[发明专利]一种晶圆刻蚀方法及半导体处理设备

权利要求书

1.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括：

获取下聚焦环在当前晶圆角度所历经的起辉总时长；

若所述起辉总时长大于或等于预设时长阈值，则沿预设方向将待刻蚀晶圆相对于所述下聚焦环改变一预设单位角度再进行刻蚀，其中，所述预设单位角度大于晶圆缺口所对应的圆心角。

2.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述若所述起辉总时长大于或等于预设时长阈值，则沿预设方向将待刻蚀晶圆相对于所述下聚焦环改变一预设单位角度再进行刻蚀之后，还包括：

获取所述当前晶圆角度相对于起辉初始时刻的初始晶圆角度沿预设方向所累计改变的角度，其中，所述起辉初始时刻为与所述起辉总时长对应的首次起辉时刻；

若所述累计改变的角度小于预设总角度阈值，则返回至所述获取下聚焦环在当前晶圆角度所历经的起辉总时长。

3.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述获取所述当前晶圆角度相对于起辉初始时刻的初始晶圆角度沿预设方向所累计改变的角度之后，还包括：

若所述累计改变的角度大于或等于所述预设总角度阈值，则停止进行刻蚀。

4.根据权利要求2所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，以工艺腔室的阀门为参考，并且晶圆传输至所述工艺腔室时所述晶圆的边缘正对所述阀门的位置为基准点，所述初始晶圆角度为所述晶圆缺口和所述基准点对应的圆心角，其中，所述基准点避开所述晶圆缺口；

所述预设方向为所述晶圆缺口至所述基准点的旋转方向，并且所述预设总角度阈值为所述晶圆缺口和所述基准点对应的圆心角的两倍。

5.根据权利要求1所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述获取下聚焦环在当前晶圆角度所历经的起辉总时长之后，还包括：

若所述起辉总时长小于所述预设时长阈值，则继续以所述当前晶圆角度对所述待刻蚀晶圆进行刻蚀。

6.根据权利要求2-5任一项所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述预设总角度阈值小于或等于30°。

7.根据权利要求6所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述晶圆缺口所对应的圆心角小于2°，所述预设单位角度为2°。

8.根据权利要求6所述的晶圆刻蚀方法，其特征在于，所述起辉总时长小于或等于50h。

9.一种半导体处理设备，包括工艺腔室和控制器，所述工艺腔室内设置有用于承载晶圆的承载装置，所述承载装置包括下电极基盘，以及套设在所述下电极基盘外侧的下聚焦环，其特征在于，所述控制器包括处理器和存储器，所述存储器中存储有计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的晶圆刻蚀方法。

10.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，还包括校准装置和传输装置；

所述校准装置用于在转动时调整位于所述校准装置上的待刻蚀晶圆的晶圆角度；

所述传输装置用于将所述待刻蚀晶圆从所述校准装置上传输至所述工艺腔室中；

所述工艺腔室用于对所述待刻蚀晶圆进行刻蚀；

所述控制器用于控制所述校准装置转动以使所述待刻蚀晶圆相对于所述下聚焦环改变一预设单位角度。

11.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述控制器用于控制所述承载装置带动所述下聚焦环旋转所述预设单位角度。

12.根据权利要求9所述的半导体处理设备，其特征在于，所述下聚焦环，包括环本体，所述环本体的顶面设置有与所述下电极基盘配合的环形凹槽；

所述环本体的外径满足：当晶圆置于所述下电极基盘上时，所述晶圆的晶圆缺口离所述晶圆的中心的最短距离大于所述环本体的外径。