[实用新型]一种载具和硅片表面处理系统有效
申请号: | 202320172167.0 | 申请日: | 2023-01-31 |
公开(公告)号: | CN219418996U | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 戢瑞凯;章伟冠;谈仕祥;李雪锋 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/677;H01L21/68;H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 吕露 |
地址: | 610000 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 表面 处理 系统 | ||
一种载具和硅片表面处理系统,属于非晶硅电池生产技术领域,用以承载非晶硅电池的硅片,硅片的一表面包括处理区和非处理区;载具包括:载具本体,载具本体开设有镂空区,用以在承载硅片时完全显露处理区;承载部,承载部安装于载具本体,用以承接非处理区的至少部分区域;通过在载具上设置镂空区,能够完全显露硅片的处理区,在进行曝光时,无需经过硅片的翻面步骤,即可实现硅片的双面曝光,优化了生产流程,有效的提升了生产效率。
技术领域
本申请涉及非晶硅电池生产技术领域,具体而言,涉及一种载具和硅片表面处理系统。
背景技术
对于非晶硅铜栅线电池的电极制备,主要为先对表面附着有铜种子层的硅片进行感光胶涂覆形成感光胶层,后对感光胶层进行选择性激光曝光,在显影后去除呈栅线图形的感光胶层,以露出硅片表面的铜种子层,在露出的铜种子层上电镀生长出一层铜电极。
目前的选择性激光曝光,只能单面曝光。而非晶硅电池是双面电池,因此需要先曝光一面,进行翻面后再曝光另一面;导致处理效率较低。
实用新型内容
本申请的目的在于提供一种载具和硅片表面处理系统,其不需要经过硅片的翻面步骤,即可实现对硅片的两表面进行处理。
第一方面,本申请实施例提供了一种载具,用以承载硅片,硅片的一表面包括处理区和非处理区;载具包括:
载具本体,载具本体开设有镂空区,用以在承载硅片时完全显露处理区;
承载部,承载部安装于载具本体,用以承接非处理区的至少部分区域;和
吸附件,吸附件安装于承载部,用以在承载硅片时固定硅片。
采用以上设计,通过在载具上设置镂空区,且镂空区和硅片的处理区相对应,在载具承载硅片时,能够完全显露硅片的处理区,在进行曝光时,可以同时实现硅片两面的处理,无需经过硅片的翻面步骤,即可实现硅片的双面曝光,优化了生产流程,有效的提升了生产效率,同时,在载具承载硅片进行水平方向上的运输过程中,吸附件可对硅片进行暂时的固定,避免硅片在载具上发生位置的偏移,而导致处理区未被完全显露,进而导致处理的硅片出现残次品。
结合第一方面,本申请可选的实施方式中,吸附件为负压吸附件,负压吸附件连通负压产生单元。
在上述实现过程中,吸附件被配置为负压吸附件,本领域技术人员也可以根据实际情况选择其他的吸附件,只要能实现在载具承载硅片进行运输的过程的暂时固定即可。
结合第一方面,本申请可选的实施方式中,负压吸附件包括壳体,壳体内设有内腔,内腔连通负压产生单元,壳体开设有吸附孔,用以与非处理区接触产生吸附作用,吸附孔连通内腔。
在上述实现过程中,各负压吸附件的内腔可以是单独的,也可以是相互连通的,本领域技术人员可根据实际情况进行选择。
结合第一方面,本申请可选的实施方式中,载具本体、承载部和吸附件为一体成型。
采用以上设计,在整个装置的安装过程中,无需单独对各部件进行组装,实现整个装置的快捷安装。
结合第一方面,本申请可选的实施方式中,载具还包括定位斗,定位斗安装于载具本体,定位斗设有斗状通道,斗状通道的最小端与承载部相接,斗状通道的最小端和硅片的大小匹配,用以在承载硅片时对硅片进行定位以使处理区和镂空区对应。
采用以上设计,利用定位斗的斗状通道上大下小的特性,将定位斗通道下端的大小配置为和硅片大小相匹配,在硅片放置过程中,即使存在一定的偏差,硅片也能顺着定位斗的通道下滑,最终下滑至载具时,实现硅片的处理区正好对应载具的镂空区,达到一定的自动纠偏的效果。
结合第一方面,本申请可选的实施方式中,吸附件的吸附部呈回形框状分布,吸附部围合于镂空区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造