[发明专利]一种半导体封装方法

权利要求书

1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括:

提供临时载板；

在所述临时载板的一侧表面形成键合胶层；

在所述键合胶层背离临时载板的一侧表面形成金属层；

在所述金属层背离所述临时载板的一侧形成封装结构；

形成所述封装结构之后，采用光学解键合工艺对键合胶层照射紫外光线；

当所述封装结构和所述临时载板通过光学解键合工艺未完成解键合时，判断金属层中存在与部分临时载板直接接触的第一金属区，采用增强型解键合工艺将所述封装结构和所述临时载板解键合；

所述增强型解键合工艺包括：从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面研磨部分厚度的临时载板，在研磨部分厚度的临时载板的过程中对所述临时载板施加冷却液，以使临时载板的内部产生裂纹；提供湿法刻蚀液；将具有裂纹的临时载板放置在所述湿法刻蚀液中，所述湿法刻蚀液通过所述裂纹渗透至第一金属区并溶解去除所述第一金属区。

2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述金属层的材料包括Al。

3.根据权利要求2所述的半导体封装方法，其特征在于，所述湿法刻蚀液包括NaOH溶液,所述NaOH溶液的质量百分比为2％～20％。

4.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，对所述临时载板施加冷却液的步骤为：对所述临时载板喷淋冷却液。

5.根据权利要求1或4所述的半导体封装方法，其特征在于，对所述临时载板施加冷却液之前，所述冷却液的温度为0摄氏度～30摄氏度。

6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面研磨部分厚度的临时载板的步骤包括：采用粗研磨工艺从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面去除第一厚度的临时载板；采用精研磨工艺从所述临时载板背离所述金属层的一侧表面去除第二厚度的临时载板。

7.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，在进行所述增强型解键合工艺之前，所述临时载板具有初始厚度；所述第一厚度为所述初始厚度的1/2～2/3；所述第二厚度为所述初始厚度的1/20～1/15。

8.根据权利要求6所述的半导体封装方法，其特征在于，所述粗研磨工艺和所述精研磨工艺均采用砂轮，所述粗研磨工艺采用的砂轮的目数为300目～500目，所述精研磨工艺采用的砂轮的目数为2000目～6000目。

9.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，在所述金属层背离所述临时载板的一侧形成封装结构的步骤包括：在所述金属层背离所述临时载板的一侧形成重布线结构；在所述重布线结构背离所述金属层的一侧设置芯片本体，所述芯片本体和所述重布线结构之间具有导电连接件；在所述芯片本体和所述重布线结构之间形成包封所述导电连接件的底填包封层；在所述重布线结构背离所述金属层的一侧形成包封所述底填包封层和所述芯片本体的塑封层。

10.根据权利要求9所述的半导体封装方法，其特征在于，所述湿法刻蚀液溶解去除第一金属区之后，所述湿法刻蚀液接触到重布线结构，所述湿法刻蚀液不与所述重布线结构发生化学反应。