[实用新型]功率模块和设备

说明书

本实用新型公开了一种功率模块和设备，功率模块包括上桥基板、下桥基板、上桥功率芯片和下桥功率芯片，上桥基板包括上桥顶部基板和上桥底部基板，上桥顶部基板和上桥底部基板相对设置；下桥基板包括下桥顶部基板和下桥底部基板，下桥顶部基板和下桥底部基板相对设置；上桥功率芯片包括设置在上桥顶部基板朝向上桥底部基板的一面的第一芯片和设置在上桥底部基板朝向上桥顶部基板的一面的第二芯片；下桥功率芯片包括设置在下桥顶部基板朝向下桥底部基板的一面的第三芯片和设置在下桥底部基板朝向下桥顶部基板的一面的第四芯片。

技术领域

本实用新型涉及功率模块技术领域，尤其是涉及一种功率模块和设备。

背景技术

在现有技术中，单一平面型结构的功率模块在导通时，容易引起较大的过冲电压，还存在芯片开关损耗增大等问题，导致功率模块可靠性比较低，容易影响功率模块的使用寿命。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种功率模块，能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升功率模块的可靠性和使用寿命。

本实用新型的另一个目的在于提出一种设备。

为了达到上述目的，本实用新型第一方面实施例提出的功率模块，包括：上桥基板，所述上桥基板包括上桥顶部基板和上桥底部基板，所述上桥顶部基板和所述上桥底部基板相对设置；下桥基板，所述下桥基板包括下桥顶部基板和下桥底部基板，所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板相对设置；上桥功率芯片，所述上桥功率芯片包括相互连接的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片设置在所述上桥顶部基板朝向所述上桥底部基板的一面，所述第二芯片设置在所述上桥底部基板朝向所述上桥顶部基板的一面；下桥功率芯片，所述下桥功率芯片包括相互连接的第三芯片和第四芯片，所述第三芯片设置在所述下桥顶部基板朝向所述下桥底部基板的一面，所述第四芯片设置在所述下桥底部基板朝向所述下桥顶部基板的一面。

根据本实用新型实施例提出的功率模块，分别在上桥基板的上桥顶部基板和上桥底部基板上分别设置第一芯片和第二芯片，以及，在下桥基板的下桥顶部基板和下桥底部基板上分别设置第三芯片和第四芯片，并通过将上桥顶部基板和上桥底部基板相对设置，以及将下桥顶部基板和下桥底部基板相对设置，当芯片导通时，在上桥基板中，电流先后流过第一芯片和第二芯片，在下桥基板中，电流先后流过第三芯片和第四芯片，由此上桥基板和下桥基板中均存在反向电流，则功率模块中会存在两个反向电流，而反向电流产生的磁场会相互耦合，进而能够减小功率电流回路电感，不容易引起大的过充电压、减小芯片开关损耗，提升功率模块的可靠性和使用寿命。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥基板位于所述下桥基板的一侧，所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板左右平齐设置，所述上桥底部基板与所述下桥底部基板左右平齐设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述上桥顶部基板、所述上桥底部基板、所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板均包括底板、绝缘层和金属层，所述底板、所述绝缘层和所述金属层叠层设置。

在本实用新型的一些实施例中，所述功率模块还包括：前壳体，所述前壳体位于所述上桥基板和所述下桥基板的前侧，所述前壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述前壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板；后壳体，所述后壳体位于所述上桥基板和所述下桥基板的后侧，所述后壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述后壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板。