[发明专利]一种适用于TPAK器件有压烧结的定位夹具及贴装方法在审

专利信息
申请号: 202310533698.2 申请日: 2023-05-12
公开(公告)号: CN116469828A 公开(公告)日: 2023-07-21
发明(设计)人: 於少林;王佳宁;魏兆阳;江溢洋;潘翔 申请(专利权)人: 合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)
主分类号: H01L21/687 分类号: H01L21/687;H01L21/68;H01L21/67;H01L21/50;H01L23/373;H01L23/367
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 杨学明
地址: 230000 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 tpak 器件 烧结 定位 夹具 方法
【说明书】:

发明提供一种适合TPAK器件有压烧结的定位夹具及贴装方法,包括一个载体、两个导向板、一个支撑板、两个定位销、两个支撑环;本发明针对没有专用贴TPAK器件设备的情况下,通过夹具设计能够实现TPAK器件与散热器各凸台的精准定位和稳固贴片,为高质量有压烧结奠定基础。本发明可以节省TPAK贴装设备的成本,适合研究型以及小批量生产,且装配简单,使用范围广,可以用于各种散热器结构、多个TPAK器件并联贴装。

技术领域

本发明涉及功率半导体器件(封装)技术领域,具体地涉及一种适用于TPAK器件有压烧结的定位夹具及贴装方法。

背景技术

目前Tesla在Model3的主驱逆变器中采用了SiC型TPAK器件烧结方案,及通过有压银烧结工艺将TPAK功率器件与铝散热器进行连接,构成了可进行电能变换的功率模组。TPAK器件结构如图1所示。

与导热硅脂、高温无铅钎料相比,银烧结技术的烧结连接层成分为银,具有优异的导电和导热性能,由于银的熔点高达961℃,将不会产生熔点小于300℃的软钎焊连层中出现的典型疲劳效应,具有极高的可靠性,且其烧结温度和传统软钎焊料温度相当。采用银烧结技术可使功率模组使用寿命提高5-10倍,烧结层厚度较焊接层厚度薄60-70%,热传导率提升3倍。

目前国内尚未开发出成熟可量产的TPAK烧结模组。

TPAK器件有压烧结的工艺流程,如图2所示,印刷即通过丝网印刷机将银膏印刷在散热器上。烘烤即将印刷后的散热器放入烘箱,从而挥发出银膏中的有机物,此时银膏固化。贴片即通过专用贴片机将器件贴装在散热器对应凸台的银膏上,此时贴片机能够提供一定的温度和压力,使得器件与散热器呈现一种预烧结的状态,TPAK器件能够稳固的贴装在散热器上。烧结即将贴装好的TPAK模组放入烧结设备中,烧结温度一般在230-250℃,并通过压头在TPAK器件表面施加压力,通过有压烧结的方式实现TPAK器件与散热器的连接。

现有对TPAK器件贴装方式是通过设备贴装,如Tesla。但是将TPAK器件与散热器进行银烧结的技术路线是一种高成本方案,而且国内尚没有开发出可成熟可量产的TPAK烧结模组,国内仍然处于试研阶段。因此,对于一些研究院所以及小批量试研的企业,通过购置专用TPAK器件贴片设备无疑增加研发成本。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供一种适用于TPAK器件有压烧结的定位夹具及贴装方法,针对没有专用贴TPAK器件设备的情况下,通过夹具设计能够实现TPAK器件与散热器各凸台的精准定位和稳固贴片,为高质量有压烧结奠定基础。本发明通过手动形式即可实现TPAK器件与散热器的贴装,降低成本。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种适合TPAK器件有压烧结的定位夹具,包括一个载体、两个导向板、一个支撑板、两个定位销、两个支撑环;

所述载体用于承载散热器,根据散热器的结构进行设计;所述导向板用于对TPAK器件进行手动定位和支撑,安装在载体中的轨道槽中,所述支撑板用于对TPAK器件的支撑,所述支撑环用于避免在有压烧结后,支撑板受挤压抽取不出;所述导向板设置有定位齿,所述定位齿的间距以及个数取决于并联的TPAK器件的个数,用于对TPAK器件的精准定位以及固定;所述导向板通过长度小于6mm的M3内六角螺丝固定在载体的导轨槽上;所述支撑板上端两侧进行斜切30°倒角,用于支撑TPAK器件,使得TPAK器件在烧结过程的压力施加下保持稳固状态。

进一步地,所述导向板的长度根据散热器整体长度进行设计,高度根据散热器与其表面所印刷的银膏高度之后进行设计,导向板上的定位齿根据TPAK器件并联个数以及并联间距进行设计。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室),未经合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202310533698.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top