[实用新型]功率模块和设备

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于，包括：

上桥基板，所述上桥基板包括上桥顶部基板和上桥底部基板，所述上桥顶部基板和所述上桥底部基板相对设置；

下桥基板，所述下桥基板包括下桥顶部基板和下桥底部基板，所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板相对设置；

上桥功率芯片，所述上桥功率芯片包括相互连接的第一芯片和第二芯片，所述第一芯片设置在所述上桥顶部基板朝向所述上桥底部基板的一面，所述第二芯片设置在所述上桥底部基板朝向所述上桥顶部基板的一面；

下桥功率芯片，所述下桥功率芯片包括相互连接的第三芯片和第四芯片，所述第三芯片设置在所述下桥顶部基板朝向所述下桥底部基板的一面，所述第四芯片设置在所述下桥底部基板朝向所述下桥顶部基板的一面。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，

所述上桥基板设于所述下桥基板的一侧，所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板左右平齐设置，所述上桥底部基板与所述下桥底部基板左右平齐设置。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

前壳体，所述前壳体位于所述上桥基板和所述下桥基板的前侧，所述前壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述前壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板；

后壳体，所述后壳体位于所述上桥基板和所述下桥基板的后侧，所述后壳体的上端连接所述上桥顶部基板和所述下桥顶部基板，所述后壳体的下端连接所述上桥底部基板和所述下桥底部基板。

4.根据权利要求3所述的功率模块，其特征在于，所述上桥顶部基板、所述上桥底部基板、所述下桥顶部基板和所述下桥底部基板均包括底板、绝缘层和金属层，所述底板、所述绝缘层和所述金属层叠层设置。

5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，

所述上桥顶部基板的底板的边缘长出所述上桥顶部基板的绝缘层的边缘以形成第一台阶，所述下桥顶部基板的底板的边缘长出所述下桥顶部基板的绝缘层的边缘以形成第二台阶；

所述上桥底部基板的底板的边缘长出所述上桥底部基板的边缘层的边缘以形成第三台阶，所述下桥底部基板的底板的边缘长出所述下桥底部基板的边缘层的边缘以形成第四台阶；

所述前壳体的上端搭设在所述第一台阶和所述第二台阶上，所述前壳体的下端搭设在所述第三台阶和所述第四台阶上，所述后壳体的上端搭设在所述第一台阶和所述第二台阶上，所述后壳体的下端搭设在所述第三台阶和所述第四台阶上。

6.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，所述第一芯片的漏极搭设在所述上桥顶部基板的金属层上，所述第二芯片的漏极搭设在所述上桥底部基板的金属层上，所述第三芯片的漏极搭设在所述下桥顶部基板的金属层上，所述第四芯片的漏极搭设在所述下桥底部基板的金属层上。

7.根据权利要求6所述的功率模块，其特征在于，

所述下桥顶部基板的绝缘层上还设置有与所述下桥顶部基板的金属层相隔开的第一桥接金属层，并且所述第一桥接金属层位于所述下桥顶部基板靠近所述上桥顶部基板的一侧，所述第一桥接金属层与所述第三芯片的源极连接。

8.根据权利要求7所述的功率模块，其特征在于，所述功率模块还包括：

DC功率端子和AC功率端子，所述DC功率端子与所述第一芯片和所述第三芯片连接，所述AC功率端子与所述第二芯片和所述第四芯片连接。

9.根据权利要求8所述的功率模块，其特征在于，所述DC功率端子包括：

DC正极端子，所述DC正极端子的一端与所述上桥顶部基板的金属层连接；

DC负极端子，所述DC负极端子的一端与所述第一桥接金属层连接。

10.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，所述DC正极端子的另一端和所述DC负极端子的另一端均弯折，所述DC正极端子的另一端和所述DC负极端子的另一端从所述上桥顶部基板与所述下桥顶部基板之间引出。