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[发明专利]一种基于光学量子自旋霍尔效应的太赫兹拓扑传输波导-CN202011415251.8有效
发明人：欧阳春梅;马家军 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光学量子自旋霍尔效应的太赫兹拓扑传输波导，由PCI压缩晶格和PCII扩展晶格组成，PCI压缩晶格的本征态p±位于光子带隙的上方，本征态d±位于光子带隙的下方；PCII扩展晶格的本征态p±位于光子带隙的下方，本征态d±位于光子带隙的上方；从PCI压缩晶格到PCII扩展晶格出现能带反转；使用超原胞的方法将PCI压缩晶格和PCII扩展晶格堆叠在一起形成波导结构，在波导结构的布里渊区的光子带隙中出现缺陷边缘态，在PCI压缩晶格和PCII扩展晶格的交界处传输受拓扑保护的电磁波。本发明在其具有相反拓扑特性结构交界面处传输受拓扑保护的单向传播边缘态，该传输波导对结构缺陷，材料杂质等微扰具有很强的鲁棒性，克服传统波导在受到材料缺陷等微扰时会出现非常大的能量损失。
一种基于光学量子自旋霍尔效应赫兹拓扑传输波导

[发明专利]半导体器件及为半导体衬底提供垂直光学通孔的方法-CN201811249930.5有效
发明人：丹尼尔·卡罗瑟斯;提塔许·瑞许特 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明阐述一种为半导体衬底提供垂直光学通孔的方法及半导体器件。半导体衬底具有前表面及后侧。在前表面上形成硬掩模，硬掩模中具有开孔。移除半导体衬底的被开孔暴露出的部分以形成通孔孔洞。通孔孔洞具有不超过一百微米的宽度及底部。在通孔孔洞中提供包覆层及芯层。芯层具有比包覆层的折射率大的至少第二折射率。移除半导体衬底的包括后侧的部分以暴露出芯层的底部部分及半导体衬底的底表面。垂直光学通孔包括包覆层及芯层。垂直光学通孔从前表面延伸到底表面。
半导体器件半导体衬底提供垂直光学方法

[发明专利]波导转换芯片及激光雷达-CN202210332875.6在审
发明人：王皓;汪敬;蒋鹏;颜世佳 -专利权人：深圳市速腾聚创科技有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请是关于一种波导转换芯片及激光雷达。该波导转换芯片包括：基底层；至少一个波导转换件，所述波导转换件嵌入所述基底层，以使所述波导转换件具有第一耦合端和第二耦合端，所述第一耦合端用于接收所述回波光聚焦后的光斑，所述光斑与所述第一耦合端具有重叠区域，所述第二耦合端用于单模式的输出。本申请提供的波导转换芯片及激光雷达，能够改善走离效应对激光雷达的影响，保证回波光的接收效率以提高激光雷达整体性能。
波导转换芯片激光雷达

[发明专利]光偏转装置-CN201880062107.5有效
发明人：马场俊彦;竹内萌江;伊藤宽之;楠侑真 -专利权人：国立大学法人横滨国立大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明的目的在于改进来自光偏转装置的光束的辐射效率。所述光偏转装置由具有晶格布置的光子晶体波导制成，所述晶格布置具有低折射率部分，所述低折射率部分周期性地排列在高折射率构件内。所述晶格布置具有双周期性结构，所述双周期性结构由在所述低折射率部分的周期性阵列中彼此不同的第一周期性阵列和第二周期性阵列组成。没有排列低折射率部分的线性缺陷构成用于传播入射光的波导芯。构成双周期性结构的周期性阵列的至少第一周期性阵列或第二周期性阵列的截面沿低折射率部分的厚度方向是不对称的。
偏转装置

[实用新型]光波导-CN202220627379.9有效
发明人：汪远;吴禹;陈敏;孙腾骞 -专利权人：南京微纳科技研究院有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种光波导，属于光波导技术领域。本申请提供的光波导包括用于对入射光进行传输的传输段和用于出射既定光能量分布的出射光的出射段，所述传输段具有入射端和出射端，所述出射段设置于所述传输段的出射端；所述入射光自所述传输段的入射端进入所述传输段，并经所述传输段传输至所述出射段后，自所述出射段出射，出射段的结构为球冠结构、椭球冠结构、圆台结构或棱台结构，出射段的结构不同，自出射段出射的出射光的能量分布不同，从而解决了自光波导出射的光能量分布不能满足需求的问题。
波导

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011587896.X在审
发明人：刘俊;代洪刚;程东向 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底，所述基底上具有光波导层；位于基底上的第一介质层；位于所述第一介质层和光波导层之间的空腔，所述空腔位于所述光波导层侧壁表面，且所述空腔的底部与光波导层的底部齐平；位于所述第一介质层上和光波导层上的第二介质层，所述第二介质层位于所述空腔顶部且将所述空腔封闭。基底，所述基底上具有光波导层；位于基底上的第一介质层；位于所述第一介质层和光波导层之间的空腔，所述空腔位于所述光波导层侧壁表面，且所述空腔的底部与光波导层的底部齐平；位于所述第一介质层上和光波导层上的第二介质层，所述第二介质层位于所述空腔顶部且将所述空腔封闭。所述半导体结构的性能较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种同时支持TE、TM模式的混合等离激元波导-CN201910382612.4有效
发明人：许吉;黄兢凯;谭悦;董雅璠;陆昕怡;刘宁;陆云清 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-05-09 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种同时支持TE、TM模式的混合等离激元波导，该波导能在不激发传统模式波导的前提下，在垂直、水平方向上分别支持TM、TE的混合等离激元模式。在垂直、水平方向上各有三层结构：以SiO2为衬底，在垂直方向上第一层结构是高折射率材料Si，第二层结构是低折射率材料SiO2，第三层结构是金属Ag；在水平方向上第一层结构是高折射率材料Si且与水平方向的第一层结构一致，第二层结构是低折射率介质空气，第三层结构是金属Ag。所述垂直、水平方向的第二层结构均位于第一层与第三层结构之间。此波导实现了对光波偏振态的控制，为实现需要偏振控制的各种应用的高密度集成提供了可能。
一种同时支持 te tm 模式混合离激元波导

[发明专利]基于厚Si3-CN202210319254.4在审
发明人：林曈;胡国华;喻杭;崔一平;恽斌峰;张若虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于厚Si3N4材料的低插入损耗、大带宽紧凑型多模干涉耦合器，包括基于厚Si3N4材料的单条形锥形渐变输入波导、多模干涉区域、锥形渐变输出波导。本发明可实现入射光由一端口分配到两个输出波导，形成一分二功分器或二合一耦合器，适用于微波光子滤波与整形、双光梳技术、光学相干断层扫描技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中，具有尺寸紧凑、耦合效率高、大带宽、低插损等优点。
基于 si base sub

[发明专利]具有提供于半导体衬底上的光子晶体下部包覆层的光子装置-CN202010284747.X有效
发明人：尤瓦尔·萨阿杜 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及具有提供于半导体衬底上的光子晶体下部包覆层的光子装置。本发明提供一种可将例如波导的光子装置或包含波导作为其结构的部分的其它光子装置与下伏衬底的块体材料隔离的光学隔离结构。所述光学隔离结构还用作下部包覆物以用于对通过所述光子装置的光的垂直局限。所述光学隔离结构由制作于在其上方形成所述光子装置的其余部分的衬底中的光子晶体形成。所述光子装置包含具有通过光子晶体下部包覆层与所述衬底光学隔离的芯的波导。
具有提供半导体衬底光子晶体下部覆层装置

[发明专利]一种具有复杂晶胞的光子晶体结构及光波导-CN202210231668.1在审
发明人：许孝芳;黄靖宇;张浩;翟楠;刘雅琪 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有复杂晶胞的光子晶体结构及光波导，所述具有复杂晶胞是由6个子胞按照C6结构排列而成，且截面为正六边形结构；多个复杂晶胞之间边与边相邻、且呈阵列方式排列构成所述光子晶体结构。晶胞的压缩和拉伸、改变介质柱的截面直径、旋转子胞三种不同的方式，实现能带反转和拓扑相变，从而构建拓扑平庸到拓扑非平庸晶体结构。由所述晶体结构构建的光波导光子带隙更大，光子局域性能强，工作带宽内的电磁波可以沿着拓扑平庸和非平庸界面单向传输，光局域性得到增强并且背向散射被抑制，对急弯、缺陷具有强大的免疫。
一种具有复杂晶胞光子晶体结构波导

[发明专利]光功率分束器的锥形波导区设计方法及光功率分束器-CN202110582047.3有效
发明人：廖涵;佘小娟;黄海阳;赵瑛璇;甘甫烷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及一种光功率分束器的锥形波导区设计方法，包括：将锥形波导区的初始二维几何形状数字化为若干个几何参数点；根据光功率分束器不同的光功率分配比，以多个预设波长点的传输效率作为目标优化函数，对所述若干个几何参数点进行多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状；根据光功率分束器不同的光功率分配比和多个预设波长点的传输效率，确定所述锥形波导区的最终二维几何形状；本发明还涉及一种光功率分束器；本发明采用伴随形状优化法多次迭代来优化锥形波导区的初始二维几何形状，并通过样条插值法定义锥形波导区的几何形状，避免生成需要小特征尺寸的尖锐角结构。
功率分束器锥形波导设计方法

[发明专利]一种支持一维拓扑边界态光波导和/或零维拓扑角态光局域的拓扑光通信器件-CN202210122186.2在审
发明人：高永锋;贺奕涵;陈卫国;黄光耀;金梦成;林昊哲;贺玥;漆晓飞;耿帅杰 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种支持一维拓扑边界态光波导和/或零维拓扑角态光局域的拓扑光通信器件，由第一光子晶体模块PC1与第二光子晶体模块PC2、第三光子晶体模块PC3两者中的至少一种构成，所述第一光子晶体模块PC1与第二光子晶体模块PC2和/或第三光子晶体模块PC3之间具有相邻界面；所述第一光子晶体模块PC1、第二光子晶体模块PC2、第三光子晶体模块PC3分别由圆形的硅介质柱构成的第一晶胞UC1、二个半圆形硅介质柱构成的第二晶胞UC2、四个半圆形硅介质柱构成的第三晶胞UC3按照四方晶格结构排列而成。所述第一晶胞UC1、第二晶胞UC2、第三晶胞UC3的晶格常数均为a，介质柱半径均为r。本发明所述的拓扑光通信器件，能够支持一维拓扑边界态和零维角态。
一种支持拓扑边界波导角态光局域光通信器件

[发明专利]一种光通讯波段波分复用硅基能谷光子晶体结构-CN202110651161.7有效
发明人：韩雨辉;费宏明;武敏;林瀚;张明达;刘欣;刘一超;陈智辉;陈靖 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及拓扑光子晶体及集成光子芯片领域，公开了一种光通讯波段波分复用硅基能谷光子晶体结构，包括硅基底，所述硅基底通过三个分界线分割成四个区域，四个区域内第一圆形空气孔和第二圆形空气孔分别呈三角晶格交错设置并在分界线处形成四个拓扑波导结构，其中位于两侧的第二拓扑波导和第四拓扑波导分别采用半径不同的空气孔。两个波段的光波由第一拓扑波导进入，其中一个波段从第二拓扑波导出射，另一波段从第四拓扑波导出射，本发明可以用于实现微纳结构上的通讯光波段波分复用。
一种通讯波段波分复用硅基能谷光子晶体结构

[发明专利]一种实现光波单向传输的漏斗形光子晶体波导结构-CN202110570952.7有效
发明人：智文强;费宏明;武敏;韩雨辉;杨毅彪;曹斌照;田媛;孙非 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明属于光量子计算及光通信系统领域，公开了一种实现光波单向传输的漏斗形光子晶体波导结构，包括硅基底，所述硅基底中心沿光入射方向设置有第一波导和第二波导，两侧分布有多个沿三角晶格排列的圆形的空气孔，所述空气孔贯穿硅基底的上下表面，所述第一波导靠近第二波导的一端设置有漏斗腔，漏斗腔出口位于硅基底中心线上，所述第二波导上中心线位置设置有点缺陷。本发明可以用于实现TM线偏振光的单向传输，在中心波长1550nm处正向透射率Tf为0.72，透射对比度C为0.9，工作带宽（C大于0.8）为111nm。本发明结构简单，满足工艺要求，可以应用于光量子芯片集成领域。
一种实现光波单向传输漏斗光子晶体波导结构

[发明专利]一种大制作容差高偏振消光比无源波导型偏振旋转分束器-CN202210221580.1在审
发明人：陆巧银;戴向阳;国伟华 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请公开了一种大制作容差高偏振消光比无源波导型偏振旋转分束器，其中的波导芯层包括输入波导、第一模式转化器、锥形波导连接器、非对称耦合器、模式滤波器、输出波导；其中非对称耦合器包含宽度不同的上下耦合波导，模式滤波器包含第二模式转化器和1×1多模干涉耦合器。第一模式转化器把输入波导的TM偏振光旋转成高阶TE模式，非对称耦合器将该高阶TE模式耦合到上波导中，成为TE基模。输入波导的TE偏振光直接通过第一模式转化器、非对称耦合器下波导和模式滤波器，输出TE基模。本申请的无源波导型偏振旋转分束器具有高偏振消光比和大的制作容差。
一种制作容差高偏振无源波导旋转分束器