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[发明专利]一种光波导结构、制备方法及集成光学器件-CN202310948050.1在审
发明人：刘敬伟;李超 -专利权人：国科光芯（北京）科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供了一种光波导结构、制备方法及集成光学器件，光波导结构包括：衬底10；一个或多个下包层500，形成于所述衬底10上，所述下包层500的底面位于所述衬底10的顶面之下；波导芯40，形成于所述下包层500上；上包层50，覆盖在所述衬底10、所述下包层500和所述波导芯40上。该光波导结构利用具有岛状结构的下包层缓解沉积波导芯层产生的高拉应力导致硅基衬底的翘曲问题，保证后续的光刻、刻蚀工艺正常进行，确保光波导的尺寸精度，有利于提高波导的有效折射率和光限制能力。
一种波导结构制备方法集成光学器件

[发明专利]一种基于光脉冲编码调制技术的双层光加密荧光聚合物波导芯片-CN202310651070.2在审
发明人：陈长鸣;孙相宜;费腾;王春雪;宋亚萍;岳建;林航;崔安琪;张大明 -专利权人：吉林大学
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种基于光脉冲编码调制技术的双层光加密荧光聚合物波导芯片，属于功能性光子芯片技术领域。由衬底层、缓冲层、包覆层、底部波导层和顶部波导层组成，包覆层分为下、中、上包覆层三部分，底部波导位于中包覆层内，顶部波导位于上包覆层内，底部波导和顶部波导在芯片俯视平面内无重叠；波导层材料是将荧光小分子齐聚物生色团掺杂在聚合物材料中得到；本发明通过对泵浦光功率强度的调制，可实现信号光脉冲编码的功能。通过在光纤系统中光传输损耗变化的检测，判定有无窃听行为。光传输损耗高于阈值即为有窃听，通过底层波导显示虚假信息进行伪装，调制信息通过顶层波导加密传输，从而解决了传统加密技术的难以自由调控以及安全性不足的问题。
一种基于脉冲编码调制技术双层加密荧光聚合物波导芯片

[发明专利]波导片、AR显示设备及AR显示设备的识别方法-CN202310740202.9在审
发明人：兰富洋;关健;周兴 -专利权人：珠海莫界科技有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种波导片、AR显示设备及AR显示设备的识别方法，波导片包括波导件，波导件包括光线耦入区域、光线耦出区域以及至少一个漏光区域，漏光区域设于波导件中光线耦出区域之外的区域；光线耦入区域用于将光耦合进波导件，光线耦出区域用于将在波导件内全反射传播的光线耦出；其中，在波导件内传播的光线通过漏光区域传播至波导件的外部。本申请提供的波导片在用于AR显示设备，且AR显示设备处于工作状态时，波导片能够漏光以进行提醒，使得他人能够较容易感知AR显示设备正在运行。
波导 ar 显示设备识别方法

[发明专利]硅基二氧化铪的表面等离子波导实现方法-CN202210312543.1在审
发明人：张永;张磊;沈健;苏翼凯 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种硅基二氧化铪的表面等离子波导，其特征在于，由上而下依次为金层、二氧化铪层、硅层、掩埋氧化硅层和硅基层。本发明利用了二氧化铪的优良的光电特性和材料特性，采用单层金波导可以有效地增强光场和电场的相互作用，由于金波导对光模场有很强的束缚作用，因此波导结构占地面积小，可以有效减小电阻电容，从而提升调制器带宽。
硅基二氧化表面等离子波导实现方法

[发明专利]一种耦合器-CN202310942799.5在审
发明人：张轲;余云初;朱南飞;朱瑞 -专利权人：赛丽科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明公开了一种耦合器，包括衬底、包层、覆盖层、第一波导和第二波导，所述衬底、所述包层和所述覆盖层自下而上叠层设置，所述第一波导和所述第二波导设置在所述包层内，所述第一波导设置在所述第二波导的上方，所述第一波导和所述第二波导的折射率均大于所述包层的折射率。本发明光场被限制在第一波导和第二波导中，光场大小不受环境折射率的影响，实现了耦合损耗对环境不敏感，本发明采用折射率高于包层的第一波导将光场向上移动，从而减少了衬底对光的损耗，尤其是对TM偏振光的损耗，既降低了整体损耗，又减小了偏振敏感性，使得该端面耦合器在TE/TM偏振下的损耗都很小。
一种耦合器

[发明专利]波导阵列结构及其光场调控方法-CN202311116451.7在审
发明人：钮云飞;虞绍良 -专利权人：之江实验室
申请日： 2023-08-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种波导阵列结构及其光场调控方法。波导阵列结构用于片上光学波前整形。波导阵列结构包括至少一级波导阵列，波导阵列包括自下向上依次叠层设置的衬底层、缓冲层、波导层及覆盖层，波导层包括多根间隔设置的波导。波导阵列中光学模式沿其光传输方向的有效折射率的调控参数满足有效折射率分布函数，及相邻两根波导的中心间距参数满足中心间距分布函数，光经过至少一个波导阵列后其光学波前被整形。如此实现片上光学波前整形功能，对于片上光信号处理，尤其是高集成密度、多光学通道的应用场景，具有重要应用价值，且能实现片上光场聚焦、衍射、无衍射传输以及光场调控等功能。
波导阵列结构及其调控方法

[发明专利]光模块-CN202080012889.9有效
发明人：稻叶悠介;长谷川淳一;有贺麻衣子;山冈一树 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：光模块具备基板、以及具有与上述基板相向的搭载面和拥有光干涉功能的干涉波导部的波导元件，上述搭载面包含将上述干涉波导部投影至上述搭载面而得的投影区域和非投影区域，上述波导元件在上述非投影区域中通过接合材料而接合于上述基板。在与上述投影区域相隔有构成上述干涉波导部的波导宽度的2倍以上的距离的、上述非投影区域内的区域中，上述波导元件通过接合材料而接合于上述基板。
模块

[发明专利]基于微结构电光波导阵列光学相控阵及其制作方法与应用-CN202310508688.3在审
发明人：吕贤鹏;卢惠辉;关贺元;杨铁锋;田子平;吴姝瑶;彭佳豪;董江莉 -专利权人：暨南大学
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及集成光芯片领域,更具体地,涉及一种基于微结构的电光波导阵列光学相控阵。用于解决传统电光调制的光束扫描器件仍然难于达到高速化(GHZ)、大扫描角度(视场)等要求的问题。这种光束扫描技术自上而下的结构为微结构电极、缓冲层、铌酸锂层或者绝缘体上薄膜铌酸锂平台(LNOI)；上述的微结构电极为周期性矩形打孔电极；所述铌酸锂和缓冲层内包裹有电子束光刻铌酸锂波导；所述电子束光刻波导设置有入射区域、分束区域、调制区域和输出区域共同构成波导区；所述芯片的出射区域设置有超晶格单元；所述超晶格单元为不同间隔分布的铌酸锂波导序列；通过上述技术方案,以实现高速率、大扫描角度的技术效果。
基于微结构电光波导阵列光学相控阵及其制作方法应用

[发明专利]一种用于异质集成的三层耦合器结构及其制备方法-CN202310766639.X在审
发明人：李卓芸;蔡艳;王书晓;伯扬 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于异质集成的三层耦合器结构及其制备方法，由下至上包括第一波导层、第二波导层和第三波导层。本发明可以利用不同材料之间相对参数选择的灵活性，为相关异质集成器件或异质集成平台增加一个设计维度，进一步拓展器件的实际应用。
一种用于集成三层耦合器结构及其制备方法

[发明专利]光波导及光波导的构建方法-CN202210284645.7在审
发明人：汪远;吴禹;陈敏;孙腾骞 -专利权人：南京微纳科技研究院有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种光波导及光波导的构建方法，属于光波导技术领域。本申请提供的光波导包括用于对入射光进行传输的传输段和用于出射既定光能量分布的出射光的出射段，所述传输段具有入射端和出射端，所述出射段设置于所述传输段的出射端；所述入射光自所述传输段的入射端进入所述传输段，并经所述传输段传输至所述出射段后，自所述出射段出射，出射段的结构为球冠结构、椭球冠结构、圆台结构或棱台结构，出射段的结构不同，自出射段出射的出射光的能量分布不同，从而解决了自光波导出射的光能量分布不能满足需求的问题。
波导构建方法

[发明专利]具有连续布置的锥的边缘耦合器-CN202310155095.3在审
发明人：卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及具有连续布置的锥的边缘耦合器，提供用于边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底、第一波导芯、以及在该第一波导芯与该衬底间沿垂直方向设置的第二波导芯。该第二波导芯包括锥以及邻近该锥纵向设置的倒锥。
具有连续布置边缘耦合器

[发明专利]包括超材料层的边缘耦合器-CN202310189841.0在审
发明人：卞宇生 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明涉及包括超材料层的边缘耦合器，提供边缘耦合器的结构以及制造此类结构的方法。该结构包括衬底、波导芯，以及在该衬底与该波导芯间沿垂直方向设置的超材料层。该超材料层包括由多个间隙隔开的多个元件以及位于该多个间隙中的介电材料。
包括材料边缘耦合器

[发明专利]平滑波导结构和制造方法-CN202110438985.6有效
发明人： A·费沙利;J·哈钦森;J·鲍特斯 -专利权人：无盖灯光电公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本公开涉及平滑波导结构和制造方法。在被实现在绝缘体上半导体衬底中的集成光学结构(例如，硅‑氮化硅模式转换器)中，其侧壁基本上由与晶面一致的部分组成并且未横向延伸超过线波导的顶表面的线波导在性能和/或制造需要方面提供益处。这种线波导可以通过以下被制造：例如使用将半导体器件层向下干式蚀刻到绝缘体层以形成具有暴露侧壁的线波导，跟随有平滑结晶湿式蚀刻。
平滑波导结构制造方法

[发明专利]一种层间耦合结构及其制备方法-CN202310076642.9在审
发明人：李彬;李志华;唐波;杨妍;张鹏;谢玲;刘若男;黄凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度，减少损耗，提高器件性能。
一种耦合结构及其制备方法

[发明专利]一种绝热模式耦合器-CN202310817079.6在审
发明人：荣巍巍;梁图禄;廖上桂;李明娜 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明属于集成光电子技术领域，具体涉及一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层，硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基；平板硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基；包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包层、上包层；硅衬底连接二氧化硅下包层；二氧化硅下包层连接平板硅；平板硅、第一硅脊以及第二硅基均连接上包层。本发明解决目前绝热模式耦合器“尺寸大、集成度低”的问题，本发明旨在提出一种尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简单、易加工的绝热模式耦合器。
一种绝热模式耦合器