[发明专利]一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法

说明书

本发明公开了本发明公开一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，包括：一、将氢氧化钾溶液与双氧水混合得溶液A对硅片清洗；二、将氢氧化钾溶液与制绒添加剂混合得溶液B，将硅片在溶液B中腐蚀形成金字塔绒面；三、将氢氧化钾溶液与双氧水混合得溶液C对硅片清洗；四、将氢氟酸与盐酸混合得到溶液D对硅片清洗；五、烘干；六、将硅片置于帝尔激光器，进行激光制绒；七、将氢氧化钾溶液与双氧水混合得溶液E对硅片清洗；八、将氢氟酸与盐酸混合得到溶液F对硅片清洗；九、烘干。该方法制备的单晶硅片绒面为覆盖着纳米级坑洞的金字塔单元，不仅具备了大金字塔与导电栅线接触好、焊接拉力高的优点，也具备了反射率低、短路电流高的优点。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法。

背景技术

在制造单晶硅电池片的过程中，通常是通过槽式湿法制绒在原始硅片的表面形成金字塔陷光结构，光在金字塔的表面发生二次反射，从而增加硅片对光的吸收率，降低反射率，提高电池片的电流密度和光电转换效率。

常规的单晶硅片绒面结构为大小不一的金字塔紧密排列，布满硅片表面，不同金字塔大小的绒面具有不同的光学特性和电学特性，一般而言，金字塔尺寸大的硅片的反射率较高，电池片的短路电流较小；相反地，金字塔尺寸小的硅片的反射率较低，做成的电池片的短路电流较高。

为了追求高的短路电流，故而会尽量缩小金字塔尺寸，但是金字塔尺寸小的硅片存在其它问题：例如丝网印刷导电栅线时，小金字塔绒面与导电栅线的接触不充分，导致断栅，此外降低了栅线的焊接拉力。

因此，我们提出一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，以便于解决上述中提出的问题。

发明内容

针对上述背景技术中存在的问题，本发明提出了一种能够减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，本发明的方法制备的单晶硅片绒面为覆盖着纳米级坑洞的金字塔单元，不仅具备了大金字塔与导电栅线接触好、焊接拉力高的优点，也具备了反射率低、短路电流高的优点。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，该方法包括如下步骤：

步骤一、前清洗：将氢氧化钾溶液与双氧水混合，得到溶液A，将硅片置于所述溶液A中进行清洗，去除所述硅片表面脏污；

步骤二、碱制绒：将氢氧化钾溶液与制绒添加剂混合，得到溶液B，将经过前清洗工序的硅片置于所述溶液B中进行各向异性腐蚀，形成金字塔绒面；

步骤三、后清洗：将氢氧化钾溶液与双氧水混合，得到溶液C，将制绒后的硅片置于所述溶液C中进行清洗，去除硅片表面的残留物；

步骤四、酸洗：将氢氟酸与盐酸混合，得到溶液D，将经过后清洗工序的硅片置于所述溶液D中，继续去除硅片表面残留物；

步骤五、烘干；

步骤六、激光二次腐蚀：将硅片置于帝尔激光器，进行二次激光制绒，激光光斑扫描间距30-50μm，激光扫描速度350-700mm/s，频率50-185kHz，在所述金字塔的表面形成纳米级的坑洞；

步骤七、碱洗：将氢氧化钾溶液与双氧水混合得到溶液E，将硅片在溶液E中清洗去除表面残留物；

步骤八、酸洗：将氢氟酸与盐酸混合得到溶液F，将硅片在溶液F中继续去除表面残留物；

步骤九、烘干

具体的，本发明所提出的减少光反射损失的单晶硅片制绒方法，依次使用常规单晶碱制绒和激光熔融硅腐蚀的方式对单晶硅片进行制绒，通过依次使用两种不同的方式进行制绒，可以在碱制绒形成的金字塔上制备具有覆盖着纳米级坑洞的金字塔单元，使得晶硅电池的受光表面得到有效的增加，从而达到增效的目的。