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[发明专利]一种多模干涉耦合器内部分束装置-CN202310104653.3在审
发明人：王宇飞;王利昌;周旭彦;张建心;李梦娜;王小梅;王海玲 -专利权人：潍坊先进光电芯片研究院;中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子器件集成技术领域，提供了一种多模干涉耦合器内部分束装置，芯层高折射率波导内嵌在低折射率包层中，芯层包括依次连接的输入直波导、锥形渐变输入波导、多模干涉区域、空气狭缝、锥形渐变输出波导、输出直波导。其中，锥形渐变输入波导与多模干涉区域的一端连接，锥形渐变输出波导根据使用需要能够和多模干涉区域的多个位置相连。本发明通过在MMI像点处加入45°的空气狭缝，实现了水平和竖直两个方向出光，并且不同的狭缝宽度拥有不同的分束比。本发明提供的分束装置避免了在MMI外部添加其他改变光路方向和分束比的器件，降低了整个集成器件的损耗，使得整个器件更加紧凑，从而提升了整体的性能和稳定性。
一种干涉耦合器部分束装

[发明专利]聚合物光波导及复合光波导-CN201980032650.5有效
发明人：大原盛挥;武信省太郎;和田直哉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚合物光波导，具备：芯；折射率比上述芯低且存在于上述芯的周围的下包层、以及折射率比上述芯低且存在于与上述下包层相反侧的芯周围的上包层，其中，上述聚合物光波导沿着光的传播方向具有：不存在上包层而芯及该芯的周边的下包层露出的耦合部；和上述芯被下包层和上包层覆盖的光波导部，上述聚合物光波导沿着光的传播方向具有芯宽度不同的部位，在将芯宽度最窄的部位a的芯宽度设为Wa(μm)，将上述部位a的芯高度设为Ha(μm)时，上述Ha为1.3μm以上且4.5μm以下，Ha/Wa为1.15以下。
聚合物波导复合

[发明专利]有通用定位的光收发器-CN201880062019.5有效
发明人：埃里克·兹班登 -专利权人：申泰公司
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种光收发器可以包括发射器和接收器。光收发器被配置为以彼此相反的第一取向和第二取向与电连接器对接。在某些示例中，收发器的导热面被配置为与散热构件在第一取向和第二取向之一或两者上热连通。其他示例的光收发器可以被安装至基部上，并与电连接器处于电连通。盖罩提供压力，该压力使收发器与主机印刷电路板(PCB)之间形成电接触，并同时提供低热阻传递路径，以散除收发器工作期间产生的热量。
通用定位收发

[发明专利]由密封腔体底切的光学组件-CN202211175587.0在审
发明人： R·施波雷尔;卞宇生;广川孝子 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及由密封腔体底切的光学组件，提供包括例如边缘耦合器的光学组件的结构，以及制造包括例如边缘耦合器的光学组件的结构的方法。该结构包括具有密封腔体的衬底、光学组件、以及位于该光学组件与该密封腔体间的介电层。该光学组件垂直位于该衬底及该介电层上方，且该光学组件与位于该衬底中的该密封腔体重叠。
密封腔体底切光学组件

[发明专利]光学谐振器系统、窄带中红外辐射源和流体传感器-CN202211292650.9在审
发明人： G·皮林格尔;C·康萨尼;C·弗勒里;T·格里勒;B·雅各比;R·詹纳萨里;G·斯托克;A·托里特沙诺夫 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开的各实施例总体上涉及光学谐振器系统、窄带中红外辐射源和流体传感器。一种光学谐振器系统包括：具有用于引导IR辐射的多个间隔开的半导体条的多条波导结构；STP谐振结构，其中STP谐振结构包括半导体条和中间介电条的交替布置并且包括在STP谐振结构的边界区域处与半导体条相邻的金属条，其中金属条和相邻半导体条被布置为在STP谐振结构的边界区域处提供金属半导体界面，并且其中多条波导结构的半导体条和STP谐振结构的半导体条被布置为在公共系统平面中彼此垂直；以及具有半导体层的光耦合结构，其中半导体层布置在多条波导结构与STP谐振结构之间以将IR辐射光耦合在多条波导结构与STP谐振结构之间。
光学谐振器系统窄带红外辐射源流体传感器

[发明专利]多芯光纤扇入扇出耦合装置及其光波导模块、制造方法-CN202211629676.8在审
发明人：李东红 -专利权人：苏州德睿电力科技有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯光纤扇入扇出耦合装置及光波导模块、制造方法，所述多芯光纤扇入扇出耦合装置包括多芯光纤、拉锥光纤和光波导模块，所述多芯光纤包括包层及多根光纤芯，所述拉锥光纤包括拉锥的套管及多根单芯光纤，所述套管套于所述多根单芯光纤上，所述光波导模块设置于所述多芯光纤和所述拉锥光纤之间，所述光波导模块还包括本体及锥形光波导通道，各所述锥形光波导通道分别具有第一连接端面和第二连接端面，所述锥形光波导通道的所述第一连接端面和对应的所述光纤芯连接，所述第二连接端面和对应的所述单芯光纤连接。本发明的多芯光纤扇入扇出耦合装置操作简单，适用于批量生产。
光纤扇入扇出耦合装置及其波导模块制造方法

[发明专利]一种微米级铌酸锂脊型波导及制备方法-CN202310109828.X在审
发明人：黎浩;张玉婷;刘时杰;郑远林;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请公开了一种微米级铌酸锂脊型波导，包括铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层以及称底层，所述铌酸锂薄膜层、所述二氧化硅缓冲层以及所述称底层依次层叠，所述铌酸锂薄膜层的厚度为1‑5微米。本申请还公开了制备微米级铌酸锂脊型波导的方法。该方法适用于1‑5微米厚度铌酸锂薄膜，采用紫外光刻结合干法刻蚀的制备铌酸锂脊型波导的方案，兼容于传统半导体工艺，具有低成本高效、可大规模制备、可直接大量应用等优势，对现有技术改动较小，却能达到很好的效果。
一种微米级铌酸锂脊型波导制备方法

[发明专利]用于光纤槽的拐角结构-CN202110220377.8有效
发明人：尼古拉斯·A·波洛莫夫;J·K·丘;M·A·拉比;A·D·斯特里克 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及用于光纤槽的拐角结构，揭示一种用于光纤槽的结构以及形成用于光纤槽的结构的方法。光子芯片包括基板和位于基板上方的互连结构。光子芯片具有第一外角、第二外角和从该第一外角延伸至该第二外角的侧边。基板包括沿着该第一外角和该第二外角之间的该侧边定位的凹槽。该凹槽设置成在凹槽拐角处与该侧边相交，该互连结构包括相邻于该第一凹槽拐角的金属结构。该金属结构相对于该光子芯片的该侧边在该互连结构中以对角方式延伸。
用于光纤拐角结构

[发明专利]一种低损耗铌酸锂波导及其制备方法-CN202310234071.7在审
发明人：张磊;王广庆;常林;隋军 -专利权人：中科鑫通微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及集成光电子学技术领域，尤其涉及一种低损耗铌酸锂波导及其制备方法。低损耗铌酸锂波导包括从下至上依次设置的衬底层、埋氧层、铌酸锂波导层、包覆层和上包层，包覆层包覆于铌酸锂波导层，上包层包覆于包覆层；包覆层的折射率等于铌酸锂波导层的折射率；低损耗铌酸锂波导以衬底层、埋氧层和铌酸锂波导层形成的LNOI基本结构为平台，在铌酸锂波导层上沉积包覆层，能够有效填充和修复LiNbO3波导表面和侧壁的起伏，芯层LiNbO3晶格结构未受破坏，同时设计包覆层的折射率等于铌酸锂波导层的折射率以及控制包覆层的厚度，可以保证大部分光在LiNbO3波导中正常传播，显著降低因波导表面和侧壁粗糙度带来的散射损耗。
一种损耗铌酸锂波导及其制备方法

[发明专利]具有限制特征的边缘耦合器-CN202211072701.7在审
发明人：卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有限制特征的边缘耦合器，提供包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该结构包括具有第一倒锥的第一波导芯、具有第二倒锥的第二波导芯，以及具有横向设置于该第一倒锥与该第二倒锥间的第三倒锥的第三波导芯。该结构还包括具有经设置以与该第一倒锥重叠的第四倒锥的第四波导芯，以及具有经设置以与该第二倒锥重叠的第五倒锥的第五波导芯。
具有限制特征边缘耦合器

[发明专利]形成在玻璃层内的光波导-CN202211003975.0在审
发明人： B·F·安古亚;A·奥默;S·布利瑟;王峻欣;W·布里克斯;D·塞内维拉特内;孔㛃莹 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本文所描述的实施例可涉及与形成在玻璃层中的光波导有关的设备、过程和技术。可通过以下方法来形成光波导：创建从玻璃层的表面延伸的第一沟槽，并然后创建从第一沟槽的底部延伸的第二沟槽，接着随后用核芯材料填充沟槽，核芯材料可接着被盖上覆盖层材料。‎可描述其它实施例和/或要求其它实施例的权利。
形成玻璃波导

[发明专利]光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法-CN202211266246.4在审
发明人：薄方;贾笛;张国权;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请涉及一种光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法。一种光波导耦合器用于与光纤耦合，光波导耦合器包括基片以及高折射率波导，高折射率波导形成于基片上，且沿第一方向延伸；高折射率波导具有沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部。相较于第二端部，第一端部更靠近光纤。其中，高折射率波导的第一端部的厚度为第一预设值，高折射率波导的第一端部沿第二方向的尺寸为第二预设值，以使第一端部能够与光纤进行TE基模耦合。该光波导耦合器器件简单，易于制作、且具备了端面耦合器兼起偏的功能。
波导耦合器制备方法

[发明专利]一种声子发射接收信号处理器件-CN202211570349.X在审
发明人：王康;王晨晟;龙瀚凌;吴新建;吴文昊 -专利权人：华中光电技术研究所（中国船舶集团有限公司第七一七研究所）
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种声子发射接收信号处理器件，包括衬底，衬底上设置声子晶体包层，声子晶体包层中部依次设置发射光波导、声子晶体耦合区和接收光波导，其中，声子晶体包层作为支撑结构，发射光波导和接收光波导作为线缺陷，发射光波导激发的声波通过声子晶体耦合区传递到接收光波导；声子晶体包层、发射光波导、声子晶体耦合区和接收光波导均相对于衬底悬空设置，即均与衬底无直接接触。本发明利用硅波导中的前向布里渊散射效应将加载在光波上的信息通过声子转换在声子域内处理，解决传统集成微波光子滤波器无法同时实现高选择性、大工作带宽和高的功率处理容量的难题。
一种发射接收信号处理器件

[发明专利]一种混合等离激元波导布拉格光栅偏振滤波器-CN202211684811.9在审
发明人：迟甜甜;姚晗;李胜;杨昕泽;许吉;刘宁;陆云清 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提出了一种混合等离激元波导布拉格光栅偏振滤波器，其布拉格光栅是由两种具有不同侧壁轮廓调制的高折射率层的混合等离激元波导交替排列而构成，被调制的侧壁轮廓分别为抛物线型和直线型；所述交替排列的混合等离激元波导结构构成均包括，SiO2基底、侧壁轮廓调制的高折射率介质层Si、支撑层ZnO和金属层Ag；所述SiO2基底上方居中放置宽度为Wsi的所述高折射率材料Si，于SiO2衬底上方两侧对称放置所述支撑层ZnO，支撑起所述金属层Ag，在所述支撑层与所述金属层中间填充一过渡支撑层Si3N4。本发明不但结构紧凑，而且在保持滤波的良好特性的同时还能实现低频通带和禁带频段的透射谱优化。
一种混合离激元波导布拉格光栅偏振滤波器

[发明专利]一种杂化等离激元光波导-CN202211354544.9在审
发明人：朱嘉;周林;庄煜阳;陈文轩;傅涵堉 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种杂化等离激元光波导，所述的杂化等离激元光波导包括：防氧化保护层，碱金属层；其中，所述的防氧化保护层与所述的碱金属层在常温条件下不发生反应；所述的碱金属层是钠、钾。本发明不仅能进一步提升杂化型等离激元波导的模场约束能力，还能实现低损耗的等离激元模式传输，在通信波段的亚波长光子集成领域具有重要的应用价值。
一种离激元光波导