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[发明专利]一种锰掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用-CN202210638119.6在审
发明人：顾美晶;曹文武;穆忠民 -专利权人：江苏省声学产业技术创新中心
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种锰掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法和应用。该制备方法包括：将Bi2O3、Na2CO3、K2CO3、BaCO3、TiO2和MnO2混合，加入无水乙醇，球磨后烘干，锻烧，得到具有钙钛矿结构的预烧粉体；向具有钙钛矿结构的预烧粉体加入无水乙醇球磨，烘干，压制成型；在500℃‑650℃排粘合剂2h‑4h，在1150‑1200℃烧结，保温2‑3h，升温速率为2‑3℃/min，降温速率为4‑5℃/min，得到锰掺杂钛酸铋钠‑钛酸铋钾‑钛酸钡陶瓷片；将烧结后的陶瓷片镀金10min‑20min，进行极化处理，得到锰掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷。通过上述制备方法制备得到的锰掺杂钛酸铋钠‑钛酸铋钾‑钛酸钡压电陶瓷可以用于压电器件。
一种掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种无铅NBT基陶瓷材料及其制备方法-CN202210669505.1在审
发明人：张红利;崔锴 -专利权人：西安智疆航空科技发展有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明属于电介质储能陶瓷电容器领域，涉及一种无铅NBT基陶瓷材料，化学式为：(1‑x)(Na0.5Bi0.5)TiO3‑xBi(Mg2/3Nb1/3)O3，其中x为Bi(Mg2/3Nb1/3)O3的摩尔百分数，且0.1≤x≤0.5。按化学式配取Bi2O3、Nb2O5、Na2CO3、TiO2及MgO，通过球磨后混合均匀，烘干、过筛、压块，再经750～850℃预烧3～5小时，得到块状固体，然后将块状固体粉碎后过筛，得到预烧粉体；将预烧粉体球磨后烘干，过筛后获得原料粉体；将原料粉体进行冷等静压，等静压压制成片状后，烧结成瓷，得到该无铅NBT基陶瓷材料。提高钛酸铋钠基陶瓷材料的储能特性和温度稳定性。
一种 nbt 陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]钛酸铋基陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202210420785.2在审
发明人：林元华;杨兵兵;蓝顺;刘亦谦;南策文 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛酸铋基陶瓷材料及其制备方法和应用。所述钛酸铋基陶瓷材料，的化学通式为Bi3.25La0.75Ti3‑3x(HfxZrxSnx)O12，其中x表示摩尔分数，且0﹤x≤0.5。上述钛酸铋基陶瓷材料能够实现以下优点：1)获得热力学上稳定的烧绿石纯相结构；2)呈现高度的原子无序和晶格扭曲，一方面可以增强电子散射，细化晶粒和获得部分非晶相，有利于获得更高的击穿场强，另一方面还会打破了局部的对称性，引起离子位移和偶极子团簇的产生，从而贡献较大的极化值。综上，上述钛酸铋基陶瓷材料能够同时具有高极化和高击穿，从而获得优异的储能密度，且无铅，可以作为环境友好的储能介质材料。
钛酸铋基陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种BNT基三层结构的高储能密度陶瓷及其制备方法-CN202110311155.7有效
发明人：冯琴;王萌;韦悦周;罗能能;罗朝映;蒙丹 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种BNT基三层结构高储能密度陶瓷，其化学通式为(1‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xSr0.7Sm0.2TiO3。本发明还公开一种BNT基三层结构的高储能密度陶瓷的制备方法，包括：S1：各原料分别干燥去除水分，配料获得各层原料组分，依次经一次球磨、预烧、二次球磨；S2：分别加入聚乙烯醇溶液进行造粒；S3：分别进行预压，获得各层组分生坯，各层组分生坯按照上、中、下顺序放置再次进行预压，再压制成型；S4：放入马弗炉中排胶、进行高温烧结，降温后得到初始样品；S5：进行双面打磨抛光、涂敷银电极、烧制银电极，即得终产品。本发明制备的陶瓷具有储能密度高、温度稳定性和频率稳定性好的特点。
一种 bnt 三层结构高储能密度陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法-CN202110905958.5有效
发明人：方豪杰;贺亦文;张晓云;张斗;袁晰 -专利权人：湖南省美程陶瓷科技有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种高致密度薄层电子陶瓷材料的制备方法，将硝酸铋、硝酸钠、硝酸锂、硝酸钛、硝酸钡、硝酸钙加水混合，将乙二醇、活性炭加入，滴加还原剂使体系pH至1‑2；升温球磨，得到粉体，将粉体与玻璃粉混合均匀得到预混料，将预混料转移至模具中，100‑150MPa的压力下点燃，使其发生自蔓延反应，坯体自然冷却至室温后取出，升温烧结2‑3h后降温退火，本发明所制备的电子陶瓷材料致密度高，力学性能优异，其中，而且还具有优良的电学性能，具有广泛的应用前景。
一种致密薄层电子陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种高储能密度钛酸铋钠基无铅介质材料及其制备方法-CN202011308873.0有效
发明人：刘丹;周晓斌;李祥元;刘霄;车景锋 -专利权人：西安合容新能源科技有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度钛酸铋钠基无铅介质材料，化学式为(0.8‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑xSrTi0.9(Cu1/3Nb2/3)0.1O3‑0.2Bi0.5K0.5TiO3，其中x为xSrTi0.9(Cu1/3Nb2/3)0.1O3离子化合物掺杂量的摩尔百分比，值在0.1～0.3之间。上述材料的制备方法，具体为：以Bi2O3、Na2CO3、TiO2、K2CO3、SrCO3、CuO、Nb2O5为原料，根据化学计量式配料，经球磨、烘干、过筛、冷等静压压制成陶瓷生坯，在马弗炉中烧结成型，得到陶瓷样品，再进行抛光、镀银、烧电极即得。其过程简单、重复性好、成本低廉且对环境友好。
一种高储能密度钛酸铋钠基无铅介质材料及其制备方法

[发明专利]一种呼吸机用无铅压电陶瓷材料及其制备方法-CN202110894131.9有效
发明人：方豪杰;贺亦文;张晓云;张斗;袁晰 -专利权人：湖南省美程陶瓷科技有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及电子陶瓷材料领域，具体为一种呼吸机用无铅压电陶瓷材料及其制备方法，由以下化学式表示：x(BiaNa1‑a)TiO3‑yLiNbO3‑(1‑x‑y)(BibK1‑b)HfO3‑αLa2O3‑βLiBiO2，x为0.55‑0.70，y为0.10‑0.25，a为0.45‑0.75，b为0.45‑0.75，α为0.15‑0.3％，β为0.01‑0.1％，本发明所制备的压电陶瓷材料致密度高，压电性能优于绝大多数的无铅压电陶瓷材料，具有广阔的应用前景，可以用来制作压电阀供呼吸机使用。
一种呼吸机用无铅压电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高耐电场强度、高储能密度的NBT-BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法-CN202011412077.1有效
发明人：吕静雯;李洋;严岩;李权;刘岗 -专利权人：西南大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及一种高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法，属于介电陶瓷材料制备技术领域。本本发明公开了一种化学组成为0.6(0.94Na0.5Bi0.5TiO3‑0.06BaTiO3)‑0.4(Sr0.7Bi0.2TiO3)‑0.1％Dy2O3(简写为NBT‑BT‑40SBT‑Dy)的高耐电场强度、高储能密度的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料。本发明的NBT‑BT基驰豫铁电陶瓷薄膜材料具有以下性能：(1)电滞回线形状纤细，表现出弛豫铁电体的特征，耐电场强度可以达到270kV/cm；(2)总储能密度和有效储能密度随电场的增加而增大；(3)储能效率在73％以上。
一种电场强度高储能密度 nbt bt 基驰豫铁电陶瓷薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种压电性高、高温绝缘性好的压电材料及其制备方法-CN202111235209.2有效
发明人：王海圣;翁新全;许静玲;柯银鸿;刘瑞林 -专利权人：厦门乃尔电子有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电性高、高温绝缘性好的压电材料及其制备方法，该压电材料，该压电材料通过在CaBi4Ti4O15(CBT)压电陶瓷的A、B位采用(Na0.5Bi0.5)2+、(Nb2/3Cu1/3)4+复合离子同时掺杂制得，获得的铋层状结构压电陶瓷材料具有较高的压电性(15～18pC/N)、居里温度(786～798℃)及良好的高温绝缘电阻(500℃下的电阻值为2.1～2.6MΩ)，是制作高温加速度传感器较为理想的压电元件材料。本发明提供的铋层状结构压电材料采用传统的固相反应法即可制备，制备工艺简单稳定，操作方便，适于大规模工业生产的推广，具有实际的应用价值和广泛的应用前景。
一种压电高温绝缘性材料及其制备方法

[发明专利]一种光学存储材料及其制备方法-CN201911307614.3有效
发明人：杨永胜;罗来慧 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种光学存储材料，包括结构为ABO3结构的钙钛矿无铅铁电陶瓷材料，其特征在于：该无铅铁电陶瓷材料的化学式为Bi0.495‑xNa0.5TiO3:0.005Ho‑xYb，其中0.005≤x≤0.05，通过在A位添加0.005摩尔含量的稀土元素Ho3+以及x摩尔含量的稀土元素Yb3+，进而实现材料的光存储。本发明还公开了上述光学存储材料的制备方法。与现有技术相比，本发明能实现光学存储，且存储信号稳定。
一种光学存储材料及其制备方法

[发明专利]具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法-CN202010037107.9有效
发明人：戴中华;谢景龙;樊星;刘卫国 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷的制备方法，克服了现有技术中钛酸铋钠基储能陶瓷能量存储性能不佳的问题，制备的产品能量存储密度以及效率高、电学稳定性好。本发明的材料化学组成为(1‑x)((Bi0.5‑yLayNa0.5)0.94Ba0.06TiO3)‑xSr(Sc0.5Nb0.5)O3，其中x＝0.05‑0.2，y＝0.03。该陶瓷的制备工艺简单，可重复性高，对配方组分进行化学比例的计算，称量高纯的原料粉末，经球磨烘干、预烧结、造粒压片、高温烧结，制得具有高储能密度和效率的钛酸铋钠基电子陶瓷。该钛酸铋钠基电子陶瓷材料储能密度最大值为1.83J/cm3，储能效率为83％。
具有高储能密度效率钛酸铋钠基电子陶瓷制备方法

[发明专利]一种复合陶瓷材料及其制备方法-CN202010672862.4有效
发明人：张海波;范鹏元;南博;李利松;肖建中;郭新;卢亚;张国军 -专利权人：广东华中科技大学工业技术研究院
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开一种复合陶瓷材料及其制备方法，该复合陶瓷材料由0.5（Bi0.5Na0.5）TiO3‑0.5（Sr0.7Bi0.2）TiO3粉体和氮化硼颗粒按照化学式0.5（Bi0.5Na0.5）TiO3‑0.5（Sr0.7Bi0.2）TiO3/BN所制成，所述0.5（Bi0.5Na0.5）TiO3‑0.5（Sr0.7Bi0.2）TiO3粉体是由Bi2O3、Na2CO3、SrCO3、TiO2根据化学式0.5（Bi0.5Na0.5）TiO3‑0.5（Sr0.7Bi0.2）TiO3进行配料后混合而成。本发明所制成的复合陶瓷材料兼具高储能密度和高储能效率，可用于制造大功率介电储能器件。
一种复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法-CN202110631050.X有效
发明人：沈波;朱坤;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明涉及涉及一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法，属于电子功能材料和器件领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤：步骤1，将硝酸铋、乙酸钠、乙酸锶加入溶剂，搅拌得溶液A；步骤2，将乙酰丙酮、钛酸四丁酯、九水合硝酸铁、四水合乙酸锰溶于溶剂，搅拌、加热，得溶液B；步骤3，将溶液A与溶液B混合，预处理后得混合液C；以及步骤4，用旋涂法将混合液C涂覆在处理好的基片上，高温处理后，即得(0.72‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.28SrTiO3‑xBi(Fe0.95Mn0.03Ti0.02)O3三元体系钛酸铋钠基无铅压电薄膜。所以，本发明制备得到的压电薄膜表面平整光滑、具有典型的钙钛矿结构、较高的极化强度以及优异的压电性能，同时逆压电系数最高可达179.7皮米/伏，对于开发高性能无铅压电薄膜具有非常重要的意义。
一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法

[发明专利]具有负电卡效应的钛酸铋基铋层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202110906581.5有效
发明人：董显林;谢新春;周志勇 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开一种具有负电卡效应的钛酸铋基铋层状结构无铅压电陶瓷及其制备方法。所述钛酸铋基铋层状结构无铅压电陶瓷的化学组成为Bi4‑xCexTi2.98(WNb)0.01O12，其中0＜x≤0.07。所述钛酸铋基铋层状结构无铅压电陶瓷具有工作温区宽和负电卡效应大的特点，在制备、使用和废弃过程中对生态环境和人类健康不会造成危害，适用于未来微型致冷器的开发。
具有负电效应钛酸铋基铋层状结构压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠基介质储能陶瓷及其制备方法-CN202210222561.0在审
发明人：袁颖;蒋泽华;唐斌;钟朝位;张树人 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：一种钛酸铋钠基介质储能陶瓷及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。陶瓷材料为(Bi0.5Na0.5)1‑xCaxTiO3‑yK1.94Zn1.06Ta5.19O15，其中0.1≤x≤0.2,0≤y≤0.2。本发明介质陶瓷材料不仅实现了高的储能密度、储能效率与功率密度，同时也实现了其他钛酸铋钠基储能陶瓷中没有的满足EIA X7R标准的室温下的温度稳定性。
一种钛酸铋钠基介质陶瓷及其制备方法