[其他]改进的硼掺杂半导体材料及其制备方法

权利要求书

1、淀积一种改进的包括硼和卤素或假卤素的P型半导体合金的方法，该方法包括在气体混合物中建立辉光放电，气体混合物包括至少一种半导体前身气体，硼的气体源与卤素和假卤素结合在一起，其特点是在上述淀积的半导体合金中以单原子形式至少掺入1.9原子百分数的硼。

2、根据权利要求1的方法，其特点是上述硼的气体源是三氟化硼。

3、根据权利要求1的方法，其特点是上述卤素或假卤素的一种是氟。

4、根据权利要求1的方法，其特点是上述半导体合金从硅、锗及其混合物中选择。

5、根据权利要求1的方法，其特点是上述半导体前身气体为硅烷。

6、根据权利要求1的方法，其特点是上述气体混合物中包括氩气。

7、一种电子照相光感受器（70）包括一个电导性衬底（72）和一个光电导元件（78），其特点在于上述光电导元件（78）是由半导体合金材料制成，半导体合金材料包括以单原子形式掺入到半导体基质中的痕量硼和卤素或假卤素，上述半导体合金材料的体应力得到降低。

8、根据权利要求7的光感受器（70），其特点在于光电导元件（78）的厚度至少为10微米。

9、根据权利要求7的光感受器（70），其特点在于光电导元件是由半导体合金材料制成的，该半导体合金材料在其基质中至少包括硅合金、锗合金或硅锗合金中的一种。

10、根据权利要求7的光感受器（70）特点在于半导体合金材料包括作为卤素或假卤素的氟。

11、根据权利要求7的光感受器（70），其特点在于硼以四面体形式掺入半导体基质材料。

12、根据权利要求7的光感受器（70），其特点在于光电导元件（78）是由包括足量硼的非晶硅∶氢∶氟合金制成，提供了在0.8至1.2电子伏特范围内的激活能。

13、根据权利要求12的光感受器（70）包括插在光电元件（78）和衬底之间的阻挡层（76），其特点在于上述阻挡层（76）是由具有电导性半导体合金材料制成，阻止来自衬底（72）的电荷载流子射入光电导元件（78）。

14、根据权利要求13的光感受器（70），其特点在于阻挡层（76）是由非晶硅∶氢∶氟合金制成的，上述阻挡层（76）所含的硼量大于光电导元件（78）。

15、根据权利要求13的光感受器（70），其特点在于增进附着层插在衬底（72）与阻挡层（76）之间;绝缘层（80）淀积在光电导元件之上。

16、根据权利要求7的改进的电子照相光感受器（70）的特点在于：上述光电导元件（78）是由多层重叠的半导体合金材料层制成的，至少有一种元素的浓度不同，因此减轻了光电导元件（78）内的体应力，所以改进了光感受器（70）的电荷储存能力。

17、根据在权利要求16的电子照相光感受器（70）中，上述半导体材料的重叠层是由硅∶氢∶氟合金制成的，其特点是上述重叠层在掺入到其内的氟方面是不同的。

18、根据在权利要求17的电子照相光感受器（70）中，光电导元件（78）的厚度约为15-30微米，并表现出柱状生长形貌，上述的光感受器进一步包括：

一个阻挡半导体层（76），插在光电导元件（78）和衬底（72）之间，上述半导体阻挡层（76）的厚度约为200-600毫微米，上述阻挡层（76）阻止来自衬底（72）的电荷载流子射入光电导层（78）;

一个增进附着层（74），厚度约为50-200毫微米，插在阻挡层（76）和衬底（72）之间;

一个电绝缘层（80），厚度小于600毫微米，淀积在光电导元件（78）上，其特点是上述半导体层（76）内所含的硼量大于光电导元件（78）。