“彭彪林”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果28个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种钪酸铋-钛酸钡基核壳结构铁电薄膜及其制备方法-CN202210302399.3有效
发明人：李欣芮;强雪蕊;刘来君;罗宇舟;彭彪林;陈雪 -专利权人：南京卡巴卡电子科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种钪酸铋‑钛酸钡基核壳结构铁电薄膜及其制备方法，属于电子材料与元器件领域。本发明采用溶胶‑凝胶制备工艺，将(1‑x)BaTiO3‑xBiScO3前驱体溶液旋涂在衬底材料上面，得到湿膜；制得的湿膜经干燥、热解、退火制得一层未完全晶化的(1‑x)BaTiO3‑xBiScO3薄膜；将等体积的BiReO3前驱体溶液旋涂在该未晶化的薄膜上面，干燥、热解、退火得(1‑x‑y)BaTiO3‑xBiScO3‑yBiReO3铁电薄膜；本发明可以通过掺杂和控制旋涂时间、旋涂速度、退火时间、退火温度，可以获得展宽的介电峰的同时还保持相对较高的介电常数。
一种钪酸铋钛酸钡基核壳结构薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氟化锂改性的钛酸钡基介质薄膜及其制备方法-CN202210326578.0有效
发明人：李欣芮;何秋蔚;罗宇舟;刘来君;彭彪林;陈雪 -专利权人：南京卡巴卡电子科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种氟化锂改性的钛酸钡基介质薄膜及其制备方法，属于电子材料与元器件领域。该介质薄膜化学组成的化学通式为(1‑y)Ba1‑xRexTiO3‑yLiF，其中0.005≤x≤0.02，0.0025≤y≤0.03，y为质量分数，Re为La、Ce、Pr中的一种或两种元素。采用溶胶凝胶法制备，分别配制Ba1‑xRexTiO3和LiF前驱体溶液；通过分别旋涂、干燥、热解、退火、扩散，最终形成(1‑y)Ba1‑xRexTiO3‑yLiF固溶体。本发明通过掺杂，并在制备时调节退火温度、退火时间控制氟的挥发，从而获得温度稳定性好、耐击穿强度高的介电薄膜。
一种氟化改性钛酸钡介质薄膜及其制备方法

[发明专利]一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法-CN202110886343.2有效
发明人：孙文红;彭彪林;陈捷 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法，先制备包含Ba、Mn和Ti的前驱体溶液，再将前驱体溶液旋凃到预处理好的p‑GaN衬底上，再干燥、热解、退火，重复数次之后得到无铅铁电薄膜，本发明通过溶胶凝胶合成法在宽禁带半导体衬底(GaN)上制备无铅铁电薄膜，制备得到的薄膜材料具有非常宽的负电卡效应，还具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、储能密度高、负电卡效应工作温度范围广等优点。
一种宽禁带半导体衬底制备铅铁薄膜方法

[发明专利]一种超宽温区负电卡效应Pb(Zrx-CN202010979494.8有效
发明人： 彭彪林;汪婷婷 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过衬底调控Pb(ZrXTi1‑X)O3薄膜电卡性能的制备方法，属于化学工程技术领域。一种超宽温区负电卡效应Pb(ZrXTi1‑X)O3基薄膜的制备方法，是将Pb(ZrXTi1‑X)O3前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜；产品干燥、热解，退火制得单层Pb(ZrXTi1‑X)O3薄膜；重复前面步骤，制得多层Pb(ZrXTi1‑X)O3薄膜。本发明的有益效果是：获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、可调控温区宽、电卡效应大等优点的薄膜；本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。
一种超宽温区负电效应 pb zr base sub

[发明专利]一种PSTT基高性能陶瓷电卡制冷材料的制备方法-CN202010981783.1有效
发明人： 彭彪林;黎家余 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明涉及一种PSTT基高性能陶瓷电卡制冷材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSTT基高性能陶瓷电卡制冷材料的制备方法，将原料与酒精球磨，研磨所得的混合粉烘干、压柱；所得的原料块煅烧合成，研磨后得到陶瓷颗粒；压制成陶瓷胚体；在所得陶瓷颗粒覆盖下烧结；退火，制得所需陶瓷材料。本制备方法可以在室温及以下得到较优异的电卡性能；同时，可以通过改变多元高熵原理、退火时间及温度控制陶瓷的结构与性能。本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。
一种 pstt 性能陶瓷制冷材料制备方法

[发明专利]一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法-CN202010979491.4有效
发明人： 彭彪林;韩飞飞 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PNNZT基多相共存弛豫铁电外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：将同为钙钛矿结构的SrTiO3(100/111)单晶基片作为衬底，采用固相合成法和激光脉冲沉积法制备钙钛矿结构的La0.7Sr0.3MnO3(100/111)外延薄膜；采用溶胶凝胶法和固相烧结法制备PNNZT靶材，将PNNZT前驱体溶液于室温下搅拌1.5‑2h，并放置24‑30h，自然风干，制得凝胶；所得凝胶干燥、煅烧、研磨、压制制得粒料，所得粒料经过烧结，自然冷却即得所需的PNNZT靶材；制得的PNNZT靶材利用激光脉冲沉积法在底电极上外延制备出多相共存的弛豫铁电外延薄膜。本发明的有益效果是获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜。
一种 pnnzt 基多共存弛豫铁电外延薄膜制备方法

[发明专利]Sb2-CN202210422936.8在审
发明人：李欣芮;何秋蔚;赵雨杰;陈雪;彭彪林;刘来君 -专利权人：南京卡巴卡电子科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明提供Sb2O3薄膜材料及基于溶胶‑凝胶法制备Sb2O3薄膜材料的方法和应用，属于电子材料与元器件领域。制备方法是将Sb2O3前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在80‑120℃下蒸干10‑15min，然后在300‑400℃下热处理5‑15min，取出冷却至室温，得到一层未完全晶化的Sb2O3薄膜；重复以上步骤多次，得到多层未完全晶化的Sb2O3薄膜；将薄膜在450‑600℃于空气氛围中晶化0.5‑2h，得到完全晶化的Sb2O3薄膜，即获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电子迁移率高等优点的薄膜。
sb base sub

[发明专利]一种用于高温加速度传感器的铁电薄膜及其制备方法-CN202210510235.X在审
发明人：李欣芮;曹雪凤;强雪蕊;刘来君;罗宇舟;彭彪林;陈雪 -专利权人：南京卡巴卡电子科技有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明属于压电材料与元器件领域，提供一种用于高温加速度传感器的铁电薄膜及其制备方法，所述铁电薄膜的化学通式为(1‑x)BiAO3–xBa(Ti0.85Zr0.15)O3，其中0.12≤x≤0.20，A为Fe、Yb中的一种或两种组合，制备方法为：配制Ba(Ti0.85Zr0.15)O3和BiAO3前驱体溶胶液；进行两种前驱体溶胶液的交替涂膜，并对湿膜进行干燥、热解、退火，得到厚度为300纳米‑3微米的铁电薄膜。本发明对BTZ材料进行掺杂，并结合控制退火温度和退火时间，从而控制元素的扩散程度，获得了压电系数大、居里温度高、高温电阻大的铁电薄膜。
一种用于高温加速度传感器薄膜及其制备方法

[发明专利]一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法-CN202010981820.9有效
发明人： 彭彪林;陆秋萍 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C04B35/497 文献下载
摘要：本发明涉及一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，是将PMN‑PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜，干燥、热解，制得单层PMN‑PSN薄膜；重复以上，制得多层PMN‑PSN薄膜，将所得产品进行退火，即得所需薄膜材料。本发明的有益效果是：获得具有高的纯度、好的致密性、小的平均晶粒尺寸、超高的电场击穿强度等优点的薄膜；本发明制备方法相对简单，可以通过不同的晶化方式、不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。
一种 pmn psn 超高击穿电场薄膜材料制备方法

[发明专利]一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法-CN202010981769.1有效
发明人： 彭彪林;于芳 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C04B35/497 文献下载
摘要：本发明涉及一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵铁电薄膜材料的制备方法，是将PSINT前驱体溶液旋涂在衬底上面，得到湿膜；制得的湿膜首先在300‑350℃干燥5‑10min，然后在550‑600℃热解5‑10min，最后在700‑800℃于空气氛围中退火3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复以上步骤多次，得到多层PSINT薄膜；另外将制得的湿膜首先在300‑400℃干燥3‑5min，然后在500‑600℃热解3‑5min，得到一层PSINT薄膜；重复上述步骤多次，得到未完全晶化的PSINT薄膜，在700‑800℃于空气氛围中晶化30‑60min，得到完全晶化的PSINT薄膜；将得到的多层PSINT薄膜和得到的完全晶化的PSINT薄膜分别退火，即得所需薄膜。获得具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、电卡效应大等优点的薄膜。
一种 psint 基高熵铁电薄膜材料制备方法

[发明专利]一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法-CN202010991507.3有效
发明人： 彭彪林;于芳 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C04B35/497 文献下载
摘要：本发明涉及一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PSINT基高熵陶瓷电卡制冷材料的制备方法，将原料与酒精球磨，研磨所得的混合粉烘干、压柱；所得的原料块煅烧合成，研磨后得到陶瓷颗粒；压制成陶瓷胚体；在所得陶瓷颗粒覆盖下烧结；退火，制得所需陶瓷材料。本制备方法可以在室温及以下得到较优异的电卡性能；同时，可以通过改变多元高熵原理、退火时间及温度控制陶瓷的结构与性能。本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。
一种 psint 基高熵陶瓷制冷材料制备方法

[发明专利]一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法-CN202010979464.7有效
发明人： 彭彪林;李盈盈 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种KNN基超高击穿电场单晶薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：制备KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液；所得KNNS‑LT‑BZ前驱体溶液旋涂于不同取向的Nb‑doped SrTiO3衬底上面，得到湿膜；干燥、热解、退火制得一层KNNS‑LT‑BZ薄膜；重复以上制得多层KNNS‑LT‑BZ薄膜。本发明制备方法相对简单，可以通过可以通过多远高熵原理、不同的晶化方式和不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。
一种 knn 超高击穿电场薄膜材料制备方法

[发明专利]一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法-CN202010979480.6在审
发明人： 彭彪林;张苗苗 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C04B35/493 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法，属于铁电功能材料领域。一种通过频率调控Nb掺杂的PZST基驰豫反铁电薄膜制备方法，是将LaNiO3前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜；所得产品干燥、热解，退火制得单层LaNiO3薄膜；重复以上两个步骤，制得多层LaNiO3复合基底；将Pb0.99Nb0.02(ZrxSnyTi1‑x‑y)0.98O3前驱体溶液旋涂于所得的LaNiO3复合基底上制得凝胶湿膜；将所得凝胶湿膜干燥、热解、退火制得单层Nb掺杂的PZST薄膜；重复以上两个步骤制得多层Nb掺杂的PZST薄膜。本发明的有益效果是：获得一种致密性好、平均晶粒尺寸小、高介电常数、电场击穿强度大、制冷温度较大等优点的反铁电薄膜；本发明制备方法相对简单，是一种高效低成本的制备技术。
一种通过频率调控 nb 掺杂 pzst 基驰豫反铁电薄膜制备方法

[发明专利]一种摩擦发电机用纳米铁电粉体的制备方法-CN202010979451.X在审
发明人： 彭彪林;吴粒 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种摩擦发电机用纳米铁电粉体的制备方法，属于化学工程技术领域。一种摩擦发电机用纳米铁电粉体的制备方法，包括制备xBiFeO3·(1‑x)Pb(ZryTi(1‑y))O3前驱体溶液，将步骤制得的前驱体溶液进行三级加热；所得产品冷却制得纳米粉粗品；所得产品与酒精混合，超声处理3‑10分钟，干燥即得所需纳米铁电粉体。本发明获得具有纯度高、纳米颗粒大小均匀且分散度高、兼具铁电和介电以及压电性能、能量密度高的纳米粉体。
一种摩擦发电机纳米铁电粉体制备方法

[发明专利]一种利用相变诱导无铅薄膜材料制备方法-CN202010979458.1在审
发明人： 彭彪林;陈婷 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用相变诱导无铅薄膜材料制备方法，属于化学工程技术领域。一种利用相变诱导无铅薄膜材料制备方法，先制备BCT‑BMT前驱体溶液，所得BCT‑BMT前驱体溶液旋涂于Pt(111)/TiOx/SiO2/Si(100)衬底上面，得到湿膜；所得湿膜干燥、热解、退火制得一层BCT‑BMT薄膜；重复以上步骤制得多层BCT‑BMT薄膜。本发明制备方法相对简单，是一种方便快捷的制备技术。
一种利用相变诱导薄膜材料制备方法

1
2
下一页»
尾页
共 28 条