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[发明专利]一种精确控制石墨烯层数的方法-CN201410259035.7在审
发明人：钟敏霖;林喆;张红军;叶晓慧 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-06-11 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种对石墨烯层数进行精确控制的方法，包括下述步骤：(1)将多层石墨烯转移到目标基底上，并对所述多层石墨烯的层数进行测定；(2)对转移到所述目标基底上的多层石墨烯进行超快激光扫描辐照，将预期层数的石墨烯进行剥离，以实现对石墨烯层数的精确控制。利用皮秒激光或飞秒激光对大面积多层石墨烯进行辐照，在激光作用区域，通过优化控制超快激光参数(如平均功率、能流密度、重复频率、扫描速度和重复扫描次数)，将一定层数的石墨烯从多层石墨烯样品上去除，进而实现对石墨烯层数的精确控制。
一种精确控制石墨层数方法

[发明专利]一种材料生长中快速降温的方法及装置-CN201410308217.9有效
发明人：董国材;刘进行;张祥 -专利权人：江南石墨烯研究院
申请日： 2014-07-01 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明属于薄膜生长或薄膜制备领域，更确切地说涉及在衬底上进行沉积或喷镀等方法进行薄膜制备的领域以及类似装置。在用冷壁化学气相沉积（CVD）设备生长石墨烯时，本发明提供了一种抑制金属衬底由高温下缓慢降温引起的溶解碳渗出形成多层石墨烯的设计方案。在石墨烯薄膜生长结束时，从高温区域旋出承载有金属衬底的平台至低温区域，实现金属衬底的快速降温，将溶解碳“冻结”在衬底金属中，可有效避免溶解碳在缓慢降温过程中渗出至衬底金属表面及已形成的石墨烯薄膜之下，形成多层石墨烯造成的透光率的降低，从而生长出平整的、高质量的薄膜材料。
一种材料生长快速降温方法装置

[发明专利]直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法-CN201310253516.2在审
发明人：张燕辉;于广辉;陈志蓥;王彬;张浩然 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-10-16 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中，石墨烯褶皱以及其他缺陷处的金属衬底会被氧化，然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。本发明的方法重复性高、简单易行；本发明可以使处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到纳米级缺陷分布在低放大倍数光学显微镜下清晰显现出来。
直观显示金属衬底 cvd 石墨表面缺陷分布方法

[发明专利]薄膜的热处理方法及热处理装置、化学气相沉积装置-CN201110456281.8有效
发明人：林静 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜的热处理方法及热处理装置、化学气相沉积装置，利用低压化学气相沉积工艺沉积预定厚度的薄膜之后，对薄膜进行所述热处理，其包括以下步骤：向具有预设温度、暴露于紫外光下的处理腔室中通入气体，气体与薄膜发生反应。本发明中的热处理方法能修复薄膜中的缺陷，且不会造成薄膜结晶，提高了薄膜的性能。
薄膜热处理方法装置化学沉积

[发明专利]用于提供在低温衬底上的薄膜的横向热处理方法-CN201180037944.0有效
发明人： K·A·施罗德;R·P·文茨 -专利权人： NCC纳诺责任有限公司
申请日： 2011-06-02 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：公开了一种用于以选择性方式热处理最小化吸收薄膜的方法。构图热接触薄膜的两个紧邻的吸收痕。使用脉冲辐射源加热两个吸收痕，并且通过在两个吸收痕之间的传导热处理薄膜。此方法可用于制造薄膜晶体管（TFT），在其中薄膜是半导体并且吸收器是TFT的源极和漏极。
用于提供低温衬底薄膜横向热处理方法

[发明专利]多循环快速热退火非晶硅薄膜的方法-CN201210487362.9无效
发明人：金晶;瞿晓雷;史伟民;戴文韫;袁安东 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明涉及多循环快速热退火晶化非晶硅薄膜的方法，属于多晶硅薄膜制备工艺技术领域。用气相沉积法在普通玻璃载片衬底上沉积非晶硅薄膜；随后进行快速热处理，升温速率在150-200℃/s左右，将薄膜样品从室温升至640℃后再恒温一段时间，然后自然冷却，当薄膜温度冷却到达室温时，再进行下一次循环；经过多次快速热退火后晶化非晶硅薄膜。用该方法可制得晶化率在71.9%左右的多晶硅薄膜。和传统的固相晶化非晶硅薄膜工艺相比，该方法在降低了对衬底要求的同时，也缩短了处理时间，具有制备工艺简单、污染小和成本低等特点。因此用本发明制备的多晶硅薄膜可适用于薄膜晶体管、太阳能电池等微电子制造领域。
循环快速退火非晶硅薄膜方法

[实用新型]一种方便清理的滚轮外罩-CN201220398847.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：王煦丽
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便清理的滚轮外罩，本实用新型包括顶板、凸出板、底罩、凸出底仓、和顶板上的滚轮导轨；顶板固定在底罩上，顶板与底罩之间的空腔中设置与转动轴相连的滚轮模块，顶盖上的滚轮导轨与滚轮模块相连；凸出板被设置成可以至少部分保护滚轮模块，以免受到沉积系统内的物质污染；凸出底仓被设置可以至少部分保护沉积系统，以免滚轮模块上的物质污染沉积系统；本实用新型相较于其他的外罩装置，结构简单，安装拆卸方便，使用者能够更加快速的对其进行维护和清理操作。
一种方便清理滚轮外罩

[实用新型]晶体硅太阳能电池的板式PECVD镀膜的在线吹扫装置-CN201220230910.5有效
发明人：胡俊涛;勾宪芳;姜利凯;王鹏;曹华斌;宋爱珍 -专利权人：中节能太阳能科技有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种晶体硅太阳能电池的板式PECVD镀膜的在线吹扫装置，其特征在于，包括压力调节阀（1）、连接管路（2）及风刀（3），所述风刀（3）为中空结构，且截面为梯形，所述连接管路（2）的两端分别和气源（4）及所述风刀（3）下底面的进气口连接，所述连接管路（2）上设置有所述压力调节阀（1），所述风刀（3）的上底面均匀设置有若干吹扫气孔，所述风刀（3）上底面的宽度与大于或等于待吹扫石墨载板的宽度；本实用新型解决了沉积在硅片上表面的氮化硅粉尘在硅片叠放时玷污到硅片镀膜面，导致镀膜面氮化硅粉尘难以清除的问题。
晶体太阳能电池板式 pecvd 镀膜在线装置

[发明专利]纹理化DLC涂层的方法及由此纹理化的DLC涂层-CN201080028626.3有效
发明人：卡罗琳·舒凯;锡德里克·迪克罗;杰罗姆·加维莱;弗雷德里克·桑谢特 -专利权人：原子能与替代能源委员会
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明涉及纹理化DLC涂层的方法，包括：在DLC涂层的自由表面上沉积球状物或球状体的单层；用氧等离子体干法蚀刻DLC涂层；和清洗所述涂层的表面以去除所述球状物或球状体。
纹理 dlc 涂层方法由此

[发明专利]一种改善纳米阵列薄膜超疏水稳定性的方法-CN201110299349.6无效
发明人：李刚 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明公布了一种改善纳米阵列薄膜超疏水稳定性的方法，步骤如下：将纳米阵列薄膜清洗后放入反应室，反应室抽真空，利用电场提供高能量等离子体，通过热丝控制反应温度，向真空室内通入六氟环氧丙烷(HFPO)和磺酰基氟化丁烷的混合气体，通入气体流量为六氟环氧丙烷流量：磺酰基氟化丁烷气体流量=(24:3)~(24:12)sccm，在纳米阵列薄膜上聚合沉积聚四氟乙烯纳米膜。经本发明方法处理后的纳米阵列薄膜超疏水材料，水滴不会再渗透到纳米阵列薄膜空隙中；在长期的使用过程中，超疏水表面对水的接触角和滚动角随使用时间的延长没有观察到明显的下降和增加，保持了超疏水性长期稳定，提高了超疏水自清洁表面的持久性。
一种改善纳米阵列薄膜疏水稳定性方法

[实用新型]一种单晶硅太阳能电池PECVD后快速散热的装置-CN201120095645.X有效
发明人：周军增 -专利权人：浙江向日葵光能科技股份有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶硅太阳电池经过PECVD工序后快速、均匀散热的装置，它可广泛应用于单晶硅太阳能电池PECVD后快速、均匀散热的处理，属于太阳能电池PECVD工治具技术改进领域，包括带有工作台面的支架，所述工作台面的中部设置为镂空网板，镂空网板的下方安装有风扇。本实用新型一种单晶硅太阳能电池PECVD后快速散热的装置，可使等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积后的单晶硅电池片快速、全面的冷却。
一种单晶硅太阳能电池 pecvd 快速散热装置

[发明专利]一种纳米金刚石薄膜的制备方法-CN201110217641.9无效
发明人：钟建华;张文英 -专利权人：广州市德百顺电气科技有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)对衬底进行辅助形核处理；(2)在衬底表面沉积纳米金刚石薄膜；(3)对纳米金刚石薄膜进行去氢处理：将步骤(2)得到的覆盖有纳米金刚石薄膜的置于3～8kPar的氧气氛围下，并加热到100～300℃，保持5min～60min。本发明通过去除纳米金刚石薄膜表面的氢化层，使纳米金刚石薄膜获得更高、更稳定的电导率，进一步扩大了纳米金刚石薄膜的应用范围。
一种纳米金刚石薄膜制备方法

[发明专利]一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法-CN201010273591.1有效
发明人：张楷亮;王莎莎;王芳;曲长庆;孙大智 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，步骤如下：1)采用热化学机械抛光工艺(TCMP)对金刚石薄膜表面大的凹凸部分进行第一次抛光处理，即将金刚石薄膜浸在抛光盘上熔融态的氧化剂中，同时用金刚石磨料对金刚石薄膜进行热化学机械抛光；2)采用等离子体刻蚀工艺，利用等离子体刻蚀设备对上述金刚石薄膜基片表面进行第二次微刻蚀修饰，即用激发的气体等离子体对金刚石表面进行微刻蚀处理，去除残留损伤，实现高度平坦化。本发明的优点是：采用热化学机械抛光工艺(TCMP)与等离子体刻蚀抛光的复合抛光工艺，综合了各种单一抛光形式的优点，而且克服了其各种缺点，提高了抛光的效率、面积和质量，同时也降低了对环境的污染。
一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦方法

[发明专利]一种提高自支撑金刚石膜强度的方法-CN200910241500.3有效
发明人：李成明;陈良贤;刘政;黑立富;吕反修 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明属于大面积高质量金刚石膜制备技术领域，特别是提供了一种提高自支撑金刚石膜强度的方法，以应用于自支撑金刚石膜的后处理。本发明方法是用真空电弧等离子体对金刚石自支撑膜进行处理，包括如下步骤：(1)利用真空电弧等离子体使金刚石自支撑膜升温，温度超过1400℃；(2)保持真空电弧等离子体持续10-15分钟；(3)在1450℃以上进行退火；(4)关断弧电源，在真空中自然冷却。应用本发明所进行处理后提高金刚石自支撑膜强度最大幅度为62.5％。
一种提高支撑金刚石强度方法

[发明专利]纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法-CN200910098613.2有效
发明人：杨杭生 -专利权人：杭州天柱科技有限公司
申请日： 2009-05-21 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C23C16/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶立方氮化硼薄膜中残留压缩应力的释放方法，把立方氮化硼薄膜放入加热室中，加热室先抽真空到至少10^-3Torr，然后保持真空度不变，或充入保护气体再抽真空到至少10Torr，接着将加热室升温到1000-1300℃之间，保温1-5小时，冷却至室温即可。该方法可用于在各种衬底上沉积的立方氮化硼薄膜的残留压缩应力的释放，并且不改变立方氮化硼薄膜的组成、结构和表面形貌。极大提高立方氮化硼薄膜在各种衬底上的结合力。使立方氮化硼薄膜适用于制备加工铁基合金的刀具和磨具等，也可以适用在光学元件的保护膜，高温电子器件等领域。
纳米立方氮化薄膜残留压缩应力释放方法