[发明专利]用于电子封装的超薄贵金属涂层

权利要求书

1.一种IC封装，它包括至少一个IC单元和一些密封于一个保护封装中的引线，其中，所述引线包括一个基底金属，在这层基底金属上的镍层和在此镍层上面的若干金属层的组合物，所述组合物淀积的厚度在2.5-11微英寸的范围内，该组合物从镍层开始依次包括：0.5-3.5微英寸厚的钯或软金触击电镀层；0.5-5微英寸厚的钯-镍合金层，其中含有10-90％重量的镍；0.5-5微英寸厚的钯层以及0-1微英寸厚的金层。

2.如权利要求1所述的IC封装，特征在于：所述钯或金触击电镀层厚度为0.5-3微英寸，所述钯-镍合金层的厚度为0.5-4微英寸，所述钯层厚度为0.5-4微英寸，所述外部金层厚度在0-1微英寸的范围内。

3.如权利要求1所述的IC封装，特征在于：所述钯或软金触击电镀层厚度为1-3微英寸，所述钯-镍合金层厚度为2-4微英寸，所述钯层厚度为1-4微英寸。

4.如权利要求1所述的IC封装，特征在于：所述钯或软金触击电镀层厚度为0.5-2微英寸，所述钯-镍合金层厚度为0.5-2微英寸，所述钯层厚度为0.5-2微英寸，所述外部金层厚度约为1微英寸。

5.如权利要求1所述的IC封装，特征在于：所述基底金属包括有铜，所述Pd-Ni合金含有20％重量的镍。

6.如权利要求1所述的IC封装。特征在于：所述外部金层由软金触击电镀层构成。

7.如权利要求1所述的IC封装，特征在于：所述金属层是使用双卷盘淀积工艺淀积而成的金属层。

8.一种为集成电路单元提供电接触的引线框架，它包括几个与集成电路电连接的引线，每条引线包括一个基底金属，一个基底金属上的镍层和一个淀积于镍层上的若干金属层的组合物，其中：所述组合层厚度为2.5-11微英寸，从镍层开始依次包括有：0.5-3.5微英寸厚的钯或软金的触击电镀层；0.5-5微英寸厚的钯-镍合金层，其中含有10-90％重量的镍；0.5-5微英寸厚的钯层和0-1微英寸厚的金属。

9.如权利要求8所述的引线框架，特征在于：所述钯的触击电镀层的厚度为0.5-3微英寸，所述钯-镍合金层的厚度为0.5-4微英寸，所述钯层的厚度为0.5-4微英寸，所述外部金层的厚度在0-1微英寸的范围内。

10.如权利要求8所述的引线框架，特征在于：所述钯或软金触击电镀层厚度为1-3微英寸，所述钯-镍合金层厚度为2-4微英寸，所述钯层厚度为1-4微英寸。

11.如权利要求8所述的引线框架，特征在于：所述钯或软金触击电镀层厚度为0.5-2微英寸，所述钯-镍合金层厚度为0.5-2微英寸，所述钯层厚度为0.5-2微英寸，所述外部金层厚度约为1微英寸。

12.如权利要求8所述的引线框架，特征在于：所述基底金属由铜构成，所述Pd-Ni合金含有20％重量的镍。

13.如权利要求8所述的引线框架，特征在于：所述外部金层由软金的触击电镀层构成。

14.如权利要求8所述的引线框架，特征在于：所述各层是由双卷盘淀积工艺淀积而成。

15.一种制品，它包括一种基底金属，一种位于基底金属上的镍层和一种位于镍层上的若干层的组合物，所述组合层厚度为2.5-11微英寸，从镍层开始依次包括：0.5-3.5微英寸厚的钯或软金的触击电镀层；0.5-5微英寸厚的钯-镍合金层，含有10-90％重量的镍；0.5-5微英寸厚的钯层和0-1微英寸厚的金层。

16.如权利要求15所述的制品，特征在于：所述钯或软金的触击电镀层厚度为0.5-3微英寸，所述钯-镍合金层厚度为0.5-4微英寸，所述钯层厚度为0.5-4微英寸，所述外部金层厚度在0-1微英寸的范围内。

17.如权利要求15所述的制品，特征在于：所述钯或软金的触击电镀层厚度为1-3微英寸，所述钯-镍合金层厚度为2-4微英寸，所述钯层厚度为1-4微英寸。