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[发明专利]一种计算锆钛酸钡基块体材料介电常数的方法-CN201811219346.5在审
发明人：李玲霞;郑浩然;于仕辉;杨盼;陈思亮 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算锆钛酸钡基块体材料介电常数的方法，先将原料BaCO₃、Bi₂O₃、ZrO₂和TiO₂按照Ba_0.9988Bi_0.0008Zr_0.2Ti_0.8O₃的化学计量比混合配料，制得铋离子掺杂的锆钛酸钡陶瓷的块体材料；再以块体材料样品的厚度d_T作为横坐标，以厚度与常规测试介电常数之比d_T/ε_T作为纵坐标，利用OriginPro 8软件将不同厚度样品的测试数据作d_T/ε_T随d_T变化关系图，根据推导公式：对结果进行线性拟合，直线斜率的倒数即为锆钛酸钡基块体材料的介电常数。本发明简便可行，适用性广，对介质材料的研究和应用发展具有积极影响。
锆钛酸钡基块体材料介电常数介电常数块体材料变化关系图化学计量比研究和应用测试数据常规测试厚度样品混合配料介质材料推导公式线性拟合直线斜率掺杂的铋离子倒数陶瓷

[发明专利]一种X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法和应用-CN201811137842.6在审
发明人：董显林;周明星;梁瑞虹 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种X9R型多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法和应用，所述X9R型多层陶瓷电容器介质材料的组成通式为：xBaTiO₃‑yBi₂O₃‑zZnO‑uSnO₂‑vSiO₂‑wB₂O₃，以摩尔含量计，其中0.80≤x≤0.85，0.075≤y≤0.10，0.075≤z≤0.10，0.075≤u≤0.10，0≤v≤0.05，0≤w≤0.05。
多层陶瓷电容器介质材料制备方法和应用

[发明专利]一种热敏电阻材料及其制备方法-CN201811099595.5在审
发明人：董建军 -专利权人：华蓥市职业教育培训中心
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种热敏电阻材料及其制备方法，由以下重量份的组分组成：BaTiO₃60‑70份；SrCO₃25‑30份；TiO₂5‑8份；SiO₂8‑12份；Cr₂O₃6‑10份；SrCO₃20‑30份；CeO₂8‑12份；石墨烯2‑5份，很大程度上提高了电阻材料高温稳定性、可靠性；且采一次烧结成型，极大简化了加工过程，方便进行大规模生产。
热敏电阻材料制备一次烧结成型高温稳定性电阻材料石墨烯重量份

[发明专利]一种CaTiO₃基线性储能介质陶瓷材料及其制备方法-CN201610307916.0有效
发明人：曹明贺;张亚萍;刘韩星;郝华;尧中华 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种CaTiO₃基线性储能介质陶瓷材料及其制备方法。CaTiO₃基线性储能介质陶瓷材料，其特征在于：表达式为Zn_xCa_0.97‑_xLa_0.03Ti_0.97Al_0.03O₃，其中x＝0.01～0.2。制备方法，以CaCO₃、TiO₂、La₂O₃、Al₂O₃和ZnO为原料，按照化学式Zn_xCa_0.97‑xLa_0.03Ti_0.97Al_0.03O₃，其中x＝0.01～0.2中化学计量比要求进行称量配料、混合后球磨，烘干，1000～1150℃进行预烧，然后二次球磨得到预烧粉体，将预烧粉体过筛后添加胶粘剂造粒、成型，然后排胶得到陶瓷坯体，再将陶瓷坯体于空气中1200～1300℃保温烧结而得。通过对CaTiO₃基陶瓷进行Zn²⁺和La³⁺/Al³⁺共掺，得到Zn_xCa_0.97‑xLa_0.03Ti_0.97Al_0.03O₃线性储能介质陶瓷材料。其具有低介电损耗、频率稳定性好，介电常数适中，击穿强度较高的特点。
一种新型 catio sub 基线性储能介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种抗还原低损耗型钛酸钡基介质材料-CN201811040946.5在审
发明人：李玲霞;王瑞杰;毕越;于仕辉;王文波 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗还原低损耗型钛酸钡基介质材料，化学式为Ba(Mn_xTi_1‑x)O₃，其中0＜x≤0.04。先将原料BaTiO₃、MnO₂化学式称量配料，经过球磨、烘干、过筛后于1000～1100℃下煅烧，再进行造粒，压制成生坯，生坯在还原气氛下于1350℃烧结，制得钛酸钡基介质材料。本发明的介电常数在2300～2800之间，介电损耗在0.9％～5.0％范围内，可用于多层片式陶瓷电容器(MLCC)的制备，大大提高了多层器件的性能。
介质材料钛酸钡基低损耗生坯还原片式陶瓷电容器称量配料多层器件还原气氛介电常数介电损耗烧结烘干多层过筛可用球磨造粒煅烧制备压制

[发明专利]通过变价离子掺杂提高钛酸钡介质材料抗还原性的方法-CN201811033254.8在审
发明人：李玲霞;王瑞杰;毕越;于仕辉;王文波 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过变价离子掺杂提高钛酸钡介质材料抗还原性的方法，以BaTiO₃为基础，外加质量百分比含量为1～4％的变价离子化合物X，称量配料，所述变价离子化合物X为SnO₂、MnO₂或NH₄VO₃。经过球磨、烘干、过筛后于1000～1300℃下煅烧，合成主晶相，再进行造粒，压制成生坯，生坯于1300～1450℃烧结，制得BaTiO₃介质材料。本发明介电常数与空气下烧结相近，介电损耗在1.0％～4.0％范围内，绝缘电阻率＞10⁹，可用于多层片式陶瓷电容器(MLCC)的制备。
变价离子介质材料抗还原性烧结钛酸钡生坯掺杂片式陶瓷电容器绝缘电阻率质量百分比称量配料介电常数介电损耗主晶相烘干多层过筛可用球磨造粒煅烧制备压制合成

[发明专利]一种低损耗X9R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法-CN201510621925.2有效
发明人：陈永虹;林志盛;宋运雄;黄祥贤;谢显斌;吴金剑;许金飘 -专利权人：福建火炬电子科技股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种低损耗X9R型多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法，以100重量份的[(1‑x)BaTiO₃‑xBi_yNa_zTiO₃]为基材，添加1.5‑2.5重量份的NbO、0.1‑0.5重量份的RE₂O₃、0.05‑0.15重量份的MnO和2‑4重量份的BiBO₃,用去离子水作为分散介质、球磨、烘干并造粒，再将造粒后的粉料压制成圆片生坯，然后在空气气氛中升温至1080‑1200℃，保温烧结2‑6h，即制得X9R型多层陶瓷电容器用介质材料，该介质材料具有介电损耗低,使用温度高(‑55℃‑200℃)，良好的温度稳定性(‑15％≤ΔC/C≤15％)等特点，利用本发明可使多层陶瓷电容器、调谐器、双工器、等元器件适合高温(‑55℃‑200℃)的应用，有极高的产业化前景及工业应用价值。
一种损耗 x9r 多层陶瓷电容器用介质材料及其制备方法

[发明专利]一种高性能PTC热敏陶瓷的制备工艺-CN201811177246.0在审
发明人：庞驰;郑德一;方超;赵文英;黄永艳;余航 -专利权人：贵州大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能PTC热敏陶瓷的制备工艺，包括如下步骤：1)取PTC热敏陶瓷原料；2)将PTC热敏陶瓷原料装入球磨罐充分混合球磨，将球磨后得到的浆料放置在干燥箱中烘干，得粉体；3)向粉体加入水，再加入氨水、柠檬酸或草酸中的一种或任意几种的组合物，然后加热进行水热处理，水热处理后的粉末烘干，得PTC热敏陶瓷原料粉体；4)将PTC热敏陶瓷原料粉体采用传统PTC陶瓷的处理工艺处理，得高性能PTC热敏陶瓷。本发明具有制得的PTC热敏陶瓷性能好，原料用量少，成本低，污染小，工艺更加简单，工艺稳定性好的特点。
热敏陶瓷水热处理原料粉体制备工艺粉体球磨氨水草酸工艺稳定性柠檬酸充分混合处理工艺粉末烘干原料用量干燥箱烘干浆料磨罐加热污染

[发明专利]一种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料及其制备方法-CN201810832257.1在审
发明人：蒲永平;李欣;张磊;彭鑫 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料，由基质组分和掺杂组分组成，基质组分包括BaTiO₃、BaFe_0.5Nb_0.5O₃、及Bi_0.5Na_0.5TiO₃，掺杂组分为BiMg_2/3Nb_1/3O₃。化学表达式为(1‑x)(0.94BaFe_0.05Nb_0.05Ti_0.9O₃‑0.06Bi_0.5Na_0.5TiO₃)‑xBiMg_2/3Nb_1/3O₃，x=0.05~0.2。本发明还提供了这种超宽温度稳定性的介电陶瓷材料的制备方法。本发明制备工艺简单，材料成本低，而且制得的陶瓷具有超宽的温度稳定性，有望成为多层陶瓷电容器在技术和经济上兼优的重要候选材料。
温度稳定性超宽介电陶瓷材料基质制备掺杂多层陶瓷电容器发明制备工艺化学表达式材料成本候选材料陶瓷

[发明专利]一种钛酸钡基无铅高介温度稳定型陶瓷材料及其制备方法-CN201810832289.1在审
发明人：蒲永平;李欣;彭鑫;张磊 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸钡基无铅高介温度稳定型陶瓷材料，由基质组分和掺杂组分组成，基质组分包括BaTiO₃、及BaFe_0.5Nb_0.5O₃，掺杂组分为Bi_0.5Na_0.5TiO₃。所述钛酸钡基无铅高介温度稳定型陶瓷材料的化学表达式为(1‑x)BaFe_0.05Nb_0.05Ti_0.9O₃‑xBi_0.5Na_0.5TiO₃，x=0.04~0.1。本发明还提供了这种钛酸钡基无铅高介温度稳定型陶瓷材料的制备方法。本发明制备工艺简单，材料成本低，而且制得的陶瓷具有较好的温度稳定性、较高的介电常数，有望成为多层陶瓷电容器在技术和经济上兼优的重要候选材料。
温度稳定型陶瓷材料钛酸钡基高介无铅基质制备掺杂多层陶瓷电容器发明制备工艺化学表达式温度稳定性材料成本候选材料介电常数陶瓷

[发明专利]一种适用于超级电容器的钛酸钡陶瓷的制备方法-CN201511027415.9有效
发明人：王树昱 -专利权人：浙江九康电气有限公司;王树昱
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于超级电容器的钛酸钡陶瓷的制备方法，其包括如下步骤：步骤a，一次原料制备：选取BaCO3和TiO2按比例混合制得原料并放入匣钵内振实；其中,BaCO3:TiO2=1:1‑1.05摩尔比；步骤b，一次烧结：步骤a匣钵放入烧结炉中进行第一次烧结，将第一次烧结后的产物通过粉碎工艺后得到细粉材料；步骤c，二次原料制备：将步骤b中细粉材料混合后放入匣钵内震动振实；步骤d，二次烧结：将载有细粉材料的匣钵放入烧结炉中进行第二次烧结，将第二次烧结后的产物通过粉碎工艺后得到成品。本发明具有的有益效果：成品纯度高、介电系数高、工艺简单、容易进行工业化生产等特点。
一种适用于超级电容器钛酸钡陶瓷制备方法

[发明专利]一种Nb₂O₅掺杂BaTiO₃基片式PTC热敏陶瓷及其制备方法-CN201810759159.X在审
发明人：程绪信;崔海宁;陈晓明 -专利权人：肇庆学院
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种Nb₂O₅掺杂BaTiO₃基片式PTC热敏陶瓷及其制备方法。该样品的组成化学式为Ba_m(Ti_1‑xNb_x)O₃+y SiO₂，其中m=0.994mol%~1.018mol%；x=0.2mol%~0.8mol%；y=0.01mol%~0.10mol%。本发明采用湿法流延工艺技术制备出Nb₂O₅掺杂BaTiO₃基片式PTC生坯体，通过还原‑再氧化的共烧结工艺制备出片式PTC热敏陶瓷。而且通过B位施主替换法，引入Nb₂O₅作为施主掺杂剂，对样品进行掺杂改性和性能优化，得到了较低电阻的片式PTC热敏电阻，且还原气氛烧结有利于拓宽施主掺杂剂的半导化区间。采用优化和调控样品的化学计量比，制作出高偏化学计量比（Ba/Ti比位于1.003~1.006范围内）的片式PTC热敏陶瓷，这样不仅可以获得较低的室温电阻而且还可以获得较大的升阻比，解决了该样品的低电阻和高升阻比难以同时匹配的相互矛盾难题。
片式热敏陶瓷制备化学计量比施主掺杂剂掺杂低电阻掺杂改性工艺制备还原气氛流延工艺室温电阻性能优化烧结共烧结生坯体升阻比再氧化湿法匹配还原替换调控引入优化矛盾

[发明专利]介电陶瓷组合物和陶瓷电子部件-CN201610143554.6有效
发明人：兼子俊彦;藤野辰哉;森崎信人;伊藤康裕 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种介电陶瓷组合物，其特征在于，所述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO₃所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、作为稀土元素的氧化物的第1副成分、和作为Si的氧化物的第2副成分，至少含有具有核壳结构的介电体颗粒以及偏析颗粒，上述偏析颗粒中的上述稀土元素的浓度为上述具有核壳结构的介电体颗粒的壳部中的上述稀土元素的平均浓度的2倍以上，在切断上述介电陶瓷组合物的截面中，上述偏析颗粒所占的区域的面积为5.0％以下，各个上述偏析颗粒的截面积的平均为0.075μm²以下。
陶瓷组合电子部件

[发明专利]介电陶瓷组合物和陶瓷电子部件-CN201610144652.1有效
发明人：兼子俊彦;藤野辰哉;吉田武尊;海老名阳辉;森崎信人 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-14 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种介电陶瓷组合物以及具有由上述介电陶瓷组合物形成的介电体层的陶瓷电子部件，其特征在于，上述介电陶瓷组合物含有：具有通式ABO₃所表示的钙钛矿型结晶结构的主成分、Eu的氧化物、Ra(Sc、Er、Tm、Yb、Lu)的氧化物、Rb(Y、Dy、Ho、Tb、Gd)的氧化物以及Si的氧化物，相对于100摩尔的上述主成分，如果将上述Eu的氧化物的含量记为α摩尔，将上述Ra的氧化物的含量记为β摩尔，将上述Rb的氧化物的含量记为γ摩尔，将上述Si的氧化物的含量记为δ摩尔，则0.075≤α≤0.5、0.5≤β≤3、1.0≤γ≤4、1.5≤δ≤5、0.030≤α/δ≤0.250。
陶瓷组合电子部件

[发明专利]用于高频陶瓷电容器的微波陶瓷介质及其制备方法-CN201810640013.3在审
发明人：丁左宏 -专利权人：江苏田字格新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高频陶瓷电容器的微波陶瓷介质及其制造方法，该微波陶瓷介质由Ba6‑3xNd8+2xTi18O54组成，其中x＝1/2～2/3，y＝1/5～2/5；组成原料为BaCO3、Nd2O3和TiO2三种化合物及添加剂Bi2O3；制备步骤是，按配方混料，在去离子水中用ZrO2球体进行球磨，于120～130℃烘干，过40目筛；然后于900℃～1100℃预烧，保温2小时；二次球磨、烘干、造粒，于80～90MPa压制成型；最后于1150～1250℃烧结，保温4小时，然后冷却10小时以上。本发明具有优异的介电性能，配方简单，具有很好的工艺稳定性，尤其是介质损耗对预烧及烧结温度的变化均不敏感。本发明可广泛用于各种介质谐振器、滤波器等微波器件的制造，可满足移动通信、卫星通讯、导航定位、雷达等系统应用中对材料介质的需要。
微波陶瓷介质高频陶瓷电容器烧结烘干预烧制备保温配方滤波器工艺稳定性介质谐振器材料介质导航定位二次球磨介电性能介质损耗微波器件卫星通讯系统应用移动通信不敏感球体混料目筛球磨水中造粒添加剂离子制造冷却雷达