飞秒脉冲，所述级联As2Se3波导在长度方向上包括多段不同宽度的条形波导，不同条形波导分别为飞秒脉冲提供不同的色散模式，在输入段在近红外区域具有负色散，将输入的近红外脉冲转移到中红外波段；输出段在中红外区域具有负色散，对脉冲的波长进一步转移。拓展了片上拉曼孤子自频移的波长覆盖范围，通过色散调控，输入段允许近红外激光器作为泵浦源产生拉曼孤子自频移，简化了片上拉曼孤子自频移系统的复杂性，降低成本。
一种基于级联 as base sub

[发明专利]基于逆向设计的超表面透镜锥型波导及其波前整形方法-CN202211498280.4有效
发明人：侯茂菁;马蔚;骆瑞琦;刘冠东 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于逆向设计的超表面透镜锥型波导及其波前整形方法，该波导包括输入多模波导端，超表面透镜区域，锥形区域以及输出单模波导端。超表面透镜区域和紧凑的锥形区域通过拓扑优化逆向设计，连接在光信号输入端和输出端之间，光信号经过超表面透镜区域聚焦到锥形区域从输出端输出。本发明基于水平集方法对器件进行拓扑优化逆向设计，利用片上超表面透镜实现了短距离的聚焦，大大地缩短了锥形区域的长度，且插损仅不到1db。本发明主要结合超表面透镜的聚焦效应和逆向设计的优化方法，通过对片上集成光的调控，为在芯片上实现波前整形提供了新的方式，进一步迈向更小型化更紧凑的集成光学器件。
基于逆向设计表面透镜波导及其整形方法

[发明专利]半导体光元件及其制造方法-CN202310193349.0在审
发明人：河野直哉;藤原直树;齐藤晋圣;藤泽刚;佐藤孝宪 -专利权人：住友电气工业株式会社;国立大学法人北海道大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：提供制造容易且能够提高耦合效率的半导体光元件及其制造方法。半导体光元件具备：基板，具有由硅形成的第一光波导；及半导体元件，接合于所述基板的上表面，具有由III‑V族化合物半导体形成的第二光波导，所述第一光波导和所述第二光波导形成定向耦合器。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]硅光芯片的边耦合器件及硅光芯片-CN202310628716.5在审
发明人：李志伟;袁晓君 -专利权人：北京弘光向尚科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光芯片的边耦合器件及硅光芯片，属于硅光芯片技术领域。该边耦合器件中，第一樑、中间悬臂樑、第二樑均为双层结构，包括底层SiO2和覆盖在底层SiO2之上的覆盖层SiO2；第一樑、中间悬臂樑、第二樑分别具有一连接端，连接端位于第一樑、中间悬臂樑、第二樑的出光端口；第一樑的连接端、中间悬臂樑的连接端和第二樑的连接端均连接于增强结构，使得第一樑、中间悬臂樑、第二樑的另一端形成自由端；中间悬臂樑内设有埋入式高折射率对比度波导。该硅光芯片包括硅衬底、光纤、匹配胶、光纤和该边耦合器件。该边耦合器件能够避免中间悬臂樑损坏，并且，与光纤耦合后，不会形成很大的散射，避免耦合效率降低。
芯片耦合器件

[发明专利]具有堆叠的包覆材料层的光波导-CN202310094926.0在审
发明人： S·M·潘迪;卞宇生;F·O·阿夫扎尔 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有堆叠的包覆材料层的光波导，揭示包括波导芯以及围绕该波导芯的波导包覆层的光波导。该波导包覆层包括横向邻近该波导芯的侧壁设置的包覆材料层的至少一个堆叠，以使该堆叠中的各包覆材料层与该波导芯的该侧壁邻接。该堆叠中的各该包覆材料层与该波导芯相比具有较小的折射率，且该堆叠中的该包覆材料层的至少其中两个具有不同的折射率，从而调节场限制并改变光学模式的形状。不同的实施例包括在该堆叠中的不同数目的包覆材料层、该包覆材料层的不同堆叠顺序、不同的波导芯类型、在该波导芯的相对侧上的对称或不对称的包覆结构等。本发明还揭示形成该光波导的方法。
具有堆叠材料波导