[发明专利]母片式半导体集成电路无效
申请号: | 90109177.4 | 申请日: | 1990-11-12 |
公开(公告)号: | CN1030022C | 公开(公告)日: | 1995-10-11 |
发明(设计)人: | A·A·约翰内斯·玛丽亚·范登·埃尔索特;亨德里卡斯·约瑟夫斯·玛丽亚·费恩德里克;德克·威廉·哈伯特斯 | 申请(专利权)人: | 菲利蒲光灯制造公司 |
主分类号: | H01L27/118 | 分类号: | H01L27/118 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖掬昌,曹济洪 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 母片式 半导体 集成电路 | ||
1、一种母片(门阵列)式半导体集成电路,该电路包括一些成行列配置的只读式存储单元,该存储单元再分成第一和第二组,该第一和第二组分别包括第一和第二电导率类型的晶体管,所述半导体电路包括列选择装置,用以响应列选择信号选择第一或第二组的输出,其特征在于,配备有行选择装置,供选择第一和第二存储单元组的单行存储单元之用,因而同一行的第一和第二存储单元组的各输入端互连起来后可以接收公共行的选择信号。
2、如权利要求1所述的半导体集成电路,其特征在于,各行的行选择装置包括一倒相器和一开关元件,用以根据地址信号提供倒相或不倒相的公共行选择信号。
3、如权利要求2所述的半导体集成电路,其特征在于,一行中的倒相器和开关元件由一异门电路构成。
4、如权利要求2或3所述的集成电路,其特征在于,在工作时列选择装置也接收地址信号。
5、如权利要求1、2、3或4所述的半导体集成电路,它包括可控预充电装置,分别用以对第一存储单元组的输出进行充电和放电,和对第二存储单元组的输出进行放电和充电,其特征在于,该半导体电路还包括可控取样装置,用以将存储单元耦合到电源端,预充电装置和取样装置在工作期间以相反相位启动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的