[发明专利]一种半导体封装方法

说明书

一种半导体封装方法，包括:在临时载板的一侧形成键合胶层、金属层和封装结构；之后，采用光学解键合工艺对键合胶层照射紫外光线；当封装结构和临时载板通过光学解键合工艺未完成解键合时，判断金属层中存在与部分临时载板直接接触的第一金属区，采用增强型解键合工艺将封装结构和临时载板解键合；增强型解键合工艺包括：从临时载板背离金属层的一侧表面研磨部分厚度的临时载板，在研磨部分厚度的临时载板的过程中对临时载板施加冷却液，以使临时载板的内部产生裂纹；将具有裂纹的临时载板放置在湿法刻蚀液中，湿法刻蚀液通过所述裂纹渗透至第一金属区并溶解去除所述第一金属区。所述半导体封装方法能使封装结构和临时载板成功解键合。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体封装方法。

背景技术

一种半导体封装方法，如图1所示，包括：在临时载板2上涂敷键合胶层4；在键合胶层4背离临时载板2的一侧表面溅射金属层3；在金属层3背离键合胶层4的一侧制备封装结构1；之后，将封装结构1从临时载板2上解键合(未图示)。

然而，在将封装结构1从临时载板2上解键合时，会出现封装结构1无法从临时载板2上成功解键合的情况，出现废片。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中封装结构无法从临时载板上成功解键合的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种半导体封装方法，包括：提供临时载板；在所述临时载板的一侧表面形成键合胶层；在所述键合胶层背离临时载板的一侧表面形成金属层；在所述金属层背离所述临时载板的一侧形成封装结构；形成所述封装结构之后，采用光学解键合工艺对键合胶层照射紫外光线；当所述封装结构和所述临时载板通过光学解键合工艺未完成解键合时，判断金属层中存在与部分临时载板直接接触的第一金属区，采用增强型解键合工艺将所述封装结构和所述临时载板解键合；所述增强型解键合工艺包括：从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面研磨部分厚度的临时载板，在研磨部分厚度的临时载板的过程中对所述临时载板施加冷却液，以使临时载板的内部产生裂纹；提供湿法刻蚀液；将具有裂纹的临时载板放置在所述湿法刻蚀液中，所述湿法刻蚀液通过所述裂纹渗透至第一金属区并溶解去除所述第一金属区。

可选的，所述金属层的材料包括Al。

可选的，所述湿法刻蚀液包括NaOH溶液,所述NaOH溶液的质量百分比为2％～20％。

可选的，对所述临时载板施加冷却液的步骤为：对所述临时载板喷淋冷却液。

可选的，对所述临时载板施加冷却液之前，所述冷却液的温度为0摄氏度～30摄氏度。

可选的，从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面研磨部分厚度的临时载板的步骤包括：采用粗研磨工艺从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面去除第一厚度的临时载板；采用精研磨工艺从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面去除第二厚度的临时载板。

可选的，在进行所述增强型解键合工艺之前，所述临时载板具有初始厚度；所述第一厚度为所述初始厚度的1/2～2/3；所述第二厚度为所述初始厚度的1/20～1/15。

可选的，所述粗研磨工艺和所述精研磨工艺均采用砂轮，所述粗研磨工艺采用的砂轮的目数为300目～500目，所述精研磨工艺采用的砂轮的目数为2000目～6000目。

可选的，在所述金属层背离所述临时载板的一侧形成封装结构的步骤包括：在所述金属层背离所述临时载板的一侧形成重布线结构；在所述重布线结构背离所述金属层的一侧设置芯片本体，所述芯片本体和所述重布线结构之间具有导电连接件；在所述芯片本体和所述重布线结构之间形成包封所述导电连接件的底填包封层；在所述重布线结构背离所述金属层的一侧形成包封所述底填包封层和所述芯片本体的塑封层。

可选的，所述湿法刻蚀液溶解去除第一金属区之后，所述湿法刻蚀液接触到重布线结构，所述湿法刻蚀液不与所述重布线结构发生化学反应。