[实用新型]一种用于半导体处理腔的上盖

权利要求书

1.一种用于半导体处理腔的上盖，其特征在于，所述半导体处理腔的上部包括一开孔，所述开孔上设置所述上盖，所述上盖与半导体处理腔形成一处理空间，一承压壳体包围至少部分所述上盖，所述上盖与承压壳体形成一密闭空间，所述上盖设置在所述处理空间和密闭空间之间以实现两者的气密隔离，当所述上盖设置在所述开孔上时，所述上盖具有一朝向所述处理空间的下表面和一朝向所述密闭空间的上表面，其中，

所述上盖包括：窗口和环绕所述窗口的外沿，所述窗口包括位于其中心的窗口中心区和包围窗口中心区的窗口边缘区，所述窗口边缘区与所述外沿连接，所述窗口中心区的下表面与窗口边缘区的下表面的最大高度差大于28毫米小于等于50毫米，所述窗口边缘区的下表面具有第一斜面，所述第一斜面的两端分别与外沿的下表面和窗口中心区的下表面相连，所述上盖可承受所述处理空间与密闭空间之间的压强差。

2.如权利要求1所述的上盖，其特征在于，所述第一斜面与外沿的下表面之间构成的夹角范围为：110°～170°。

3.如权利要求1所述的上盖，其特征在于，所述窗口边缘区的上表面位于所述外沿的上表面和下表面之间，所述外沿与窗口边缘区的上表面之间构成第一凹部，且所述外沿具有向窗口倾斜的第一侧壁，所述第一凹部具有第一弧面，所述第一弧面与第一侧壁连接。

4.如权利要求3所述的上盖，其特征在于，所述第一侧壁与外沿的上表面之间构成的夹角范围为：120°～160°。

5.如权利要求3所述的上盖，其特征在于，所述第一弧面的曲率半径范围为：10毫米～150毫米。

6.如权利要求1所述的上盖，其特征在于，所述窗口的上表面和下表面均向远离外沿的下表面的方向拱起。

7.如权利要求6所述的上盖，其特征在于，所述窗口为穹顶型结构，所述窗口的曲率半径范围为：800毫米～5000毫米。

8.如权利要求1所述的上盖，其特征在于，所述窗口边缘区的下表面位于所述外沿的上表面和下表面之间，所述窗口中心区的上表面低于所述外沿的上表面，所述窗口中心区的下表面高于所述外沿的下表面，所述外沿与所述窗口中心区的上下表面分别通过窗口边缘区的上表面和下表面相连，所述外沿的下表面与窗口边缘区的下表面分别构成第二凹部。

9.如权利要求3所述的上盖，其特征在于，所述半导体处理腔还包括进气口和出气口，一工艺气体沿一气流方向由所述进气口流入所述处理空间，由所述出气口流出所述处理空间；沿垂直于所述气流方向，所述外沿与窗口边缘区的上表面之间构成所述第一凹部，且所述第一凹部侧壁的外沿具有向窗口倾斜的所述第一侧壁，所述窗口边缘区的上表面具有所述第一弧面，所述窗口边缘区的下表面具有所述第一斜面；沿所述气流方向，所述窗口中心区的下表面与窗口边缘区的下表面齐平，所述外沿的内侧设有第二斜面；所述窗口的下表面高于外沿的下表面，所述上盖为拱形结构。

10.如权利要求9所述的上盖，其特征在于，所述窗口的上表面设置有若干个条形加强筋，所述条形加强筋垂直于所述气流方向。

11.如权利要求10所述的上盖，其特征在于，靠近所述进气口的条形加强筋数量少于靠近所述出气口的条形加强筋数量。

12.如权利要求1所述的上盖，其特征在于，所述窗口可透过热辐射；所述窗口为石英材质。

13.如权利要求12所述的上盖，其特征在于，所述窗口为透明的石英材质，所述外沿为透明或不透明的石英材质。

14.如权利要求1所述的上盖，其特征在于，所述窗口中心区的下表面与窗口边缘区的下表面的最大高度差大于30毫米小于等于43毫米。